一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管制造技術(shù)

一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，涉及發(fā)光二極管生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。在襯底的一側(cè)通過(guò)金屬鍵合層連接布拉格反射鏡層，在布拉格反射鏡層的一側(cè)通過(guò)刻蝕的溝槽分別設(shè)置至少兩個(gè)元胞，在溝槽內(nèi)的金屬層與N?GaN層、量子阱層、P?GaN層之間分別設(shè)置側(cè)向布拉格反射鏡層，所述側(cè)向布拉格反射鏡層在溝槽內(nèi)端與上述布拉格反射鏡層相連。本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)可以有效地提高電流的擴(kuò)展能力，提高散熱能力，增強(qiáng)光效，并在元胞側(cè)壁形成DBR結(jié)構(gòu)，可大大增強(qiáng)側(cè)壁的光反射率，增強(qiáng)光效。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及發(fā)光二極管生產(chǎn)

技術(shù)介紹
現(xiàn)有工業(yè)化生產(chǎn)的高壓芯片是由多個(gè)正裝芯片排列組合形成的，目前的芯片大部分是橫向結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)在通較大電流的情況下會(huì)存在電流堵塞，散熱差的缺點(diǎn)，這也是導(dǎo)致高功率發(fā)光二極管光衰而不利于廣泛應(yīng)用的原因。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)目的是提出一種能提高電流的擴(kuò)展能力，增強(qiáng)光效，提高散熱能力的垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管。本技術(shù)在襯底的一側(cè)通過(guò)金屬鍵合層連接布拉格反射鏡層，在布拉格反射鏡層的一側(cè)通過(guò)刻蝕的溝槽分別設(shè)置至少兩個(gè)元胞，各元胞分別由金屬反射層、ITO層、P-GaN層、量子阱層和N-GaN層組成，所述各元胞的金屬反射層、ITO層、P-GaN層、量子阱層和N-GaN層依次設(shè)置在布拉格反射鏡層的同一側(cè)；在所述元胞中的一個(gè)元胞的N-GaN層上設(shè)置N電極，在所述元胞中的另一個(gè)元胞的ITO層上設(shè)置P電極；每?jī)蓚€(gè)相鄰的元胞之間通過(guò)中部設(shè)置在溝槽內(nèi)的金屬層相互串聯(lián)，所述金屬層的一端連接在該兩個(gè)相鄰的元胞中的一個(gè)元胞的ITO層上，所述金屬層的另一端連接在該兩個(gè)相鄰的元胞中的另一個(gè)元胞的N-GaN層上，其特點(diǎn)是：在溝槽內(nèi)的金屬層與N-GaN層、量子阱層、P-GaN層之間分別設(shè)置側(cè)向布拉格反射鏡層，所述側(cè)向布拉格反射鏡層在溝槽內(nèi)端與上述布拉格反射鏡層相連。本技術(shù)以上垂直結(jié)構(gòu)的高壓產(chǎn)品，可以有效地提高電流的擴(kuò)展能力，提高散熱能力，增強(qiáng)光效，并在元胞側(cè)壁形成DBR結(jié)構(gòu)，可大大增強(qiáng)側(cè)壁的光反射率，增強(qiáng)光效。附圖說(shuō)明圖1至圖6為本技術(shù)的制作過(guò)程圖。圖7為本技術(shù)的一種結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式一、制作工藝：1、在一臨時(shí)襯底1的同側(cè)依次外延生長(zhǎng)形成緩沖層2、N-GaN層3、量子阱層4和P-GaN層5。2、在P-GaN層5表面采用SPUTTER工藝濺射一層厚度為600 ?～900?的ITO層6，然后再蒸鍍8000 ?～10000 ?的金屬反射層7，制成的外延片如圖1所示。3、采用黃光光刻工藝，利用感應(yīng)偶和等離子（ICP）圖形化地刻蝕掉部分金屬反射層和ITO層，使各元胞之間以第一溝槽相互隔離，結(jié)果如圖2所示。4、在金屬反射層7表面和第一溝槽中蒸鍍第一布拉格反射鏡層（DBR）8，結(jié)果如圖3所示。在金屬反射層7表面蒸鍍的DBR厚度大約在30000?～50000?。5、采用激光剝離技術(shù)剝離去除臨時(shí)襯底1和緩沖層2，直至N-GaN層3完全暴露，再在第一布拉格反射鏡層8的表面沉積厚度為10000 ?