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本發明公開了一種氮化物發光二極管的外延結構,通過在多量子阱發光區的V?pits上方填充鈍化層/DBR/Al量子點的復合結構,鈍化層阻擋電子和空穴擴散至V?pits,降低V?pits中缺陷的非輻射復合,而DBR將量子阱發出的光反射,防止光被V...該專利屬于廈門市三安光電科技有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過廈門市三安光電科技有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種氮化物發光二極管的外延結構,通過在多量子阱發光區的V?pits上方填充鈍化層/DBR/Al量子點的復合結構,鈍化層阻擋電子和空穴擴散至V?pits,降低V?pits中缺陷的非輻射復合,而DBR將量子阱發出的光反射,防止光被V...