一種新型的掩模清洗方法技術

本發明專利技術公開了一種新型的掩模清洗方法，其包括以下步驟：S1、使用臭氧和去離子水的混合液進行清洗，去除光刻膠等有機物或是缺陷修補后所產生有機污染物；S2、使用SC?1清洗液進行掩模清洗，確保殘留顆粒去除徹底；S3、使用去離子水再次清洗，以去除殘留銨根離子等掩模表面可能存在的殘留顆粒；S4、最后使用氮氣和異丙醇將掩模上殘留去離子水吹凈吹干即可。本發明專利技術采用臭氧水去除光刻膠等有機物，配合SC?1加超聲波震蕩清洗的方式即可達到清洗目的，又可避免硫酸根離子所帶來之霧狀缺陷，成本低，清洗效果好。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種新型的掩模清洗方法，屬于半導體清洗

技術介紹
半導體國際霧狀缺陷(Hazedefect)是殘留在掩模版上的有機物或無機物，它們在曝光時有可能會生長變大。在光刻波長為248nm時，這類缺陷尚不會引起太大的問題，大約只影響到5％的掩模版。然而到了193nm光刻，受其影響的掩模版高達20％左右，霧狀缺陷已成為光刻業界的一個嚴重問題，霧狀缺陷對成品率的影響方式主要有兩種。通常，霧狀缺陷會生長到足夠大小而成為一個點缺陷，然后被光刻印制到晶圓上。另一種比較少見的方式是，霧狀缺陷會影響光透過掩模版的傳輸，從而引起特征尺寸(CD)的變化。當掩模版上的污染最終達到無法接受的程度時，就需要進行“保護膜再覆蓋(repell)”工藝，即先去除原有的保護膜(pellicle)，清洗掩模版，再覆蓋一層新的保護膜，然后將掩模版送回生產線。這種工藝不但成本很高，清洗效果一般并會縮短其使用壽命。霧狀缺陷主要是硫酸銨，它的來源是光刻膠剝離和清洗工藝之后殘留的污染物。掩模清洗工藝很久以來依賴于濕式的化學氧化性溶液來清除光刻膠以及缺陷修補程中產生的污染物和掩模盒等帶來的污染物。最常見的濕式化學制劑是一種H2SO4和H2O2的混合物，被稱作“piranha”或“SPM”。但是會產生硫酸根離子的殘留，經晶圓廠曝光一陣子后就會出現霧狀缺陷。掩模行業開始從傳統的Piranha化學液轉移到無硫酸鹽光刻膠剝離和最后清洗工藝，包括臭氧水(10-100pmm臭氧)，氫化水(1-10百萬分之一氫氣，補充少量的NH4OH，以維持PH值)，氧等離子體和172nm紫外線曝光。這種轉變帶來了重大的技術挑戰，但是剝離速度比較緩慢。為了拓寬操作窗口，光刻膠剝離工藝可能需要一個等離子體剝離過程，以消除大部分光刻膠，留下一個薄的光刻膠層由O3:H2O(可能需要172nmUV曝光幫助)去除。薄膜替換帶來另外一個去除厚有機物的問題是，薄膜膠粘劑可以相當頑強，并可能要求溶劑或Piranha才能完全去除。
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題是克服現有技術的缺陷，提供一種新型的掩模清洗方法，以解決硫酸根離子殘留，防止在掩模版上形成硫酸銨霧狀缺陷的問題。為了解決上述技術問題，本專利技術提供了如下的技術方案：本專利技術一種新型的掩模清洗方法，其包括以下步驟：S1、使用臭氧和去離子水的混合液進行清洗，去除光刻膠等有機物或是缺陷修補后所產生有機污染物(最終清洗和掩模盒等帶來的污染物)；S2、使用SC-1清洗液進行掩模清洗，確保殘留顆粒去除徹底；S3、使用去離子水再次清洗，以去除殘留銨根離子等掩模表面可能存在的殘留顆粒；S4、最后使用氮氣和異丙醇將掩模上殘留去離子水吹凈吹干即可。進一步地，步驟S1中，控制臭氧濃度為40～60PPM，混合液溫度為20～40℃。進一步地，步驟S2中，使用SC-1清洗液進行掩模清洗的同時配合超聲波進行震蕩。進一步地，步驟S2中，SC-1清洗液的成分以質量份數計包括氫氧化銨1份；雙氧水5份；去離子水20份。進一步地，步驟S4中，將氮氣加熱攝氏170度，配合異丙醇將掩模上殘留去離子水吹凈吹干。本專利技術所達到的有益效果是：本專利技術采用臭氧水去除光刻膠等有機物，配合SC-1加超聲波震蕩清洗的方式即可達到清洗目的，又可避免硫酸根離子所帶來之霧狀缺陷，成本低，清洗效果好。附圖說明附圖用來提供對本專利技術的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本專利技術的實施例一起用于解釋本專利技術，并不構成對本專利技術的限制。在附圖中：圖1是本專利技術的流程結構示意圖。具體實施方式以下結合附圖對本專利技術的優選實施例進行說明，應當理解，此處所描述的優選實施例僅用于說明和解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。如圖1所示，本專利技術一種新型的掩模清洗方法，其包括以下步驟：S1、使用臭氧和去離子水的混合液進行清洗，去除光刻膠等有機物或是缺陷修補后所產生有機污染物(最終清洗和掩模盒等帶來的污染物)；S2、使用SC-1清洗液進行掩模清洗，確保殘留顆粒去除徹底；S3、使用去離子水再次清洗，以去除殘留銨根離子等掩模表面可能存在的殘留顆粒；S4、最后使用氮氣和異丙醇將掩模上殘留去離子水吹凈吹干即可。步驟S1中，控制臭氧濃度為40～60PPM，混合液溫度為20～40℃。步驟S2中，使用SC-1清洗液進行掩模清洗的同時配合超聲波進行震蕩。步驟S2中，SC-1清洗液的成分以質量份數計包括氫氧化銨1份；雙氧水5份；去離子水20份。步驟S4中，將氮氣加熱攝氏170度，配合異丙醇將掩模上殘留去離子水吹凈吹干。本專利技術采用臭氧水去除光刻膠等有機物，配合SC-1加超聲波震蕩清洗的方式即可達到清洗目的，又可避免硫酸根離子所帶來之霧狀缺陷，成本低，清洗效果好。最后應說明的是：以上所述僅為本專利技術的優選實施例而已，并不用于限制本專利技術，盡管參照前述實施例對本專利技術進行了詳細的說明，對于本領域的技術人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換。凡在本專利技術的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本專利技術的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種新型的掩模清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：S1、使用臭氧和去離子水的混合液進行清洗；S2、使用SC?1清洗液進行掩模清洗；S3、使用去離子水再次清洗，以去除殘留銨根離子；S4、最后使用氮氣和異丙醇將掩模上殘留去離子水吹凈吹干即可。

【技術特征摘要】
1.一種新型的掩模清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：S1、使用臭氧和去離子水的混合液進行清洗；S2、使用SC-1清洗液進行掩模清洗；S3、使用去離子水再次清洗，以去除殘留銨根離子；S4、最后使用氮氣和異丙醇將掩模上殘留去離子水吹凈吹干即可。2.根據權利要求1所述的一種新型的掩模清洗方法，其特征在于，步驟S1中，控制臭氧濃度為40～60PPM，混合液溫度為20～40℃。3.根據權利要求1所...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王興平，尤春，張鵬，季書鳳，楊晨，劉維維，沙云峰，朱希進，張月圓，胡超，
申請(專利權)人：無錫中微掩模電子有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇;32