一種孔洞電極的發(fā)光二極管制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種孔洞電極的發(fā)光二極管，包括：襯底、氮化鎵基、多個(gè)電極孔洞、電流擴(kuò)展層、絕緣層和電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極孔洞數(shù)量大于3，且所述電極孔洞對應(yīng)的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接，將連續(xù)的finger線變成不連續(xù)的電極孔洞，化線為點(diǎn)，大大減少有源層的刻蝕面積，從而提高發(fā)光效率。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及發(fā)光二極管
，尤其涉及一種孔洞電極的發(fā)光二極管。
技術(shù)介紹
發(fā)光二極管（Light-EmittingDiode，LED）具有高亮度、低能耗、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，發(fā)光二極管作為新型高效的固體光源，在室內(nèi)照明、景觀照明、顯示屏、信號指示等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。目前，發(fā)光二極管的N型電極和P型電極的結(jié)構(gòu)都為圓環(huán)電極加電流擴(kuò)展線（finger）（如圖1a和1b所示），這樣的結(jié)構(gòu)使電流分布均勻，從而起到電流擴(kuò)展作用。但是，電極finger線的制備需要蝕刻部分有源層，減少發(fā)光面積，導(dǎo)致發(fā)光二極管亮度降低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
有鑒于此，本專利技術(shù)提供一種孔洞電極的發(fā)光二極管，以解決現(xiàn)有技術(shù)中finger線使亮度降低的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案：一種孔洞電極的發(fā)光二極管，包括：襯底；氮化鎵基，所述氮化鎵基位于所述襯底表面包括：位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側(cè)的有源層，位于所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)的P型氮化鎵層；多個(gè)電極孔洞，所述電極孔洞位于所述氮化鎵基內(nèi)，完全貫穿所述P型氮化鎵層和所述有源層，延伸至所述N型氮化鎵層表面；電流擴(kuò)散層，所述電流擴(kuò)散層位于所述P型氮化鎵層背離所述有源層一側(cè)表面；絕緣層，所述絕緣層位于所述電極孔洞側(cè)壁，且覆蓋相鄰電極孔洞之間電流擴(kuò)散層表面；電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)包括：位于所述絕緣層表面且完全填充所述電極孔洞的N型電極，和位于未覆蓋有所述絕緣層的電流擴(kuò)展層表面的P型電極；其特征在于，所述電極孔洞數(shù)量大于3，且所述電極孔洞對應(yīng)的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接。優(yōu)選的，所述電極孔洞為等大或不等大。優(yōu)選的，所述電極孔洞呈對稱排列。優(yōu)選的，所述電極孔洞可以為圓形、橢圓形、方形、三角形或菱形。優(yōu)選的，所述導(dǎo)電性連接為Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、Ni、Ti中的一種或幾種合金的線性連接。優(yōu)選的，所述P型電極和N型電極的材料為Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、Ni、Ti中的一種或幾種合金，其厚度范圍為2-4um。優(yōu)選的，所述線性連接為串聯(lián)連接。優(yōu)選的，還包括：位于所述P型氮化鎵層和電流擴(kuò)展層之間的電流阻擋層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：本專利技術(shù)提供的一種孔洞電極的發(fā)光二極管，包括3個(gè)以上的電極孔洞，且所述電極孔洞對應(yīng)的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接，使發(fā)光二極管的電流分布更均勻。此外，與傳統(tǒng)的由圓形電極連接finger線組成的N型電極相比，本專利技術(shù)通過形成3個(gè)以上電極孔洞，且所述電極孔洞的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接，將連續(xù)的finger線變成不連續(xù)的電極孔洞，化線為點(diǎn)，大大減少有源層的刻蝕面積，從而提高發(fā)光效率。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術(shù)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖做簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1a為現(xiàn)有技術(shù)中具有圓環(huán)電極加電流擴(kuò)展線（finger）電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1b為現(xiàn)有技術(shù)中具有圓環(huán)電極加電流擴(kuò)展線（finger）電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的電極俯視圖；圖2a為本專利技術(shù)一種具體實(shí)施方式所提供的具有通孔電極的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b為本專利技術(shù)一種具體實(shí)施方式所提供的具有通孔電極的發(fā)光二極管的電極俯視圖；圖3為本專利技術(shù)另一種具體實(shí)施方式所提供的具有通孔電極的發(fā)光二極管的電極俯視圖。具體實(shí)施方式正如
技術(shù)介紹
