一種報春石斛水培培養基及培養方法技術

本發明專利技術涉及一種報春石斛水培培養基及培養方法。所述報春石斛水培培養基，以1/2Hoagland培養基為基礎培養基，用鹽酸/氫氧化鈉調pH至5.8～6.0，再添加1～2mg/L的氯霉素、10～20g/L的麥飯石而成。本發明專利技術基礎培養基為水培報春石斛提供生長所需的各種營養元素，低密度海綿和雪佛板為其提供了固定根部的作用，可完全取代土壤滿足報春石斛在自然條件下生長所需的各種條件，非常適宜報春石斛的水培，且配制簡單，為報春石斛無土栽培的工業化生產提供了基礎。

A kind of Dendrobium primulinum hydroponic culture medium and culture method

The invention relates to a Dendrobium primulinum hydroponic culture medium and culture method. The Dendrobium primulinum hydroponic culture medium as basic medium with hydrochloric acid / sodium hydroxide 1/2Hoagland, adjusting pH to 5.8 ~ 6, adding 1 ~ 2mg/L, 10 ~ 20g/L of chloramphenicol and Maifan stone. The invention provides a basic medium of various nutrients needed for growth of hydroponic culture of Dendrobium primulinum, low density foam and Chevron board provides a fixed role as its root, can completely replace the soil to meet the growth of Dendrobium primulinum for various conditions under natural conditions, very suitable for daily Dendrobium hydroponics, and has the advantages of simple preparation, provide the basis for industrialized production of Dendrobium primulinum soilless culture.

