膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)及陣列基板制造技術(shù)

一種膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)及陣列基板，該膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)包括待測(cè)試導(dǎo)電膜層、與待測(cè)試導(dǎo)電膜層位于不同層且分別與待測(cè)試導(dǎo)電膜層電連接的多條測(cè)試引出線(xiàn)以及多個(gè)分別與多條測(cè)試引出線(xiàn)電連接的測(cè)試端子。將該膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)應(yīng)用于陣列基板中，可以方便地完成方塊電阻的測(cè)試，并且能夠保證測(cè)試的精度，同時(shí)能夠避免測(cè)試探針的頻繁更換，減小測(cè)試探針的消耗，從而降低生產(chǎn)成本。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)及陣列基板。
技術(shù)介紹
在顯示
中，例如，在液晶顯示器或有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中，薄膜晶體管是陣列基板中的基本器件。薄膜晶體管中各膜層的特性影響著薄膜晶體管的電學(xué)特性，從而影響顯示器件最終的顯示效果。方塊電阻是評(píng)價(jià)膜層特性的一個(gè)重要手段。目前，方塊電阻值通常用四探針?lè)▽?shí)現(xiàn)測(cè)量，測(cè)試時(shí)使用等間距且排成直線(xiàn)的四個(gè)探針進(jìn)行測(cè)試，且探針直接接觸膜層，例如，圖1為測(cè)試方塊電阻的示意圖。探頭由四根探針阻成，其要求四根探針頭部的距離相等。當(dāng)探頭壓在導(dǎo)電薄膜材料上面時(shí)，電阻計(jì)可用于顯示出材料的方塊電阻值，其原理是外端的兩根探針產(chǎn)生電流場(chǎng)，內(nèi)端的兩根探針測(cè)試電流場(chǎng)在這兩個(gè)探點(diǎn)上形成的電勢(shì)。方塊電阻越大，產(chǎn)生的電勢(shì)也越大，這樣就可以測(cè)出膜層的方塊電阻值。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)提供一種膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)及陣列基板，將該膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)應(yīng)用于陣列基板中，可以方便地完成方塊電阻的測(cè)試，并且能夠保證測(cè)試的精度，同時(shí)能夠避免測(cè)試探針的頻繁更換，減小測(cè)試探針的消耗，從而降低生產(chǎn)成本。這可以解決目前在方塊電阻的測(cè)試中，由于探針長(zhǎng)時(shí)間使用易發(fā)生彎曲變形而導(dǎo)致探針之間的間距發(fā)生變化，最終導(dǎo)致方塊電阻值的測(cè)量不準(zhǔn)確的問(wèn)題。本技術(shù)的至少一實(shí)施例提供一種膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括：待測(cè)試導(dǎo)電膜層；多條測(cè)試引出線(xiàn)，與所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層位于不同層且分別與所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層電連接；多個(gè)測(cè)試端子，多個(gè)所述測(cè)試端子分別與所述多條測(cè)試引出線(xiàn)電連接。例如，在本技術(shù)一實(shí)施例提供的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)中，所述測(cè)試引出線(xiàn)的一端連接所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層，另一端連接所述測(cè)試端子。例如，在本技術(shù)一實(shí)施例提供的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)中，所述測(cè)試引出線(xiàn)與所述測(cè)試端子一體成形。例如，在本技術(shù)一實(shí)施例提供的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)中，所述測(cè)試引出線(xiàn)設(shè)置在所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層的上方或下方。例如，本技術(shù)一實(shí)施例提供的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層一側(cè)的絕緣層，所述絕緣層形成了多個(gè)第一過(guò)孔，所述多條測(cè)試引出線(xiàn)通過(guò)相應(yīng)的所述多個(gè)第一過(guò)孔與所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層電連接。例如，在本技術(shù)一實(shí)施例提供的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)中，所述第一過(guò)孔設(shè)置在所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層的中間區(qū)域。例如，在本技術(shù)一實(shí)施例提供的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)中，任意相鄰兩個(gè)所述第一過(guò)孔之間的距離相等。例如，在本技術(shù)一實(shí)施例提供的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)中，所述第一過(guò)孔呈直線(xiàn)排列。例如，在本技術(shù)一實(shí)施例提供的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)中，所述第一過(guò)孔的個(gè)數(shù)為4個(gè)，且4個(gè)所述第一過(guò)孔排列成等邊四邊形。例如，在本技術(shù)一實(shí)施例提供的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)中，所述多個(gè)測(cè)試端子與所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層位于同一層但彼此絕緣，或者與所述多條測(cè)試引出線(xiàn)位于同一層并彼此電連接。例如，在本技術(shù)一實(shí)施例提供的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)中，所述多個(gè)測(cè)試端子與所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層位于同一層的情況下，所述絕緣層還包括多個(gè)第二過(guò)孔，所述多個(gè)測(cè)試端子與所述多條測(cè)試引出線(xiàn)通過(guò)所述第二過(guò)孔電連接。本技術(shù)的至少一實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括上述中所述的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層位于柵極膜層、源漏電極膜層或像素電極膜層。例如，本技術(shù)一實(shí)施例提供的陣列基板中，在所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層為所述柵極膜層的情況下，所述多條測(cè)試引出線(xiàn)位于所述源漏電極膜層，所述多個(gè)測(cè)試端子位于所述柵極膜層或者所述源漏電極膜層。例如，本技術(shù)一實(shí)施例提供的陣列基板中，在所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層為所述源漏電極膜層的情況下，所述多條測(cè)試引出線(xiàn)位于所述柵極膜層，所述多個(gè)測(cè)試端子位于所述柵極膜層或者所述源漏電極膜層。例如，本技術(shù)一實(shí)施例提供的陣列基板中，在所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層為所述像素電極膜層的情況下，所述多條測(cè)試引出線(xiàn)位于所述源漏電極膜層，所述多個(gè)測(cè)試端子位于所述源漏電極膜層或像素電極膜層。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本技術(shù)實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅涉及本技術(shù)的一些實(shí)施例，而非對(duì)本技術(shù)的限制。