用于控制氣流模式的處理腔室設備、系統及方法技術方案

處理腔室氣流控制設備可包含處理腔室或被包含于處理腔室，所述處理腔室經配置以在處理腔室中處理基板。所述氣流控制設備可包含閥，所述閥經配置以密封所述處理腔室中的排氣口。所述閥可在X、Y及Z方向上相對于所述排氣口為可移動的，以調整所述處理腔室內的氣流模式(包含，例如，流動速率和/或流動均勻性)。調整處理腔室內處理氣體流動的方法也被提供，如同其它方面。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】相關申請此申請請求以下優先權：美國專利申請第14/091,111號，于2013年11月26日申請，且名稱為“PROCESSCHAMBERAPPARATUS,SYSTEMS,ANDMETHODSFORCONTROLLINGAGASFLOWPATTERN”(事務所文件編號21363/USA)；所述美國申請在此為所有目的通過引用結合在此。
本專利技術一般地涉及電子裝置制造，且更具體地涉及用于在處理腔室中控制處理氣體流動的閥設備、系統及方法。
技術介紹
常規電子裝置制造系統可包含一個或多個處理腔室，所述處理腔室經配置以執行任何數量的基板處理，所述基板處理包含例如脫氣、預清潔或清潔、沉積(例如化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)，和/或原子層沉積)、涂層、氧化、硝化、蝕刻(例如，等離子體蝕刻)及類似處理?；蹇蔀榘雽w晶片、玻璃板或面板，和/或其它用來制作電子裝置或電路部件的工件?；蹇赏ㄟ^狹縫閥轉移進和轉移出處理腔室。一旦基板正確地定位于處理腔室內，所述狹縫閥可被關閉，且所述基板的所述處理可以開始。作為所述處理的一部分，特定的處理氣體被引入至所述處理腔室中。在某些狀況下，在所述處理腔室中的所述氣流可能不均勻，這可能導致所不期望的非均勻處理(例如，非均勻蝕刻、沉積，和/或類似處理)。在處理腔室中控制氣流的各種方法是已知的，例如使用多個入流導管及閥。然而，這樣的氣流控制系統傾向于復雜且昂貴，并且仍無法充分解決不均勻的氣流。因此，用于調整處理腔室中的氣流模式(例如，氣流速率與均勻性)的改善設備、系統及方法是所期望的。
技術實現思路
依據第一方面，處理腔室氣流控制設備被提供。所述處理腔室氣流控制設備包括：處理腔室，所述處理腔室經配置以在處理腔室中處理基板，所述處理腔室具有排氣口；以及閥，所述閥經配置以密封所述排氣口且經配置以相對于所述排氣口在X、Y及Z方向上移動，以調整在所述處理腔室內的氣流模式。依據第二方面，電子裝置制造系統被提供。所述電子裝置制造系統包括：處理腔室，所述處理腔室經配置以在處理腔室中處理基板，所述處理腔室具有排氣口；處理氣體入口，所述處理氣體入口耦接至所述處理腔室且經配置以引導處理氣體進入所述處理腔室；以及閥，所述閥經配置以密封所述排氣口且經配置以相對于所述排氣口在X、Y及Z方向上移動，以調整在所述處理腔室內的氣流模式。依據第三方面，調整處理腔室內處理氣體流動的方法被提供。所述方法包括：提供具有排氣口的處理腔室；提供閥，所述閥經配置以密封所述排氣口且經配置以相對于所述排氣口在X、Y及Z方向上移動；以及通過在所述X、Y及Z方向中的一個或多個方向上移動所述閥而調整在所述處理腔室中的氣流模式。還有本專利技術的具體實施方式的其它方面、特征及優點將從以下詳細描述中顯而易見，其中多個示例性具體實施方式及實作被描述和示出，包含實現本專利技術所設想的最佳模式。本專利技術也可包含其它且不同的具體實施方式，且本專利技術的多個細節可在均不背離本發明的范圍下于各種方面中進行改良。因此，所述附圖及描述實質上應被視為示例性的而非限制性的。本專利技術涵蓋所有落入本專利技術范圍內的改良、等效形式及替代形式。附圖說明以下描述的所述附圖僅用于示例性的目的且不必需按比例繪制。所述附圖并不旨在以任何方式限制本公開內容的所述范圍。圖1依據具體實施方式，示出了電子裝置制造系統的截面側視圖，所述電子裝置制造系統包含具有閥的處理腔室氣流控制設備，所述閥經配置以在所述X、Y及Z方向上移動。圖2A至2B依據具體實施方式，示出了第一處理腔室氣流控制設備的簡化透視圖。圖2C至2E依據具體實施方式，示出了第一處理腔室氣流控制設備的簡化頂部、截面側邊，及分解透視圖。圖3A至3C依據具體實施方式，示出了第二處理腔室氣流控制設備的簡化透視頂部，及截面側邊視圖。圖4A至4D依據具體實施方式，示出了第三處理腔室氣流控制設備的簡化透視頂部、截面側邊，及側視示意圖。圖5A至5D依據具體實施方式，示出了排氣口閥在所述X和/或Y方向上的示例性移動的簡化頂視圖。圖5E至5F依據具體實施方式，示出了排氣口閥在所述Z和X方向上的示例性移動的簡化截面側視圖。圖6依據具體實施方式，示出了調整在處理腔室內的處理氣體流動的方法的流程圖。具體實施方式現將參照本公開內容的示例性具體實施方式進行詳細介紹，所述具體實施方式在所述附圖中示出。