的金屬鍵合層9，然后采用晶圓鍵合的方式將永久襯底10鍵合在金屬鍵合層9的一側(cè)，結(jié)果如圖4所示。可采用的永久襯底如硅等材料。6、在N-GaN層的表面通過(guò)黃光工藝，通過(guò)調(diào)節(jié)刻蝕氣體BCl3 和Cl2的比例，刻蝕去除各元胞之間的N-GaN層、量子阱層和P-GaN層，直至露出各元胞的部分ITO層7和第一布拉格反射鏡層8，使各元胞之間以第二溝槽相互隔離，結(jié)果如圖5所示。7、在相鄰的元胞之間的第二溝槽中，于其中一個(gè)元胞的N-GaN層、量子阱層和P-GaN層的同一側(cè)蒸鍍厚度大約為2000?～3000?的第二布拉格反射鏡層11，結(jié)果如圖6所示。然后采用常規(guī)方法，在第二溝槽中的ITO層6、第一布拉格反射鏡層8和第二布拉格反射鏡層11及制有第二布拉格反射鏡層11的元胞的N-GaN層3的外表面制作形成金屬層12，使相鄰的兩個(gè)元胞形成串聯(lián)。8、采用常規(guī)方法，在各個(gè)串聯(lián)的元胞的一個(gè)元胞的N-GaN層3上方制作N電極13，在另一個(gè)元胞的ITO層6上方制作P電極14。結(jié)果如圖7所示。二、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：如圖7所示，在永久襯底10的一側(cè)通過(guò)金屬鍵合層9連接布拉格反射鏡層8，在布拉格反射鏡層8的一側(cè)通過(guò)刻蝕的溝槽分別設(shè)置至少兩個(gè)元胞，各元胞分別由金屬反射層7、ITO層6、P-GaN層5、量子阱層4和N-GaN層3組成，各元胞的金屬反射層7、ITO層6、P-GaN層5、量子阱層4和N-GaN層3依次設(shè)置在布拉格反射鏡層8的同一側(cè)。在一個(gè)元胞的N-GaN層3上設(shè)置N電極13，在另一個(gè)元胞的ITO層6上設(shè)置P電極14。每?jī)蓚€(gè)相鄰的元胞之間通過(guò)中部設(shè)置在溝槽內(nèi)的金屬層12相互串聯(lián)，金屬層12的一端連接在該兩個(gè)相鄰的元胞中的一個(gè)元胞的ITO層6上，金屬層12的另一端連接在該兩個(gè)相鄰的元胞中的另一個(gè)元胞的N-GaN層3上。在溝槽內(nèi)的金屬層12與N-GaN層3、量子阱層4、P-GaN層5之間分別設(shè)置側(cè)向布拉格反射鏡層11，側(cè)向布拉格反射鏡層11在溝槽內(nèi)端與布拉格反射鏡層8相連。本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，在襯底的一側(cè)通過(guò)金屬鍵合層連接布拉格反射鏡層，在布拉格反射鏡層的一側(cè)通過(guò)刻蝕的溝槽分別設(shè)置至少兩個(gè)元胞，各元胞分別由金屬反射層、ITO層、P?GaN層、量子阱層和N?GaN層組成，所述各元胞的金屬反射層、ITO層、P?GaN層、量子阱層和N?GaN層依次設(shè)置在布拉格反射鏡層的同一側(cè)；在所述元胞中的一個(gè)元胞的N?GaN層上設(shè)置N電極，在所述元胞中的另一個(gè)元胞的ITO層上設(shè)置P電極；每?jī)蓚€(gè)相鄰的元胞之間通過(guò)中部設(shè)置在溝槽內(nèi)的金屬層相互串聯(lián)，所述金屬層的一端連接在該兩個(gè)相鄰的元胞中的一個(gè)元胞的ITO層上，所述金屬層的另一端連接在該兩個(gè)相鄰的元胞中的另一個(gè)元胞的N?GaN層上，其特征在于：在溝槽內(nèi)的金屬層與N?GaN層、量子阱層、P?GaN層之間分別設(shè)置側(cè)向布拉格反射鏡層，所述側(cè)向布拉格反射鏡層在溝槽內(nèi)端與上述布拉格反射鏡層相連。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管，在襯底的一側(cè)通過(guò)金屬鍵合層連接布拉格反射鏡層，在布拉格反射鏡層的一側(cè)通過(guò)刻蝕的溝槽分別設(shè)置至少兩個(gè)元胞，各元胞分別由金屬反射層、ITO層、P-GaN層、量子阱層和N-GaN層組成，所述各元胞的金屬反射層、ITO層、P-GaN層、量子阱層和N-GaN層依次設(shè)置在布拉格反射鏡層的同一側(cè)；在所述元胞中的一個(gè)元胞的N-GaN層上設(shè)置N電極，在所述元胞中的另一...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蔡立鶴，張永，陳凱軒，李俊賢，劉英策，陳亮，魏振東，吳奇隆，周弘毅，鄔新根，黃新茂，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：廈門(mén)乾照光電股份有限公司，
類(lèi)型：新型
國(guó)別省市：福建;35