圖1為一種測(cè)試方塊電阻的示意圖；圖2為圖1中的探針變形后的示意圖；圖3為本技術(shù)一實(shí)施例提供的一種膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4a為圖3中的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)沿A-B切割后的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4b為圖3中的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)沿C-D切割后的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本技術(shù)另一實(shí)施例提供的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)的示意圖；圖6為本技術(shù)另一實(shí)施例提供的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)的示意圖。附圖標(biāo)記：100-膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)；101-待測(cè)試導(dǎo)電膜層；102-測(cè)試引出線(xiàn)；103-測(cè)試端子；105-絕緣層；106-第一過(guò)孔；107-第二過(guò)孔。具體實(shí)施方式為使本技術(shù)實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例的附圖，對(duì)本技術(shù)實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本技術(shù)的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于所描述的本技術(shù)的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。除非另外定義，本公開(kāi)使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本技術(shù)所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開(kāi)中使用的“第一”、“第二”以及類(lèi)似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類(lèi)似的詞語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類(lèi)似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。方塊電阻值通常用四探針?lè)▽?shí)現(xiàn)測(cè)量，使用等間距且排成直線(xiàn)的四個(gè)探針進(jìn)行測(cè)試，對(duì)于導(dǎo)電膜層而言，方塊電阻值僅與待測(cè)試導(dǎo)電膜層厚度相關(guān)。方塊電阻定義為：R□＝ρ/t，其中，ρ為金屬電阻率，t為所測(cè)薄膜的厚度。方塊電阻的測(cè)試要求為：每個(gè)探針到待測(cè)試導(dǎo)電膜層邊界的距離要遠(yuǎn)大于任意相鄰兩探針之間的間距，例如，每個(gè)探針到待測(cè)試導(dǎo)電膜層邊界的距離至少大于相鄰探針間距的10倍；探針需要等間距放置。采用等間距且成直線(xiàn)放置的四探針測(cè)試方塊電阻時(shí)，方塊電阻值可用以下公式計(jì)算：其中，如圖1所示，探針1、探針2、探針3和探針4依次設(shè)置在導(dǎo)電測(cè)試膜層上，Sprobe為探針間距，U23為探針2與探針3之間的電壓差，I14為探針1與探針4之間的電流。在常規(guī)的陣列基板工藝中，需要形成例如金屬膜層或透明導(dǎo)電膜層，以形成柵線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)、像素電極等電路結(jié)構(gòu)。為了檢測(cè)這些導(dǎo)電膜層的成膜質(zhì)量，通常可以測(cè)量這些導(dǎo)電膜層的方塊電阻。方塊電阻是在待測(cè)試導(dǎo)電膜層形成之后且在刻蝕作業(yè)之前進(jìn)行的測(cè)試，探針?lè)胖糜诖涛g區(qū)域進(jìn)行測(cè)試以避免對(duì)膜層帶來(lái)?yè)p壞。本公開(kāi)的專(zhuān)利技術(shù)人注意到，當(dāng)探針長(zhǎng)時(shí)間使用后，探針會(huì)發(fā)生諸如彎曲、偏移等磨損，從而導(dǎo)致探針的間距發(fā)生變化，進(jìn)而導(dǎo)致測(cè)量誤差，使得使用上述公式(1)計(jì)算電阻時(shí)不準(zhǔn)確，測(cè)試精度下降，因而可能需要頻繁地更換探針。例如，圖2為探針變形后的示意圖。如圖2所示，探針發(fā)生了彎曲變形，導(dǎo)致探針之間的間距發(fā)生了變化，當(dāng)使用方塊電阻公式(1)計(jì)算方塊電阻值時(shí)會(huì)發(fā)生誤差。并且，專(zhuān)利技術(shù)人還發(fā)現(xiàn)，可以在各膜層完本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括：待測(cè)試導(dǎo)電膜層；多條測(cè)試引出線(xiàn)，與所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層位于不同層且分別與所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層電連接；多個(gè)測(cè)試端子，多個(gè)所述測(cè)試端子分別與所述多條測(cè)試引出線(xiàn)電連接。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括：待測(cè)試導(dǎo)電膜層；多條測(cè)試引出線(xiàn)，與所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層位于不同層且分別與所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層電連接；多個(gè)測(cè)試端子，多個(gè)所述測(cè)試端子分別與所述多條測(cè)試引出線(xiàn)電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)試引出線(xiàn)的一端連接所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層，另一端連接所述測(cè)試端子。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)試引出線(xiàn)與所述測(cè)試端子一體成形。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)試引出線(xiàn)設(shè)置在所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層的上方或下方。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括設(shè)置在所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層一側(cè)的絕緣層，所述絕緣層形成了多個(gè)第一過(guò)孔，所述多條測(cè)試引出線(xiàn)通過(guò)相應(yīng)的所述多個(gè)第一過(guò)孔與所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層電連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一過(guò)孔設(shè)置在所述待測(cè)試導(dǎo)電膜層的中間區(qū)域。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，任意相鄰兩個(gè)所述第一過(guò)孔之間的距離相等。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一過(guò)孔呈直線(xiàn)排列。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的膜層測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一過(guò)孔的個(gè)數(shù)為4個(gè)，且4個(gè)所述第一過(guò)孔排列成等邊四邊形。10...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張淼，孫靜，傅武霞，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：合肥鑫晟光電科技有限公司，京東方科技集團(tuán)股份有限公司，
類(lèi)型：新型
國(guó)別省市：安徽;34