只要有可能，相同參考數字將在整個所述附圖中被用以指代相同或類似的部件。電子裝置制造系統可使用處理腔室內的壓力控制以控制處理速率或其它處理參數。已知的處理腔室氣流控制設備通常包含處理氣體入口，通過所述處理氣體入口，處理氣體可供應至所述腔室。所述處理氣體入口可位于所述處理腔室的頂部。氣體排氣口通常位于所述處理腔室的側邊上，與所述處理氣體入口相對，例如，舉例而言，在所述處理腔室的底部。合適的泵，例如渦輪泵，可位于鄰近所述排氣口或位于所述排氣口下方。已知的處理腔室氣流控制設備通常包含排氣口閥，所述排氣口閥可通過朝向及遠離所述口線性移動(例如，對于底部排氣口，在此定義為所述Z方向的上和下)而密封和開啟所述排氣口。所述排氣口閥在所述Z方向上的定位調整可被用以調節腔室壓力和/或控制所述整體氣流速率。然而，這樣的處理腔室氣流控制設備可能經受所不期望的在所述處理腔室內的不均勻氣流模式。這些不均勻氣流模式可能造成不均勻的處理或其它問題，例如不均勻沉積、不均勻蝕刻，以及類似問題。依據一個或多個具體實施方式的處理腔室氣流控制設備可被提供，以改善處理腔室內的氣流模式的控制。這樣的處理腔室氣流控制設備可包含排氣口閥，所述排氣口閥經配置以密封所述處理腔室的排氣口并相對于所述排氣口而在所述X、Y及Z方向上移動。所述排氣口閥在所述X、Y及Z方向上的移動可產生在所述閥與所述排氣口之間的用以調整所述處理腔室內的氣流模式的各種尺寸及位置的開口。換句話說，通過利用在所述X、Y及Z方向中的一個或多個方向上的所述閥的選擇性移動改變排氣口開口的所述尺寸及位置，所述處理腔室內的所述氣流模式可如所期望地變換和/或調整。所述X及Y方向被定義為在平行于所述排氣口的平面中，而所述Z方向被定義為垂直于所述排氣口，正如將在附圖中示出的以及在以下更詳細地解釋的。在一個方面中，用于處理腔室氣流控制的設備可包含多個致動器、耦接至所述多個致動器的支撐臂組件、以及耦接至所述多個致動器之一和排氣口閥的滑動構件，且所述滑動構件經配置以調整所述排氣口的中心與轉動軸之間的本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種處理腔室氣流控制設備，包括：處理腔室，所述處理腔室經配置以在處理腔室中處理基板，所述處理腔室具有排氣口；及閥，所述閥經配置以密封所述排氣口且經配置以在X、Y及Z方向上相對于所述排氣口移動，以調整所述處理腔室內的氣流模式。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2013.11.26 US 14/091,1111.一種處理腔室氣流控制設備，包括：
處理腔室，所述處理腔室經配置以在處理腔室中處理基板，所述處理腔室具有排氣口；
及
閥，所述閥經配置以密封所述排氣口且經配置以在X、Y及Z方向上相對于所述排氣口移
動，以調整所述處理腔室內的氣流模式。
2.如權利要求1所述的處理腔室氣流控制設備，進一步包括多個致動器，所述致動器耦
接至所述閥且經配置以在所述X、Y及Z方向上移動所述閥。
3.如權利要求2所述的處理腔室氣流控制設備，其中所述多個致動器包含至少一個旋
轉致動器，所述旋轉致動器經配置以在所述X及Y方向上移動所述閥；或者所述多個致動器
包含至少一個線性致動器，所述線性致動器經配置以在所述Z方向上移動所述閥。
4.如權利要求1所述的處理腔室氣流控制設備，進一步包括：
多個致動器，所述多個致動器經配置以在所述X、Y及Z方向上移動所述閥；
支撐臂組件，所述支撐臂組件耦接至所述多個致動器；及
滑動構件，所述滑動構件耦接至所述多個致動器的中一個并且耦接至所述閥，且所述
滑動構件經配置以調整介于所述排氣口的中心與旋轉軸之間的偏移。
5.如權利要求1所述的處理腔室氣流控制設備，進一步包括：
多個線性致動器，所述線性致動器經配置以在所述Z方向上移動所述閥；
旋轉致動器，所述旋轉致動器經配置以在所述X及Y方向上移動所述閥；及
多個可旋轉關節臂，每個所述可旋轉關節臂耦接至所述閥和所述多個線性致動器中相
應的一個，其中所述多個可旋轉關節臂中的一個被耦接至所述旋轉致動器。
6.如權利要求1所述的處理腔室氣流控制設備，進一步包括致動器及臂，所述臂具有第
一端及第二端，所述第一端在從所述閥的所述中心偏移的位置可旋轉地耦接至所述閥，所
述第二端可旋轉地耦接至所述致動器，其中所述臂經配置以通過在所述第二端的連接器在
所述Z方向上移動。
7.一種電子裝置制造系統，所述電子裝置制造系統包括：
處理腔室，所述處理腔室經配置以在處理腔室中處理基板，所述處理腔室具有排氣口；
處理氣體入口，所述處理氣體入口耦接至所述處理腔室且經配置以引導處理氣體進入
所述處理腔室中；及
閥，所述閥經配置以密封所述排氣口且經配置以在X、Y及Z方向上相對于...

【專利技術屬性】
技術研發人員：尼爾·瑪利，昌達瑞坎特·M·沙普卡里，伊賈·克雷默曼，杰弗里·C·赫金斯，
申請(專利權)人：應用材料公司，
類型：發明
國別省市：美國;US