一種氮化物發光二極管的外延結構制造技術
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體光電器件領域，特別是一種氮化物發光二極管的外延結構。
技術介紹
現今，發光二極管（LED），特別是氮化物發光二極管因其較高的發光效率，在普通照明領域已取得廣泛的應用。因氮化物發光二極管的底層存在缺陷，在生長量子阱時缺陷延伸會形成V-pits，形成非輻射復合中心，導致電子容易通過V-pits的漏電通道泄漏并吸收量子阱發出的光，形成漏電和非輻射復合，降低發光效率、發光強度和ESD。
技術實現思路
本專利技術的目的是：提供一種氮化物發光二極管的外延結構，通過在多量子阱發光區域的V-pits上方填充鈍化層/DBR/Al量子點的復合結構，使非摻雜的鈍化層阻擋電子和空穴擴展至V-pits，降低非輻射復合，而DBR（分布布拉格反射層）則將量子阱發光的光反射，防止光被V-pits中的缺陷吸收，同時，Al量子點形成的光反射和表面等離激元，進一步引導光波導方向，通過多重壘加的效應提升氮化物發光二極管的發光效率。一種氮化物發光二極管的外延結構，依次包括襯底，N型氮化物，多量子阱，V-pits，鈍化層/DBR/Al量子點，P型氮化物，P型接觸層以及DBR，其特征在于：多量子阱發光區的V-pits上方填充鈍化層/DBR/Al量子點的復合結構，鈍化層阻擋電子和空穴擴散至V-pits，降低V-pits中缺陷的非輻射復合，而DBR將量子阱發出的光反射，防止光被V-pits中的缺陷吸收，同時，Al量子點形成光反射和表面等離激元，進一步引導光波導方向。通過鈍化層/DBR/Al量子點復合結構的多重壘加效應，結合P型半導體層一側的DBR，使量子阱發出的光反射至襯底一側，提升氮化...
【技術保護點】
一種氮化物發光二極管的外延結構，依次包括襯底，N型氮化物，多量子阱，V?pits，鈍化層/DBR/Al量子點的復合結構，P型氮化物，P型接觸層以及DBR，其特征在于：多量子阱發光區的V?pits上方填充鈍化層/DBR/Al量子點的復合結構，鈍化層阻擋電子和空穴擴散至V?pits，降低V?pits中缺陷的非輻射復合，而DBR將量子阱發出的光反射，防止光被V?pits中的缺陷吸收，同時，Al量子點形成光反射和表面等離激元，進一步引導光波導方向。
【技術特征摘要】
1.一種氮化物發光二極管的外延結構，依次包括襯底，N型氮化物，多量子阱，V-pits，鈍化層/DBR/Al量子點的復合結構，P型氮化物，P型接觸層以及DBR，其特征在于：多量子阱發光區的V-pits上方填充鈍化層/DBR/Al量子點的復合結構，鈍化層阻擋電子和空穴擴散至V-pits，降低V-pits中缺陷的非輻射復合，而DBR將量子阱發出的光反射，防止光被V-pits中的缺陷吸收，同時，Al量子點形成光反射和表面等離激元，進一步引導光波導方向。2.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管的外延結構，其特征在于：所述復合結構中的鈍化層用于阻擋電子和空穴擴散至V-pits，降低V-pits中缺陷的非輻射復合。3.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管的外延結構，其特征在于：所述復合結構中的DBR將量子阱發出的光反射，防止光被V-pits中的位錯及缺陷吸收。4.根據權利要求1所述的一種氮化物發...
【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭錦堅，鐘志白，楊煥榮，李志明，杜偉華，鄧和清，伍明躍，周啟倫，林峰，李水清，康俊勇，
申請(專利權)人：廈門市三安光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：福建;35
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