用于修改后的芯片設計的冗余填充方法技術

本發明專利技術提供一種用于修改后的芯片設計的冗余填充方法，所述冗余填充方法包括：將修改后的芯片設計的版圖與用于修改前的芯片的冗余填充的版圖合并以生成第一完整芯片版圖，并對所述第一完整芯片版圖進行設計規則檢查；將所述第一完整芯片版圖中違反設計規則的冗余去除，形成第二芯片版圖；以及在所述第二芯片版圖的更新區域重新插入冗余金屬。本發明專利技術所提供的用于修改后的芯片設計的冗余填充方法基于先前的冗余填充方案，能夠減少設計修改對原有冗余填充的改動，減少需要重出的光罩，從而降低成本。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體
，具體而言涉及一種用于修改后的芯片設計的冗余填充(dummy fill)方法。
技術介紹
在制造工藝中，化學機械拋光(CMP)是一種用來實現晶圓平坦化的技術。雖然CMP具有良好的平坦化效果，但是由于下層版圖圖形密度的不均勻，會導致拋光后電介質厚度的變化不均勻。冗余填充是應用非常廣泛的CMP平坦化增強技術。當修改一層或幾層金屬層的設計時，需要重出這一層或多層的金屬/通孔的光罩(mask)，因此也需要對被修改層再次進行冗余填充。在現有的方案中，對被修改層的冗余填充是舍棄先前的冗余填充方案，對被修改層全部重新進行冗余填充，導致需要重出的光罩較多，成本較高。
技術實現思路
針對現有技術的不足，本專利技術提供一種用于修改后的芯片設計的冗余填充方法，所述冗余填充方法包括：將修改后的芯片設計的版圖與用于修改前的芯片的冗余填充的版圖合并以生成第一完整芯片版圖，并對所述第一完整芯片版圖進行設計規則檢查(Design RuleCheck,DRC)；將所述第一完整芯片版圖中違反設計規則的冗余去除，形成第二芯片版圖；以及在所述第二芯片版圖的更新區域重新插入冗余金屬。在本專利技術的一個實施例中，所述冗余填充方法進一步包括：基于被修改層新插入的冗余金屬與下層的原有冗余金屬的重疊部分插入新的冗余金屬穿孔(via)。在本專利技術的一個實施例中，所述冗余填充方法進一步包括：基于
被修改層新插入的冗余金屬與上層的原有冗余金屬的重疊部分插入新的冗余金屬穿孔。在本專利技術的一個實施例中，所述冗余填充方法進一步包括：在所述第二芯片版圖的更新區域重新插入冗余金屬之后再次進行設計規則檢查。在本專利技術的一個實施例中，所述冗余填充方法進一步包括：經過所述再次進行的設計規則檢查，如果存在違反設計規則的冗余，則重復進行將違反設計規則的冗余去除的步驟和在修改過的區域重新插入冗余填充的步驟，直到不再存在違反設計規則的冗余。在本專利技術的一個實施例中，所述違反設計規則的冗余包括金屬冗余和穿孔冗余。在本專利技術的一個實施例中，所述芯片為已經下線(tape-out)的芯片。在本專利技術的一個實施例中，所述芯片為28納米工藝的芯片。在本專利技術的一個實施例中，所述冗余填充方法能夠應用于已經下線的、65納米以下工藝的芯片。本專利技術所提供的用于修改后的芯片設計的冗余填充方法基于先前的冗余填充方案，能夠減少設計修改對原有冗余填充的改動，減少需要重出的光罩，從而降低成本。附圖說明本專利技術的下列附圖在此作為本專利技術的一部分用于理解本專利技術。附圖中示出了本專利技術的實施例及其描述，用來解釋本專利技術的原理。附圖中：圖1示出了根據本專利技術一個實施例的用于修改后的芯片設計的冗余填充方法的流程圖；圖2示出了現有的對修改后的芯片設計的冗余填充方法導致芯片出現異常情況的示例；圖3示出了根據本專利技術一個實施例的用于修改后的芯片設計的冗余填充方法的示例；以及圖4示出了根據本專利技術一個實施例的用于修改后的芯片設計的
冗余填充方法的另一個示例。具體實施方式在下文的描述中，給出了大量具體的細節以便提供對本專利技術更為徹底的理解。然而，對于本領域技術人員而言顯而易見的是，本專利技術可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本專利技術發生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。應當理解的是，本專利技術能夠以不同形式實施，而不應當解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本專利技術的范圍完全地傳遞給本領域技術人員。在此使用的術語的目的僅在于描述具體實施例并且不作為本專利技術的限制。在此使用時，單數形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復數形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應明白術語“組成”和/或“包括”，當在該說明書中使用時，確定所述特征、整數、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術語“和/或”包括相關所列項目的任何及所有組合。