一種GOA陣列基板的制作方法及GOA陣列基板技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種GOA陣列基板的制作方法及GOA陣列基板，該GOA陣列基板包括：襯底基板；第一半導(dǎo)體有源層；第一絕緣層；第一柵極與第二柵極；第二絕緣層；第二半導(dǎo)體有源層；第一源極、第一漏極、第二源極與第二漏極；第三絕緣層；驅(qū)動電極與像素電極。本發(fā)明專利技術(shù)有效地降低了GOA液晶顯示面板的邊框?qū)挾?，?shí)現(xiàn)窄邊框的設(shè)計。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及一種GOA陣列基板的制作方法及GOA陣列基板。
技術(shù)介紹
液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺式計算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板(TFT-LCD)及背光模組。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。液晶顯示面板具有完全平面化、輕、薄以及省電等特點(diǎn)，是圖像顯示器發(fā)展的必然趨勢。液晶顯示面板多采用矩陣驅(qū)動面板控制，所以又叫矩陣控制平板或矩陣顯示。現(xiàn)有技術(shù)中，矩陣驅(qū)動面板上的結(jié)構(gòu)主要由非晶硅、多晶硅和氧化物半導(dǎo)體三類材料制作而成。其中，非晶硅應(yīng)用最為廣泛，它的制程簡單，均勻性好，遷移率低；多晶硅制程復(fù)雜，遷移率高，單均勻性不好；氧化物半導(dǎo)體均勻性好，制程簡單，但是成本較高。一般來說，在制作矩陣驅(qū)動面板的時候，都是根據(jù)面板的顯示需求，來選擇其制作的材料。在制作矩陣驅(qū)動面板時，顯示區(qū)域(act i ve area，AA區(qū))電路和周邊電路(Gate On Pane l，GOA)兩種電路對薄膜晶體管器件特性的最求目的是不一樣的，AA區(qū)要求薄膜晶體管具有穩(wěn)定的特性和較低的關(guān)態(tài)(開態(tài))電流；周邊電路則要求薄膜晶體管具有較高的關(guān)態(tài)(開態(tài))電流。為了更好地實(shí)現(xiàn)GOA的級傳功能，一般會在GOA的電路中增加一些下拉電路維持單元，以及防漏電和降低噪聲的功能模塊，這就導(dǎo)致現(xiàn)有的GOA邊框大小要做到7mm左右。但是，隨著技術(shù)的進(jìn)步，對于窄邊框或者無邊框的需求越來越強(qiáng)烈。在實(shí)際的矩陣驅(qū)動面板中，整個面板的薄膜晶體管都是采用同種材料制作成的，不能滿足不同區(qū)域?qū)Ρ∧ぞw管的特性需求，造成了一定程度上的特性缺失，也無法實(shí)現(xiàn)窄邊框。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種GOA陣列基板的制作方法及GOA陣列基板，以有效降低GOA液晶顯示面板的邊框?qū)挾?，?shí)現(xiàn)窄邊框的設(shè)計。本專利技術(shù)的技術(shù)方案如下：一種GOA陣列基板，包括周邊的GOA區(qū)域與中部的顯示區(qū)域，其包括：襯底基板；第一半導(dǎo)體有源層，形成于所述襯底基板的所述GOA區(qū)域；第一絕緣層，形成于所述第一半導(dǎo)體有源層上，并覆蓋整個所述襯底基板；第一柵極與第二柵極，形成于所述第一絕緣層上，所述第一柵極位于所述GOA區(qū)域的與所述第一半導(dǎo)體有源層對應(yīng)處，所述第二柵極位于所述顯示區(qū)域；第二絕緣層，形成于所述第一柵極與所述第二柵極上，并覆蓋整個所述第一絕緣層；第二半導(dǎo)體有源層，形成于所述第二絕緣層上，其位于所述顯示區(qū)域；第一源極、第一漏極、第二源極與第二漏極，形成于所述第二絕緣層上，其中所述第一源極與所述第一漏極分別穿過所述第一絕緣的過孔與所述第二絕緣層與所述第一半導(dǎo)體有源層兩端相接觸，所述第二源極與所述第二漏極分別與所述第二半導(dǎo)體有源層兩端相接觸；第三絕緣層，形成于所述第二半導(dǎo)體有源層、所述第一源極、所述第一漏極、所述第二源極與所述第二漏極上，并覆蓋整個所述第二絕緣層；驅(qū)動電極與像素電極，形成于所述第三絕緣層上，分別位于所述GOA區(qū)域與所述顯示電路區(qū)域，并分別與所述第一漏極及所述第二漏極相接觸；其中，所述第一半導(dǎo)體有源層的電子遷移率高于所述第二半導(dǎo)體有源層的電子遷移率。優(yōu)選地，所述第一半導(dǎo)體有源層為多晶硅半導(dǎo)體有源層。優(yōu)選地，所述第二半導(dǎo)體有源層為非晶硅半導(dǎo)體有源層或氧化物半導(dǎo)體有源層。