屏蔽柵-深溝槽MOSFET的屏蔽柵氧化層及其形成方法技術

本發明專利技術公開了一種屏蔽柵-深溝槽MOSFET的屏蔽柵氧化層及其形成方法，包括：第1步，外延層上刻蝕形成有溝槽，采用熱氧化生長工藝在溝槽的底部表面和側壁表面形成第一氧化層；第2步，在第一氧化層的表面形成氮化層；第3步，采用多晶硅淀積工藝在氮化層的表面形成淀積多晶硅層；第4步，進行熱氧化，將淀積多晶硅層全部氧化成第二氧化層，所述第一氧化層、氮化層和第二氧化層共同形成屏蔽柵氧化層。本發明專利技術通過在氮化層上淀積多晶硅并對多晶硅進行熱氧化的方式取代了現有的在氮化層上直接通過SACVD淀積氧化層的方式，不但可以保證屏蔽柵與溝槽側壁和溝槽底部之間用于隔離的屏蔽柵氧化層的厚度，而且簡化了工藝條件，降低了生產成本，提高了產能。

【技術實現步驟摘要】
201610064114

【技術保護點】
一種屏蔽柵?深溝槽MOSFET的屏蔽柵氧化層，其特征在于，包括第一氧化層、氮化層和第二氧化層，所述第一氧化層形成在溝槽的底部表面和側壁表面，所述氮化層形成在所述第一氧化層的表面，所述第二氧化層形成在所述氮化層的表面，且所述第二氧化層由多晶硅淀積并熱氧化而成。

【技術特征摘要】
1.一種屏蔽柵-深溝槽MOSFET的屏蔽柵氧化層，其特征在于，包括第一氧化層、
氮化層和第二氧化層，所述第一氧化層形成在溝槽的底部表面和側壁表面，所述氮化層
形成在所述第一氧化層的表面，所述第二氧化層形成在所述氮化層的表面，且所述第二
氧化層由多晶硅淀積并熱氧化而成。
2.根據權利要求1所述的屏蔽柵-深溝槽MOSFET的屏蔽柵氧化層，其特征在于，
所述多晶硅的厚度為1000?！?500埃。
3.根據權利要求1所述的屏蔽柵-深溝槽MOSFET的屏蔽柵氧化層，其特征在于，
所述溝槽的深度為4微米～6微米，側壁角度為86.5°～88.5°。
4.根據權利要求1所述的屏蔽柵-深溝槽MOSFET的屏蔽柵氧化層，其特征在于，
所述第一氧化層的厚度與MOSFET中柵氧化層的厚度相同，所述氮化層的厚度為500?！?br>1500埃。
5.一種屏蔽柵-深溝槽MOSFET中溝槽側壁形成屏蔽柵氧化層的方法，其特征在于，
包括如下步驟：
第1步，外...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳正嶸，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31