高頻封裝制造技術

本發明專利技術的高頻封裝具備：樹脂基板、搭載于樹脂基板的第1表面側的高頻器件、形成于樹脂基板的第1表面相反側的第2表面上且為接地電位的接地面導體、形成于樹脂基板的內層的高頻信號的傳輸線路、以及形成于樹脂基板的內部且為接地電位的接地通孔。在接地面導體形成有貫通孔。接地通孔配置于傳輸線路與貫通孔之間。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及收容高頻器件的高頻封裝。
技術介紹
已知有處理微波波段或毫米波波段的高頻信號的高頻器件。在收容這樣的高頻器件的高頻封裝中，將高頻器件搭載在電介質基板上。在該電介質基板的內層，可能設有高頻信號的傳輸線路(例如參照專利文獻1)。【現有技術文獻】【專利文獻】【專利文獻1】國際公開第2007/091470號公報
技術實現思路
【專利技術所要解決的技術問題】本申請專利技術人首次發現如下問題。作為搭載有高頻器件的電介質基板，考慮到使用“樹脂基板”的情況。在樹脂基板的制造工序中，來自清洗液等的水分侵入芯材等中。侵入的水分通過電鍍而被密封在樹脂基板內部。然后，通過回流處理而在樹脂基板內部產生氣體。此時，若無氣體的排出通道，則氣體在樹脂基板內部膨脹，這有可能引起分層(層間剝離)。為了防止該分層，考慮到在樹脂基板的接地面上設置多個用于排氣的孔。但是，該情況下，來自樹脂基板內層的傳輸線路的微波波段或毫米波波段的高頻信號有可能通過該排氣用孔而泄露至外部。這會導致EMI(Electro-Magnetic Interference、電磁干擾)特性變差。本專利技術的一個目的在于，提供能夠防止使用樹脂基板的高頻封裝的EMI特性變差的技術。【解決技術問題所采用的技術方案】在本專利技術的一個觀點中，高頻封裝具備：樹脂基板、搭載于樹脂基板的第1表面側的高頻器件、形成于樹脂基板的第1表面相反側的第2表面上且為接地電位的接地面導體、形成于樹脂基板的內層的高頻信號的傳輸線路、以及形成于樹脂基板的內部且為接地電位的接地通孔。在接地面導體形成有貫通孔。接地通孔配置于傳輸線路與貫通孔之間。在本專利技術的另一個觀點中，高頻封裝具備：樹脂基板、搭載于樹脂基板的第1表面側的高頻器件、形成于樹脂基板的第1表面相反側的第2表面上且為接地電位的接地面導體、以及形成于樹脂基板的內層的高頻信號的傳輸線路。在接地面導體形成有貫通孔。該貫通孔的直徑小于高頻信號的波長的1/2。【專利技術效果】根據本專利技術，能夠防止使用樹脂基板的高頻封裝的EMI特性變差。【附圖說明】圖1是本專利技術的實施方式涉及的高頻封裝的樹脂基板的俯視圖。圖2是本專利技術的實施方式涉及的高頻封裝的樹脂基板的剖視圖。【具體實施方式】參照附圖，對本專利技術的實施方式涉及的高頻封裝進行說明。實施方式.圖1是本實施方式涉及的高頻封裝的樹脂基板的俯視圖。圖2是本實施方式涉及的高頻封裝的剖視圖，且表示沿圖1中的線A-A’的剖面結構。此外，為了便于理解說明，在圖1中，也以虛線示出形成于樹脂基板的內層上的多個結構元件。本實施方式涉及的高頻封裝收容處理微波波段或毫米波波段的高頻信號的高頻器件1。作為這樣的高頻器件1，例如可以舉出MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit、單片微波集成電路)芯片。在本實施方式涉及的高頻封裝中，使用相互對置的2個基板。更為詳細來說，如圖2所示，下側的母基板10與上側的樹脂基板20相對而配置。另外，連接母基板10與樹脂基板20的基板間連接導體15被夾持配置在母基板10與樹脂基板20之間。高頻器件1配置在由該母基板10、樹脂基板20以及基板間連接導體15包圍的空間中。更為詳細來說，高頻器件1搭載在樹脂基板20上。樹脂基板20具有第1表面21和第2表面22。第1表面21是搭載高頻器件1側的面(器件面)，且與母基板10相對置。第2表面22是第1表面21相反側的面，如下所述用于形成接地面。高頻器件1搭載在樹脂基板20的第1表面21側。更為詳細來說，在樹脂基板20的第1表面21上，形成有表層傳輸線路30或接地配線(未圖示)。