【技術實現步驟摘要】
一種報春石斛水培培養基及培養方法(一)
本專利技術涉及一種報春石斛水培培養基及培養方法。(二)
技術介紹
報春石斛為蘭科石斛屬多年生草本植物，花多而鮮艷，具有極高的觀賞價值，多附生于海拔700～1800m的山地疏林中樹干上，我國云南的東南部至西南部是其主要分布中心。目前有關金釵石斛和鐵皮石斛等藥用石斛的研究頗為廣泛，但觀賞性石斛如報春石斛和兜唇石斛的報道相對較少。近年來，石斛因廣大消費者的保健需求而走進千家萬戶，消費市場的需求大增，兼有藥用價值和觀賞價值的石斛盆景也應運而生，但盆栽石斛大多采用樹皮基質，上層疏松易失水，下層卻容易積水，容易產生爛根和黃葉現象，在室內高溫、干燥的環境條件下不易栽培成活，很多消費者從市場買來的石斛盆景往往不到一年就枯死了，其根本原因就是水分供應條件不易控制，而目前花卉市場又缺乏水培的石斛盆景，據調查，許多花卉市場的經營者也十分看好水培石斛盆景，但由于技術原因，一直沒有試驗成功。(三)
技術實現思路
本專利技術目的是提供一種適宜于報春石斛無土栽培的水培培養基及培養方法，為報春石斛的無土栽培的推廣提供基礎。本專利技術采用的技術方案是：一種報春石斛水培培養基，以1/2Hoagland培養基為基礎培養基，用鹽酸/氫氧化鈉調pH至5.8～6.0，再添加1～2mg/L的氯霉素、10～20g/L的麥飯石而成。Hoagland母液(pH5.8)成分如下：1/2Hoagland培養基即上述Hoagland母液中全部組分原始濃度減半。本專利技術所用氯霉素為委內瑞拉鏈絲菌產生的抗生素，屬抑菌性廣譜抗生素是對青苔和細菌的生長有抑制作用，有凈化水中有害生物生物生長的功能。本專利技術在培養基中添加氯霉素，可以促進報春石斛的健康快速地生長。麥飯石屬于新型無機抗菌劑載體，具有獨特的溶出性和吸附性，在優化水質方面具有很好的功效。優選的，所述培養基以1/2Hoagland培養基為基礎培養基，用鹽酸/氫氧化鈉調pH至5.8，再添加2mg/L的氯霉素、15g/L的麥飯石而成。本專利技術還涉及一種報春石斛的水培培養方法，所述方法包括：以1/2Hoagland培養基為基礎培養基，用鹽酸/氫氧化鈉調pH至5.8～6.0，再添加1～2mg/L的氯霉素、10～20g/L的麥飯石得到水培培養基，用低密度海綿包裹報春石斛根部，將報春石斛固定于打孔的雪佛板孔中，將雪佛板漂浮于水培培養基液面上進行培養，7～10天更換水培培養基。本專利技術采用雪佛板漂浮于營養液上方式進行水培，可使石斛地上部不浸泡于營養液中，以免發生腐爛。優選的，選取6cm～10cm高的土培報春石斛種苗，根部用低密度海綿包裹、固定于雪佛板孔中，將雪佛板漂浮于水培培養基液面上進行培養。具體的，所述報春石斛種苗按如下方法培育獲得：組培報春石斛種苗生長6個月后，煉苗3個月，選取長相一致，且生長健壯的石斛苗作為種苗。本專利技術的有益效果主要體現在：本專利技術基礎培養基為水培報春石斛提供生長所需的各種營養元素，氯霉素可以抑制青苔，有害細菌的生長，麥飯石可以對水質起到凈化的作用，低密度海綿和雪佛板為其提供了固定根部的作用，可完全取代土壤滿足報春石斛在自然條件下生長所需的各種條件，非常適宜報春石斛的水培，且配制簡單，為報春石斛無土栽培的工業化生產提供了基礎。(四)附圖說明圖1左為報春石斛水培四個月的植株，右為報春石斛土培四個月之后的植株。(五)具體實施方式下面結合具體實施例對本專利技術進行進一步描述，但本專利技術的保護范圍并不僅限于此：實施例1：首先按前述組成配制hoagland母液，按表格中各組分的稀釋倍數得到1/2hoagland培養基，pH用鹽酸/氫氧化鈉調至5.8，以此為基礎培養基，添加2.0mg/L的氯霉素、15g/L的麥飯石(粒徑3～5mm)，得到水培營養液。選取生長選取6cm～10cm高的土培報春石斛，根部用低密度海綿包裹固定于雪佛板孔中，雪佛板漂浮于水培營養液中，每隔7-10天更換水培營養液。對照組：將初始狀態基本相同的報春石斛培養于海草中，見干見濕，用1/2hoagland培養基澆灌。兩組報春石斛栽種初期光照控制在1300Lux左右，生長期光照控制在1500Lux左右，光照周期為12h/d，培養4個月后記錄兩組報春石斛的生長情況，結果見圖1和表1：表1：實驗組與對照組培養4個月后生長情況比較組別平均胸徑生長狀況實驗組3.2cm莖較粗，葉短、寬、較肥厚，生長較好。對照組2.4cm莖細，葉長、細、纖細，生長遲緩。表1中，株胸徑(用軟尺測量每處理中每個植株的最粗部分的周長)＝測量植株總胸徑/測量的植株數。圖1左側是用本專利技術所述水培培養基及培養方法得到的報春石斛，右側是用常規海草包裹后種植得到的報春石斛，初始狀態一致，四個月后，可明顯見左圖水培報春石斛枝干粗壯，葉片肥厚，長勢較好。由圖1和表1可見，本專利技術培養基非常適宜報春石斛的水培，能夠很好的促進報春石斛的生長。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種報春石斛水培培養基，以1/2Hoagland培養基為基礎培養基，用鹽酸/氫氧化鈉調pH至5.8～6.0，再添加1～2mg/L的氯霉素、10～20g/L的麥飯石而成。

【技術特征摘要】
1.一種報春石斛水培培養基，以1/2Hoagland培養基為基礎培養基，用鹽酸/氫氧化鈉調pH至5.8～6.0，再添加1～2mg/L的氯霉素、10～20g/L的麥飯石而成。2.如權利要求1所述的水培培養基，其特征在于所述培養基以1/2Hoagland培養基為基礎培養基，用鹽酸/氫氧化鈉調pH至5.8，再添加2mg/L的氯霉素、15g/L的麥飯石而成。3.一種報春石斛的水培培養方法，所述方法包括：以1/2Hoagland培養基為基礎培養基，用鹽酸/氫氧化鈉調pH至5.8～6.0，再添加1～2mg/L...

【專利技術屬性】
技術研發人員：秦玉川，王麗玲，童曉青，王衍彬，劉本同，方茹，黃旭波，錢華，
申請(專利權)人：浙江省林業科學研究院，
類型：發明
國別省市：浙江,33