為了徹底理解本專利技術，將在下列的描述中提出詳細的步驟以及詳細的結構，以便闡釋本專利技術提出的技術方案。本專利技術的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本專利技術還可以具有其他實施方式。對于已經tape-out的芯片，為了優化設計可能需要進行某些層的設計修改，因此需要重新出光罩量產。相應地，需要對芯片的被修改層進行再次的冗余填充。本專利技術的實施例提供一種用于修改后的芯片設計的冗余填充方法，該方法不舍棄先前的冗余填充方案，而是在原有的冗余填充的基礎上進行改動，可以減少重出的光罩，從而降低成本。圖1示出了根據本專利技術一個實施例的用于修改后的芯片設計的冗余填充方法100的流程圖。如圖1所示，方法100包括以下步驟：步驟101：將修改后的芯片設計的版圖與用于修改前的芯片的冗余填充的版圖合并以生成第一完整芯片版圖，并對第一完整芯片版圖
進行設計規則檢查；步驟102：將第一完整芯片版圖中違反設計規則的冗余去除，形成第二芯片版圖；步驟103：在第二芯片版圖的更新區域重新插入冗余金屬。其中，在步驟101中，將先前的冗余填充方案用于修改后的芯片設計，再進行設計規則檢查。具體地，將修改后的芯片設計的版圖與用于修改前的芯片的冗余填充的版圖合并，輸出第一完整芯片版圖full chip gds1。然后，對第一完整芯片版圖full chip gds1進行設計規則的物理驗證，例如驗證單層的寬度是否小于固定值、層與層之間的距離是否小于固定值等。在步驟102中，將違反設計規則的冗余部分去除，去除的冗余可以包括金屬冗余和/或穿孔冗余。將違反設計規則的冗余去除后，可以輸出第二芯片版圖chip2，包括剩余的冗余填充dummy 1。在步驟103中，可以基于第二芯片版圖chip2在更新區域重新插入冗余金屬，并且輸出新插入的冗余填充dummy 2。新插入的冗余填充可以包括冗余金屬和冗余穿孔。dummy 1和dummy 2整合在一起即為用于修改后的芯片的冗余填充。將dummy 1、dummy 2以及修改后的設計版圖整合在一起即為修改后的完整芯片版圖。這樣，在原有的冗余填充的基礎上添加新的冗余填充，可以減少重出的光罩，從而降低成本。優選地，方法100還可以包括步驟104：基于被修改層新插入的冗余金屬與下層或上層的原有冗余金屬的重疊部分插入新的冗余金屬穿孔。在現有的用于修改后的芯片設計的冗余填充方法中，由于是基于新的設計實施全新的冗余填充，因此可能鏈接了上層或下層的穿孔導致了短路情況，如圖2所示。根據本專利技術的實施例的上述方法，基于被修改層新插入的冗余金屬與其下層或其上層的原有冗余金屬的重疊部分插入新的冗余金屬穿孔，則可以避免出現這種短路情況。圖3和圖4分別示出了根據本專利技術實施例的冗余填充方法基于被修改層新插入的冗余金屬與其下層、以及與其上層的原有冗余金屬的重疊部分插入新的冗余金屬穿孔
的示例。此外，由于根據本專利技術的實施例的用于修改后的芯片設計的冗余填充方法是在先前的冗余填充的基礎上添加新的冗余填充，因此大大降低了新的冗余填充可能帶來的開路、短路等不良影響，提高了產品良率。進一步地，方法100還可以包括步驟105：再次進行設計規則檢查。這樣可以進一步減少可能出現的違反本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于修改后的芯片設計的冗余填充方法，其特征在于，所述冗余填充方法包括：將修改后的芯片設計的版圖與用于修改前的芯片的冗余填充的版圖合并以生成第一完整芯片版圖，并對所述第一完整芯片版圖進行設計規則檢查；將所述第一完整芯片版圖中違反設計規則的冗余去除，形成第二芯片版圖；以及在所述第二芯片版圖的更新區域重新插入冗余金屬。

【技術特征摘要】
1.一種用于修改后的芯片設計的冗余填充方法，其特征在于，所述冗余填充方法包括：將修改后的芯片設計的版圖與用于修改前的芯片的冗余填充的版圖合并以生成第一完整芯片版圖，并對所述第一完整芯片版圖進行設計規則檢查；將所述第一完整芯片版圖中違反設計規則的冗余去除，形成第二芯片版圖；以及在所述第二芯片版圖的更新區域重新插入冗余金屬。2.如權利要求1所述的冗余填充方法，其特征在于，所述冗余填充方法進一步包括：基于被修改層新插入的冗余金屬與下層的原有冗余金屬的重疊部分插入新的冗余金屬穿孔。3.如權利要求1所述的冗余填充方法，其特征在于，所述冗余填充方法進一步包括：基于被修改層新插入的冗余金屬與上層的原有冗余金屬的重疊部分插入新的冗余金屬穿孔。4.如權利要求1所述的冗余填充方法，其特征在于，所述冗余填...

【專利技術屬性】
技術研發人員：姜霖，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造上海有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31