【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
201410693539
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種快恢復(fù)二極管，所述二極管包括襯底和其上形成的P+區(qū)共同構(gòu)成的PN結(jié)，其中襯底為二極管的陰極，P+區(qū)為二極管陽(yáng)極；其特征在于，在陽(yáng)極P+區(qū)的表面注入氫或氦，形成局域壽命控制層；所述襯底為均勻摻雜的N型硅襯底，所述N型硅襯底包括依次分布的襯底N?層以及襯底N+層；在所述襯底N?層上生長(zhǎng)有氧化層。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種快恢復(fù)二極管，所述二極管包括襯底和其上形成的P+區(qū)共同構(gòu)成的PN結(jié)，其中
襯底為二極管的陰極，P+區(qū)為二極管陽(yáng)極；其特征在于，在陽(yáng)極P+區(qū)的表面注入氫或氦，形
成局域壽命控制層；
所述襯底為均勻摻雜的N型硅襯底，所述N型硅襯底包括依次分布的襯底N-層以及襯
底N+層；在所述襯底N-層上生長(zhǎng)有氧化層。
2.如權(quán)利要求1所述的快恢復(fù)二極管，其特征在于，所述注入氫或氦的注入深度為
5-7um，有±0.5um注入能量偏差。
3.如權(quán)利要求1所述的快恢復(fù)二極管，其特征在于，用光刻和刻蝕所述氧化層形成有源
區(qū)窗口，在所述有源區(qū)窗口上推結(jié)形成P+區(qū)；所述P+區(qū)形成如下：
在有源區(qū)窗口生長(zhǎng)氧化層作為掩蔽層，在掩蔽層注入硼離子，形成硼離子注入層，并在
1200℃氮?dú)鈿夥胀平Y(jié)下形成5-10um的P+區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的快恢復(fù)二極管，其特征在于，硼離子的注入劑量為1×1013～1×
1015cm-2。
5.如權(quán)利要求1所述的快恢復(fù)二極管，其特征在于，對(duì)所述局域壽命控制層進(jìn)行局部壽
命控制或全局壽命控制，來實(shí)現(xiàn)對(duì)二極管正向壓降的溫度特性的調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)包括：①采用局
域壽命控制配合電子輻照的控制方式；②采用局域壽命控制配合摻鉑的控制方式；③采用局
域壽命控制配合電子輻照和擴(kuò)鉑兩種全局壽命控制方式。
6.一種如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的快恢復(fù)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：吳迪，劉鉞楊，何延強(qiáng)，金銳，溫家良，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：國(guó)家電網(wǎng)公司，國(guó)網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院，國(guó)網(wǎng)上海市電力公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：北京;11
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