一種晶圓片的拋光夾具制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)提供了一種晶圓片的拋光夾具，包括呈圓盤狀的盤體，其特征在于，所述盤體邊沿處具有若干均布的齒牙，所述盤體中心具有定位孔，所述盤體上還具有貫穿的且用于放置晶圓片的拋光孔，所述拋光孔的數(shù)量至少為兩個，相鄰兩拋光孔之間的盤體上還具有貫穿的校正孔。本晶圓片的拋光夾具由于在定位孔處安裝有與其相匹配的小型晶圓片，因此，能保證被拋光作業(yè)晶圓片伸出盤體的高度，因此，其拋光質(zhì)量能得到保證。

Polishing fixture for wafer

The utility model provides a wafer polishing clamp, comprising a plate body disc, which is characterized in that the edge of the tray body has some teeth are uniformly distributed, the disk center has a positioning hole, the disk also has used for polishing the wafer placed through the hole and, the number of the polishing hole is at least two, plate between two adjacent polishing hole also has correction through hole. The crystal wafer polishing clamp in the positioning hole is arranged at the small wafer, the matching result, can ensure the wafer polishing operation out of the tray body height, therefore, the polishing quality can be guaranteed.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種晶圓片的拋光夾具
本技術(shù)屬于機(jī)械
，涉及一種晶圓片的加工方法及其該加工方法所使用的拋光夾具。
技術(shù)介紹
在封裝領(lǐng)域，一種叫做晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)的技術(shù)正在徹底改變著整個封裝世界，由于它具有尺寸小、成本低、成效高等特點(diǎn)，現(xiàn)今已有近50％的影像傳感器芯片使用此項(xiàng)技術(shù)，并廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴電子、游戲機(jī)、安防、精準(zhǔn)醫(yī)療等各大電子產(chǎn)品領(lǐng)域。對于打底的晶圓片的需求迅速增加,同時對晶圓片的精度有了更高的要求。傳統(tǒng)的加工方法已經(jīng)不能滿足產(chǎn)量及質(zhì)量的要求.本專利的加工方法,可以使產(chǎn)品精度的達(dá)到國際領(lǐng)先水平,并可穩(wěn)定的量產(chǎn),解決了國內(nèi)對高精度大口徑晶圓片加工的空白。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的第一個目的是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，提供一種加工精度高的晶圓片加工方法及其該加工方法所使用的拋光夾具。本技術(shù)的第一個目的可通過下列技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：一種晶圓片的加工方法，該方法包括以下步驟：A、拋光材料備用：備用拋光作業(yè)時使用的紅皮拋光皮和白皮拋光皮；B、一次拋光：采用紅皮拋光皮配合氧化鈰拋光粉對晶圓片毛坯快速拋光，得到半產(chǎn)品；C、二次拋光：將上述的半成品采用白皮拋光皮配合拋光液對其進(jìn)行拋光；D、參數(shù)調(diào)整：對二次拋光后的晶圓片進(jìn)行檢測、分析，查看晶圓片拋光后的表面光潔度是否達(dá)到要求，如果未達(dá)到要求重新調(diào)整二次拋光的拋光作業(yè)時間。