【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
201610082529
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET，包括：在襯底上沿第一方向延伸的鰭；在襯底上鰭的第一側(cè)沿與第一方向相交的第二方向延伸從而與鰭相交的第一柵；在襯底上鰭的與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)沿第二方向延伸從而與鰭相交且與第一柵相對(duì)的第二柵；以及與第二柵串聯(lián)連接的負(fù)電容器。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET，包括：
在襯底上沿第一方向延伸的鰭；
在襯底上鰭的第一側(cè)沿與第一方向相交的第二方向延伸從而與
鰭相交的第一柵；
在襯底上鰭的與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)沿第二方向延伸從而與鰭
相交且與第一柵相對(duì)的第二柵；以及
與第二柵串聯(lián)連接的負(fù)電容器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FinFET，其中，負(fù)電容器的電容絕對(duì)
值小于第二柵所導(dǎo)致的第二柵電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的FinFET，其中，負(fù)電容器與第二柵電
容的串聯(lián)電容的絕對(duì)值近似等于第一柵所導(dǎo)致的第一柵電容。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的FinFET，其中，負(fù)電容器與第二柵電
容的串聯(lián)電容的絕對(duì)值大于第一柵所導(dǎo)致的第一柵電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FinFET，還包括：位于鰭頂部的電介
質(zhì)層，其中第一柵和第二柵通過(guò)鰭及其頂部的電介質(zhì)層而彼此分開(kāi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FinFET，其中，第一柵包括疊置的第
一柵介質(zhì)層和第一柵電極層，第二柵包括疊置的第二柵介質(zhì)層和第二
柵電極層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的FinFET，其中，負(fù)電容器包括設(shè)置在
第二柵介質(zhì)層與第二柵電極層之間的負(fù)電容材料層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的FinFET，還包括：在負(fù)電容材料層面
對(duì)第二柵介質(zhì)層的表面以及負(fù)電容材料層面對(duì)第二柵電極層的表面中
至少一個(gè)表面上形成的導(dǎo)電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的FinFET，其中，導(dǎo)電層包括TiN。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的FinFET，其中，負(fù)電容材料層包括鐵
電材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的FinFET，其中，負(fù)電容材料層包括
含Zr、Ba或Sr的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的FinFET，其中，負(fù)電容材料層包括
HfZrO2、BaTiO3、KH2PO4或NBT或它們的任意組合。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FinFET，其中，襯底是體半導(dǎo)體襯底，
且該FinFET還包括在位于鰭下方的襯底部分中形成的穿通阻止層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FinFET，其中，襯底是絕緣體上半導(dǎo)
體SOI襯底，且鰭形成于該SOI襯底的SOI層中。
15.一種電子設(shè)備，包括由如權(quán)利要求1-14之一所述的FinFET
形成的集成電路。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子設(shè)備，還包括：與所述集成電路
配合的顯示器以及與所述集成電路配合的無(wú)線收發(fā)器。
17.一種制造鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET的方法，包括：
在襯底上形成沿第一方向延伸的鰭；
在襯底上鰭的第一側(cè)形成沿與第一方向相交的第二方向延伸以
便與鰭相交的第一柵；以及
在襯底上鰭的與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)形成沿第二方向延伸以便
與鰭相交且與第一柵相對(duì)的第二柵，并形成與第二柵串聯(lián)連接的負(fù)電
容器。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成第一柵以及形成第
二柵包括：
在襯底上形成沿第二方向延伸以便與鰭相交的犧牲柵，該犧牲...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：朱慧瓏，朱正勇，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：中國(guó)科學(xué)院微電子研究所，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：北京;11
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