優(yōu)選地，所述GOA區(qū)域的薄膜晶體管為頂柵型結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述顯示區(qū)域的的薄膜晶體管為底柵型結(jié)構(gòu)。一種如上述的GOA陣列基板的制作方法，所述制作方法包括以下步驟：在襯底基板上形成第一半導(dǎo)體有源層，所述襯底基板包括周邊的GOA區(qū)域與中部的顯示區(qū)域，所述第一半導(dǎo)體有源層位于所述GOA區(qū)域；在所述第一半導(dǎo)體有源層上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述GOA區(qū)域與所述顯示區(qū)域；在所述第一絕緣層上分別形成第一柵極與第二柵極，所述第一柵極位于所述第一半導(dǎo)體有源層的中部上方，所述第二柵極位于所述顯示區(qū)域上方；在所述第一柵極與所述第二柵極上形成第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述GOA區(qū)域與所述顯示區(qū)域；在所述第二絕緣層上形成第二半導(dǎo)體有源層，所述第二半導(dǎo)體有源層位于所述第二柵極上方；在所述第一半導(dǎo)體有源層上形成與其對應(yīng)的第一源極與第一漏極，在所述第二半導(dǎo)體有源層上形成與其對應(yīng)的第二源極與第二漏極；在所述第二半導(dǎo)體有源層、所述第一源極、所述第一漏極、所述第二源極與所述第二漏極上形成第三絕緣層，所述第三絕緣層覆蓋所述GOA區(qū)域與所述顯示區(qū)域；在所述第三絕緣層上形成像素電極與驅(qū)動電極，所述像素電極位于所述顯示區(qū)域，其與所述第二漏極相接觸，所述驅(qū)動電極位于所述GOA區(qū)域，其與所述第一漏極相接觸；其中，所述第一半導(dǎo)體有源層的電子遷移率高于所述第二半導(dǎo)體有源層的電子遷移率。優(yōu)選地，所述第一半導(dǎo)體有源層為多晶硅半導(dǎo)體有源層，所述第二半導(dǎo)體有源層為非晶硅半導(dǎo)體有源層或氧化物半導(dǎo)體有源層。優(yōu)選地，在所述第一絕緣層上分別形成第一柵極與第二柵極，具體包括：在所述第一絕緣層上沉積一層第一金屬層；對所述第一金屬層進(jìn)行圖案化獲得所述第一柵極與所述第二柵極。優(yōu)選地，在所述第一半導(dǎo)體有源層上形成與其對應(yīng)的第一源極與第一漏極，在所述第二半導(dǎo)體有源層上形成與其對應(yīng)的第二源極與第二漏極，具體包括：在所述第一絕緣層與所述第二絕緣層上形成過孔，以暴露所述第一半導(dǎo)體有源層的兩端，且所述第一柵極的兩端與所述過孔不相通；在所述第二絕緣層與所述過孔上沉積第二金屬層，其覆蓋所述過孔、所述第二絕緣層及所述第二半導(dǎo)體有源層；對所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理，以形成所述第一源極、所述第一漏極、所述第二源極與所述第二漏極。優(yōu)選地，所述第一絕緣層、所述第二絕緣層與所述第三絕緣層的制作材料為氧化硅或氧化硅與氮化硅組成的雙層膜。本專利技術(shù)的有益效果：本專利技術(shù)的一種GOA陣列基板的制作方法及GOA陣列基板，通過在陣列基板的GOA區(qū)域使用高遷移率的材料設(shè)置半導(dǎo)體有源層，可以將對應(yīng)的薄膜晶體管做得很小，可以將GOA區(qū)域做得很窄，實(shí)現(xiàn)了陣列基板超窄邊框的設(shè)計?！靖綀D說明】圖1為本專利技術(shù)實(shí)施例的陣列基板的制作方法的實(shí)施步驟第一步形成的局部圖形示意圖；圖2為本專利技術(shù)實(shí)施例的GOA陣列基板的制作方法的實(shí)施步驟第二步形成的局部圖形示意圖；圖3為本專利技術(shù)實(shí)施例的GOA陣列基板的制作方法的實(shí)施步驟第三步形成的局部圖形示意圖；圖4為本專利技術(shù)實(shí)施例的GOA陣列基板的制作方法的實(shí)施步驟第四步形成的局部圖形示意圖；圖5為本專利技術(shù)實(shí)施例的GOA陣列基板的制作方法的實(shí)施步驟第五步形成的局部圖形示意圖；圖6為本專利技術(shù)實(shí)施例的GOA陣列基板的制作方法的實(shí)施步驟第六步形成的局部圖形示意圖；圖7為本專利技術(shù)實(shí)施例的GOA陣列基板的制作方法的實(shí)施步驟第七步形成的局部圖形示意圖；圖8為本專利技術(shù)實(shí)施例的GOA陣列基板的制作方法的實(shí)施步驟第不步形成的局部圖形示意圖；圖9為本專利技術(shù)實(shí)施例的GOA陣列基板的制作方法的實(shí)施步驟第九步形成的完整圖形示意圖或GOA陣列本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