備用好拋光材料后，一次拋光能快速完成拋光作業(yè)但是在晶圓片毛坯上還留有拋光余量。二次拋光的拋光作業(yè)時間稍長，它能提高晶圓片表面的拋光精度和質(zhì)量。由于上述的拋光作業(yè)應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中，因此，通過參數(shù)調(diào)整能及時修正拋光時間以及拋光進(jìn)給量。在上述的晶圓片的加工方法中，所述的紅皮拋光皮為含有氧化鈰的拋光皮。它主要能提高拋光速率。在上述的晶圓片的加工方法中，所述的白皮拋光皮為含有氧化鋯的拋光皮。它主要能提高拋光后晶圓片的光潔度。在上述的晶圓片的加工方法中，所述的紅皮拋光皮和白皮拋光皮的厚度均為2—4毫米。在上述的晶圓片的加工方法中，所述一次拋光的拋光量為0.035～0.045mm。在上述的晶圓片的加工方法中，所述一次拋光的拋光時間為120—150分鐘。在上述的晶圓片的加工方法中，所述二次拋光的拋光量為0.005—0.02mm。在上述的晶圓片的加工方法中，所述二次拋光的拋光時間為60—90分鐘。在上述的晶圓片的加工方法中，所述步驟C中的拋光液為氧化鈰拋光液。二次拋光中采用拋光液能明顯提高其拋光質(zhì)量，也就是說，晶圓片表面的光潔度。本技術(shù)的第二個目的是提供上述加工方法中所使用的拋光夾具，本技術(shù)的第二個目的可通過下列技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：一種晶圓片的拋光夾具，包括呈圓盤狀的盤體，其特征在于，所述盤體邊沿處具有若干均布的齒牙，所述盤體中心具有定位孔，所述盤體上還具有貫穿的且用于放置晶圓片的拋光孔，所述拋光孔的數(shù)量至少為兩個，相鄰兩拋光孔之間的盤體上還具有貫穿的校正孔。本拋光夾具安裝在對應(yīng)的機(jī)架上后，定位孔內(nèi)穿設(shè)有定位桿，保證整個盤體能繞定位孔轉(zhuǎn)動。需要拋光作業(yè)的晶圓片放置在拋光孔內(nèi)，盤體轉(zhuǎn)動過程中就能進(jìn)行拋光作業(yè)。在校正孔內(nèi)放置的小型晶圓片用于起到定位的作用，保證被拋光晶圓片伸出盤體的厚度是相同的，最終達(dá)到了控制拋光厚度的目的。在上述的晶圓片的拋光夾具中，所述拋光孔的數(shù)量為三個且周向均布在上述盤體上。該數(shù)量的拋光孔能盡量多的一次性的處理多個晶圓片。在上述的晶圓片的拋光夾具中，上述校正孔位于相鄰兩拋光孔之間。這樣的設(shè)置能使盤體各處的高度均相等。在上述的晶圓片的拋光夾具中，相鄰兩拋光孔之間具有至少三個校正孔且該三個校正孔形成一校正單元。在上述的晶圓片的拋光夾具中，所述校正孔的孔徑為拋光孔孔徑的1/3—1/5。在上述的晶圓片的拋光夾具中，所述每個校正單元與定位孔之間的距離均相等且上述的校正單元均布在盤體上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本晶圓片的加工方法使用的拋光皮是專門定制的3mm拋光皮,拋光效率高。同時，采用兩步拋光的方式,第一步保證加工效率,第二步保證產(chǎn)品精度及表面光潔度，具有很高的實(shí)用價值。另外，通過平面度測量儀(MSP)進(jìn)行測量并進(jìn)行數(shù)據(jù)分析,根據(jù)精確的測量結(jié)果來進(jìn)行工藝參數(shù)調(diào)整,從而得到穩(wěn)定的量產(chǎn)條件。本晶圓片的拋光夾具由于在定位孔處安裝有與其相匹配的小型晶圓片，因此，能保證被拋光作業(yè)晶圓片伸出盤體的高度，因此，其拋光質(zhì)量能得到保證。附圖說明圖1是本晶圓片的拋光夾具的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1、盤體；2、齒牙；3、定位孔；4、拋光孔；5、校正孔。