部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中的N型電極和P型電極的結(jié)構(gòu)都為圓環(huán)電極加電流擴(kuò)展線（finger），這樣的結(jié)構(gòu)會減少發(fā)光面積，降低發(fā)光二極管亮度。專利技術(shù)人研究發(fā)現(xiàn)，這是因?yàn)楝F(xiàn)有技術(shù)中在制作finger線的時(shí)候，需要刻蝕部分的有源層和P型氮化鎵層，不僅減小了有源層的面積和P型氮化鎵層的面積，同時(shí)降低了P型氮化鎵層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，從而降低發(fā)光二極管的亮度。基于上述研究的基礎(chǔ)上，本專利技術(shù)實(shí)施例提供了一種孔洞電極的發(fā)光二極管，包括：襯底；氮化鎵基，所述氮化鎵基位于所述襯底表面包括：位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側(cè)的有源層，位于所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)的P型氮化鎵層；多個(gè)電極孔洞，所述電極孔洞位于所述氮化鎵基內(nèi)，完全貫穿所述P型氮化鎵層和所述有源層，延伸至所述N型氮化鎵層表面；電流擴(kuò)散層，所述電流擴(kuò)散層位于所述P型氮化鎵層背離所述有源層一側(cè)表面；絕緣層，所述絕緣層位于所述電極孔洞側(cè)壁，且覆蓋相鄰電極孔洞之間電流擴(kuò)散層表面；電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)包括：位于所述絕緣層表面且完全填充所述電極孔洞的N型電極，和位于未覆蓋有所述絕緣層的電流擴(kuò)展層表面的P型電極；其特征在于，所述電極孔洞數(shù)量大于3，且所述電極孔洞對應(yīng)的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：本專利技術(shù)提供的一種孔洞電極的發(fā)光二極管，包括3個(gè)以上的電極孔洞，且所述電極孔洞的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接，使發(fā)光二極管的電流分布更均勻。此外，與傳統(tǒng)的由圓形電極連接finger線組成的N型電極相比，本專利技術(shù)通過形成多個(gè)電極孔洞，且所述電極孔洞的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接，將連續(xù)的finger線變成不連續(xù)的電極孔洞，化線為點(diǎn)，大大減少有源層的刻蝕面積，從而提高發(fā)光效率。為了使本專利技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本專利技術(shù)的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本專利技術(shù)。但是本專利技術(shù)能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本專利技術(shù)內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本專利技術(shù)不受下面公開的具體實(shí)施方式的限制。結(jié)合圖2a和圖2b來說明本專利技術(shù)一種具體實(shí)施方式的具有通孔電極的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)。圖2a為本專利技術(shù)一種具體實(shí)施方式所提供的具有通孔電極的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2b為本專利技術(shù)一種具體實(shí)施方式所提供的具有通孔電極的發(fā)光二極管的電極俯視圖。在本專利技術(shù)的一種具體實(shí)施方式中，本專利技術(shù)所提供的具一種孔洞電極的發(fā)光二極管，包括：襯底100；氮化鎵基，所述氮化鎵基位于所述襯底100表面包括：位于所述襯底表面的N型氮化鎵層201，位于所述N型氮化鎵層201背離所述襯底100一側(cè)的有源層202，位于所述有源層202背離所述N型氮化鎵層201一側(cè)的P型氮化鎵層203；3個(gè)以上電極孔洞300，所述電極孔洞300位于所述氮化鎵基內(nèi)，完全貫穿所述P型氮化鎵層203和所述有源層202，延伸至所述N型氮化鎵層201表面；電流擴(kuò)散層400，所述電流擴(kuò)散層400位于所述P型氮化鎵層203背離所述有源層202一側(cè)表面；絕緣層500，所述絕緣層500位本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種孔洞電極的發(fā)光二極管，包括：襯底；氮化鎵基，所述氮化鎵基位于所述襯底表面包括：位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側(cè)的有源層，位于所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)的P型氮化鎵層；?多個(gè)電極孔洞，所述電極孔洞位于所述氮化鎵基內(nèi)，完全貫穿所述P型氮化鎵層和所述有源層，延伸至所述N型氮化鎵層表面；電流擴(kuò)散層，所述電流擴(kuò)散層位于所述P型氮化鎵層背離所述有源層一側(cè)表面；絕緣層，所述絕緣層位于所述電極孔洞側(cè)壁，且覆蓋相鄰電極孔洞之間電流擴(kuò)散層表面；電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)包括：位于所述絕緣層表面且完全填充所述電極孔洞的N型電極，和位于未覆蓋有所述絕緣層的電流擴(kuò)展層表面的P型電極；其特征在于，所述電極孔洞數(shù)量大于3，且所述電極孔洞對應(yīng)的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種孔洞電極的發(fā)光二極管，包括：
襯底；
氮化鎵基，所述氮化鎵基位于所述襯底表面包括：位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側(cè)的有源層，位于所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)的P型氮化鎵層；
多個(gè)電極孔洞，所述電極孔洞位于所述氮化鎵基內(nèi)，完全貫穿所述P型氮化鎵層和所述有源層，延伸至所述N型氮化鎵層表面；
電流擴(kuò)散層，所述電流擴(kuò)散層位于所述P型氮化鎵層背離所述有源層一側(cè)表面；
絕緣層，所述絕緣層位于所述電極孔洞側(cè)壁，且覆蓋相鄰電極孔洞之間電流擴(kuò)散層表面；
電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)包括：位于所述絕緣層表面且完全填充所述電極孔洞的N型電極，和位于未覆蓋有所述絕緣層的電流擴(kuò)展層表面的P型電極；
其特征在于，所述電極孔洞數(shù)量大于3，且所述電極孔洞對應(yīng)的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蔡鵬，何鍵云，
申請(專利權(quán))人：佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東;44