種GOA陣列基板，包括周邊的GOA區(qū)域與中部的顯示區(qū)域，其特征在于，其包括：襯底基板；第一半導(dǎo)體有源層，形成于所述襯底基板的所述GOA區(qū)域；第一絕緣層，形成于所述第一半導(dǎo)體有源層上，并覆蓋整個所述襯底基板；第一柵極與第二柵極，形成于所述第一絕緣層上，所述第一柵極位于所述GOA區(qū)域的與所述第一半導(dǎo)體有源層對應(yīng)處，所述第二柵極位于所述顯示區(qū)域；第二絕緣層，形成于所述第一柵極與所述第二柵極上，并覆蓋整個所述第一絕緣層；第二半導(dǎo)體有源層，形成于所述第二絕緣層上，其位于所述顯示區(qū)域；第一源極、第一漏極、第二源極與第二漏極，形成于所述第二絕緣層上，其中所述第一源極與所述第一漏極分別穿過所述第一絕緣的過孔與所述第二絕緣層與所述第一半導(dǎo)體有源層兩端相接觸，所述第二源極與所述第二漏極分別與所述第二半導(dǎo)體有源層兩端相接觸；第三絕緣層，形成于所述第二半導(dǎo)體有源層、所述第一源極、所述第一漏極、所述第二源極與所述第二漏極上，并覆蓋整個所述第二絕緣層；驅(qū)動電極與像素電極，形成于所述第三絕緣層上，分別位于所述GOA區(qū)域與所述顯示電路區(qū)域，并分別與所述第一漏極及所述第二漏極相接觸；其中，所述第一半導(dǎo)體有源層的電子遷移率高于所述第二半導(dǎo)體有源層的電子遷移率。...

【技術(shù)特征摘要】
1.一種GOA陣列基板，包括周邊的GOA區(qū)域與中部的顯示區(qū)域，其特征在于，其包括：襯底基板；第一半導(dǎo)體有源層，形成于所述襯底基板的所述GOA區(qū)域；第一絕緣層，形成于所述第一半導(dǎo)體有源層上，并覆蓋整個所述襯底基板；第一柵極與第二柵極，形成于所述第一絕緣層上，所述第一柵極位于所述GOA區(qū)域的與所述第一半導(dǎo)體有源層對應(yīng)處，所述第二柵極位于所述顯示區(qū)域；第二絕緣層，形成于所述第一柵極與所述第二柵極上，并覆蓋整個所述第一絕緣層；第二半導(dǎo)體有源層，形成于所述第二絕緣層上，其位于所述顯示區(qū)域；第一源極、第一漏極、第二源極與第二漏極，形成于所述第二絕緣層上，其中所述第一源極與所述第一漏極分別穿過所述第一絕緣的過孔與所述第二絕緣層與所述第一半導(dǎo)體有源層兩端相接觸，所述第二源極與所述第二漏極分別與所述第二半導(dǎo)體有源層兩端相接觸；第三絕緣層，形成于所述第二半導(dǎo)體有源層、所述第一源極、所述第一漏極、所述第二源極與所述第二漏極上，并覆蓋整個所述第二絕緣層；驅(qū)動電極與像素電極，形成于所述第三絕緣層上，分別位于所述GOA區(qū)域與所述顯示電路區(qū)域，并分別與所述第一漏極及所述第二漏極相接觸；其中，所述第一半導(dǎo)體有源層的電子遷移率高于所述第二半導(dǎo)體有源層的電子遷移率。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GOA陣列基板，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體有源層為多晶硅半導(dǎo)體有源層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GOA陣列基板，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體有源層為非晶硅半導(dǎo)體有源層或氧化物半導(dǎo)體有源層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GOA陣列基板，其特征在于，所述GOA區(qū)域的薄膜晶體管為頂柵型結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GOA陣列基板，其特征在于，所述顯示區(qū)域的的薄膜晶體管為底柵型結(jié)構(gòu)。6.一種如權(quán)利要求1～5任一項所述的GOA陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步驟：在襯底基板上形成第一半導(dǎo)體有源層，所述襯底基板包括周邊的GOA區(qū)域與中部的顯示區(qū)域，所述第一半導(dǎo)體有源層位于所述GOA區(qū)域；在所述第一半導(dǎo)體有源層上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述GOA區(qū)域與所述顯示區(qū)域；在所述...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：呂曉文，
申請(專利權(quán))人：深圳市華星光電技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東;44