具體實(shí)施方式實(shí)施例一本一種晶圓片的加工方法包括以下步驟：A、拋光材料備用：備用拋光作業(yè)時使用的紅皮拋光皮和白皮拋光皮；B、一次拋光：采用紅皮拋光皮配合氧化鈰拋光粉對晶圓片毛坯快速拋光，得到半產(chǎn)品；C、二次拋光：將上述的半成品采用白皮拋光皮配合拋光液對其進(jìn)行拋光；D、參數(shù)調(diào)整：對二次拋光后的晶圓片進(jìn)行檢測、分析，查看晶圓片拋光后的表面光潔度是否達(dá)到要求，如果未達(dá)到要求重新調(diào)整二次拋光的拋光作業(yè)時間。所述的紅皮拋光皮為含有氧化鈰的拋光皮。主要表現(xiàn)為提高拋光速率所述的白皮拋光皮為含有氧化鋯的拋光皮。主要表現(xiàn)為提高光潔度所述的紅皮拋光皮和白皮拋光皮的厚度均為3毫米。所述一次拋光的拋光量為0.035mm。所述一次拋光的拋光時間為120分鐘。所述二次拋光的拋光量為0.01mm。所述二次拋光的拋光時間為60分鐘。所述步驟C中的拋光液為氧化硅拋光液。根據(jù)實(shí)際情況，所述步驟C中的拋光液為氧化鈰拋光液也是可行的。如圖1所示，本晶圓片的拋光夾具，包括呈圓盤狀的盤體，所述盤體邊沿處具有若干均布的齒牙，所述盤體中心具有定位孔，所述盤體上還具有貫穿的且用于放置晶圓片的拋光孔，所述拋光孔的數(shù)量至少為兩個，相鄰兩拋光孔之間的盤體上還具有貫穿的校正孔。所述拋光孔的數(shù)量為三個且周向均布在上述盤體上。上述校正孔位于相鄰兩拋光孔之間。相鄰兩拋光孔之間具有至少三個校正孔且該三個校正孔形成一校正單元。所述校正孔的孔徑為拋光孔孔徑的1/3。所述每個校正單元與定位孔之間的距離均相等且上述的校正單元均布在盤體上。實(shí)施例二實(shí)施例一本一種晶圓片的加工方法包括以下步驟：A、拋光材料備用：備用拋光作業(yè)時使用的紅皮拋光皮和白皮拋光皮；B、一次拋光：采用紅皮拋光皮配合氧化鈰拋光粉對晶圓片毛坯快速拋光，得到半產(chǎn)品；C、二次拋光：將上述的半成品采用白皮拋光皮配合拋光液對其進(jìn)行拋光；D、參數(shù)調(diào)整：對二次拋光后的晶圓片進(jìn)行檢測、分析，查看晶圓片拋光后的表面光潔度是否達(dá)到要求，如果未達(dá)到要求重新調(diào)整二次拋光的拋光作業(yè)時間。所述的紅皮拋光皮為含有氧化鈰的拋光皮。主要表現(xiàn)為提高拋光速率所述的白皮拋光皮為含有氧化鋯的拋光皮。主要表現(xiàn)為提高光潔度所述的紅皮拋光皮和白皮拋光皮的厚度均為3毫米。所述一次拋光的拋光量為0.045mm所述一次拋光的拋光時間為150分鐘。所述二次拋光的拋光量為0.02mm。所述二次拋光的拋光時間為90分鐘。所述步驟C中的拋光液為氧化硅拋光液，根據(jù)實(shí)際情況，所述步驟C中的拋光液為氧化鈰拋光液也是可行的。如圖1所示，本晶圓片的拋光夾具，包括呈圓盤狀的盤體，所述盤體邊沿處具有若干均布的齒牙，所述盤體中心具有定位孔，所述盤體上還具有貫穿的且用于放置晶圓片的拋光孔，所述拋光孔的數(shù)量至少為兩個，相鄰兩拋光孔之間本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種晶圓片的拋光夾具，包括呈圓盤狀的盤體，其特征在于，所述盤體邊沿處具有若干均布的齒牙，所述盤體中心具有定位孔，所述盤體上還具有貫穿的且用于放置晶圓片的拋光孔，所述拋光孔的數(shù)量至少為兩個，相鄰兩拋光孔之間的盤體上還具有貫穿的校正孔。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種晶圓片的拋光夾具，包括呈圓盤狀的盤體，其特征在于，所述盤體邊沿處具有若干均布的齒牙，所述盤體中心具有定位孔，所述盤體上還具有貫穿的且用于放置晶圓片的拋光孔，所述拋光孔的數(shù)量至少為兩個，相鄰兩拋光孔之間的盤體上還具有貫穿的校正孔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓片的拋光夾具，其特征在于，所述拋光孔的數(shù)量為三個且周向均布在上述盤體上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓片的拋光夾具，其特...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：徐云明，徐明陽，
申請(專利權(quán))人：浙江藍(lán)特光學(xué)股份有限公司，
類型：新型
國別省市：浙江,33