而且，高頻器件1經由凸點31而與該表層傳輸線路30或接地配線以倒裝芯片的方式相連接。另一方面，在樹脂基板20的第2表面22上形成有接地面導體40。接地面導體40的電位為接地電位。通過該接地面導體40，在樹脂基板20的第2表面22側形成接地面。在樹脂基板20的內層形成有作為高頻信號傳輸線路的內層傳輸線路50。該內層傳輸線路50經由通孔51而與上述表層傳輸線路30連接。例如，內層傳輸線路50構成三板接線(Tri-plate line)線路。該情況下，上述第2表面22上的接地面導體40也成為三板接線線路的構成元件。另外，在樹脂基板20的內層還形成有內層接地導體60。內層接地導體60的電位為接地電位。在使用樹脂基板20的情況下，如上所述，通過回流處理而在樹脂基板20內部產生氣體。此時，若無氣體的排出通道，則氣體在樹脂基板20內部膨脹，這有可能引起分層(層間剝離)。根據本實施方式，為了防止上述分層，在第2表面22上的接地面導體40形成有多個排氣用的貫通孔70(參照圖1)。其中，來自內層傳輸線路50的微波波段或毫米波波段的高頻信號有可能通過該貫通孔70而泄露至外部。這會導致EMI特性變差。因此，在本實施方式中，將貫通孔70的直徑D設計為小于高頻信號的波長λ的1/2(D＜λ/2)。通過如此縮小貫通孔70的直徑，從而使與貫通孔70相關的截止頻率成為高頻器件1中所使用的頻帶以上。由此，從貫通孔70泄露的高頻信號減少。另外，根據本實施方式，能夠有效使用形成于樹脂基板20內部的接地通孔80。接地通孔80的電位為接地電位。例如，接地通孔80將接地面導體40與內層接地導體60之間相連接地形成于樹脂基板20的內部。如圖1和圖2所示，這樣的接地通孔80配置于內層傳輸線路50與貫通孔70之間。即，在從內層傳輸線路50朝向貫通孔70的泄露路徑上，配置有接地電位的接地通孔80。通過該接地通孔80的屏蔽效果，使得從貫通孔70泄露的高頻信號減少。如圖1所示，優選多個接地通孔80沿著內層傳輸線路50而配置。更優選多個接地通孔80配置成將內層傳輸線路50包圍。由此，接地通孔80的屏蔽效果變得顯著，從而使得從貫通孔70泄露的高頻信號大幅減少。如以上所說明，根據本實施方式，即使使用樹脂基板20，也能夠防止分層，且能夠防止EMI特性變差。以上，參照附圖對本專利技術的實施方式進行了說明。但是，本專利技術并不限定于上述實施方式，本領域技術人員在不脫離其主旨的范圍內能夠適當地進行變更。【符號說明】1高頻器件、10母基板、15基板間連接導體、20樹脂基板、21第1表面、22第2表面、30表層傳輸線路、31凸點、40接地面導體、50內層傳輸線路、51通孔、60內層接地導體、70貫通孔、80接地通孔。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高頻封裝，其特征在于，具備：樹脂基板，高頻器件，其搭載于所述樹脂基板的第1表面側；接地面導體，其形成于所述樹脂基板的所述第1表面的相反側的第2表面上且為接地電位；高頻信號的傳輸線路，其形成于所述樹脂基板的內層；以及接地通孔，其形成于所述樹脂基板的內部且為接地電位，在所述接地面導體形成有貫通孔，所述接地通孔配置于所述傳輸線路與所述貫通孔之間。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】1.一種高頻封裝，其特征在于，具備：樹脂基板，高頻器件，其搭載于所述樹脂基板的第1表面側；接地面導體，其形成于所述樹脂基板的所述第1表面的相反側的第2表面上且為接地電位；高頻信號的傳輸線路，其形成于所述樹脂基板的內層；以及接地通孔，其形成于所述樹脂基板的內部且為接地電位，在所述接地面導體形成有貫通孔，所述接地通孔配置于所述傳輸線路與所述貫通孔之間。2.如權利要求1所述的高頻封裝，其特征在于，所述接地通孔的數量為多個，多個所述接...

【專利技術屬性】
技術研發人員：八十岡興祐，
申請(專利權)人：三菱電機株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP