設備前端模塊制造技術

本發明專利技術提供一種EFEM，其具有：晶圓搬運部，其具有向處理室搬運的晶圓通過的晶圓搬運室；裝載端口部，其將形成于收納所述晶圓的容器的主開口與所述晶圓搬運室氣密地連接。所述晶圓搬運部具有：下降氣流形成單元、和以下降氣流的一部分經由所述主開口流入與所述晶圓搬運室連接的所述容器的方式進行導向的整流板。所述裝載端口部具有：底部嘴，其與在所述容器的底面中相較于底面中央距所述主開口更遠的位置形成的底孔可連通；氣體排出流路，其可以經由所述底部嘴將所述容器的內部的氣體排出到所述容器的外部。

Device front end module

The invention provides a EFEM, having a wafer handling department, which has transported to the processing chamber through the wafer wafer handling chamber; loading port, which will be formed in the wafer storage container main opening and the wafer handling chamber is hermetically connected. The wafer handling section has a rectifying plate down flow forming part of a unit, and the following main stream Jiangqi openings into the container is connected with the wafer handling chamber via the way of guidance. The loading port section has a bottom mouth, compared to its formation and in the container in the bottom surface of the bottom surface of the central distance of the main opening further position bottom hole can be connected; gas discharge flow path, it can through the bottom of the mouth of the container inside the gas is discharged to the outside of the container.

【技術實現步驟摘要】
設備前端模塊
本專利技術涉及EFEM，更詳細而言，涉及具有晶圓搬運部和裝載端口部的EFEM，其中所述晶圓搬運部具有晶圓搬運室。
技術介紹
在半導體的制造工序中，使用被稱作前端開口片盒(FOUP)等的容器進行各處理裝置之間的晶圓的搬運。另外，在對晶圓實施處理時，容器內的晶圓經由各處理裝置所具備的EFEM(設備前端模塊、Equipmentfrontendmodule)從前端開口片盒搬運到處理室。在此，為了保護晶圓表面不受氧化或污染影響，優選收納晶圓的容器內的環境保持超過規定狀態的惰性狀態及清潔度。作為提高搬運容器內的氣體的惰性狀態或清潔度的方法，提案有經由形成于搬運容器的底面的底孔向搬運容器導入清潔化氣體的裝載端口裝置及包含該裝置的EFEM(參照專利文獻1)。專利文獻1：(日本)特開2007－5607號公報近年來，半導體電路微細化進展的結果是，為了保護晶圓表面不受氧化或污染影響，對于收納晶圓的容器內的環境也要求更高的清潔度。在進行將晶圓容器的環境保持為清潔的EFEM的開發中，存在從剛剛處理之后的晶圓放出的放氣污染收納于容器的處理前后的晶圓的表面的問題，判斷出其成為妨礙品質提高的一因素。
技術實現思路
本專利技術是鑒于這種狀況而創立的，提供一種將容器內的環境保持為清潔，可以保護晶圓表面不受氧化或污染影響的EFEM。為了實現上述目的，本專利技術提供一種EFEM，其特征在于具有：晶圓搬運部，其具有向處理室搬運的晶圓所通過的晶圓搬運室；裝載端口部，其將形成于收納所述晶圓的容器的主開口與所述晶圓搬運室氣密地連接，所述晶圓搬運部具有：下降氣流形成單元，其在所述晶圓搬運室形成下降氣流；整流板，其設于所述晶圓搬運室，以所述下降氣流的一部分經由所述主開口流入與所述晶圓搬運室連接的所述容器的方式進行導向，所述裝載端口部具有：載置臺，其載置所述容器；底部嘴，其與在所述容器的底面中相較于底面中央距所述主開口更遠的位置形成的底孔可連通；氣體排出流路，其可以經由所述底部嘴將所述容器的內部的氣體排出到所述容器的外部。本專利技術的EFEM由于晶圓搬運室內的下降氣流的一部分通過整流板流入容器內，進而將容器內的氣體經由底部嘴連接的底孔排出，因此，能夠在容器內形成氣流，將從剛剛處理之后的晶圓放出的放氣有效地排出到容器的外部。因此，這樣的EFEM能夠將容器內的環境保持為清潔，保護晶圓表面不受氧化或污染影響。另外，也可以是，所述裝載端口部具有強制排出單元，其設于所述氣體排出流路，強制排出所述容器的內部的氣體。由于裝載端口部具有強制排出單元，從而能夠將從晶圓放出的放氣更高效地排出到容器的外部。另外，例如，也可以是，所述晶圓搬運部具有：用于使所述晶圓搬運室內的氣體在所述晶圓搬運室迂回而上升并再次形成所述下降氣流的循環流路；將在所述晶圓搬運室和所述循環流路循環的氣體清潔化的循環氣體清潔化單元。由于晶圓搬運部具有循環流路及循環氣體清潔化單元，從而這樣的EFEM能夠提高晶圓搬運室內的清潔度，另外，通過使氣體循環，能夠抑制清潔化氣體等的消耗。另外，EFEM的氣體由于通過整流板流入容器內，所以這樣的EFEM也能夠同時提高容器內的清潔度。另外，例如，也可以是，本專利技術的EFEM還具有氣體放出單元，其設于所述晶圓搬運室，從所述晶圓搬運室向所述主開口放出氣體。具有這種氣體放出單元的EFEM通過將清潔化氣體等朝向容器的主開口放出，能夠進一步提高容器的清潔度。另外，例如，也可以是，所述氣體排出流路與所述晶圓搬運室連接。通過氣體排出流路與晶圓搬運室連接，能夠使晶圓搬運室及與其連接的容器內的氣體在EFEM整體中循環等。另外，通過使裝載端口部和晶圓搬運室的氣體清潔化單元通用，可以簡化裝置的結構。另外，例如，也可以是，所述裝載端口部具備排出氣體清潔化單元，其將在所述氣體排出流路流動的氣體清潔化。排出氣體清潔化單元通過除去從處理后的晶圓產生的放氣等中所含的污染物質，可以將從容器排出的氣體在裝載端口部內清潔化。因此，這樣的EFEM能夠防止從容器排出的氣體中所含的污染物質移動到晶圓搬運室等裝載端口部外。另外，例如，也可以是，所述晶圓搬運部具有用于使所述晶圓搬運室內的氣體在所述晶圓搬運室迂回而上升并再次形成所述下降氣流的循環流路，所述氣體排出流路與所述循環流路連接。在這種EFEM中，由于從容器排出的氣體經由循環流路返回晶圓搬運室，所以能夠防止從容器排出的氣體中所含的污染物質直接流入晶圓搬運室內，能夠使晶圓搬運室及與其連接的容器內的氣體在EFEM整體中循環。另外，例如，也可以是，本專利技術的EFEM還具備容器內嘴，其直立于所述容器內部，內部形成有經由所述底孔與所述底部嘴連通的容器內流路，且在上下方向上斷續或連續地形成有與所述容器內流路連通的流路開口。另外，例如，也可以是，所述容器內嘴具有多個由在上下方向上斷續或連續地形成的所述流路開口構成的開口列。由于具有容器內嘴，從而這樣的EFEM能夠將從晶圓放出的放氣更有效地排出到容器的外部。另外，由于具有多個開口列，從而可以在容器內整體中形成更高效地排出放氣的氣流。附圖說明圖1是本專利技術一實施方式的EFEM的概略圖；圖2是表示圖1所示的EFEM中的載置臺附近的主要部分立體圖；圖3是表示關閉了容器的主開口的狀態下的門附近的EFEM的狀態的概念圖；圖4是表示開放了容器的主開口的狀態下的門附近的EFEM的狀態的概念圖；圖5是表示圖1所示的EFEM中的容器內的清潔化方法的流程圖；圖6是本專利技術第二實施方式的EFEM的概略圖；圖7是本專利技術第三實施方式的EFEM的概略圖；圖8是本專利技術第四實施方式的EFEM的概略圖；圖9是本專利技術第五實施方式的EFEM的概略圖；圖10是本專利技術第六實施方式的EFEM的概略圖；圖11是本專利技術第七實施方式的EFEM的概略圖；圖12是圖11所示的排出嘴的概略立體圖。符號說明1…晶圓2…前端開口片盒2f…底面4…蓋5…第一底孔6…第二底孔10、100…裝載端口部11…壁部件14…載置臺17…前部氣體導入部17a…放出嘴18…開閉部18a…門20…氣體排出部21…第一底部嘴22…第一配管部24…強制排出單元30…底部氣體導入部31…第二底部嘴32…第二配管部55…整流板50、150…EFEM51、151…晶圓搬運部52、152…晶圓搬運室57…循環流路59…搬運室風扇80…下降氣流C…底面中央具體實施方式以下，基于附圖所示的實施方式說明本專利技術。如圖1所示，本專利技術一實施方式的EFEM50是半導體處理裝置的前端模塊，具有裝載端口部10和晶圓搬運部51。EFEM50的晶圓搬運室52是將搬運晶圓1的作為容器的前端開口片盒(FOUP)2和處理室(未圖示)連結的空間，配置于晶圓搬運室52內的搬運機器人54將前端開口片盒2內的晶圓1搬運到處理室。因此，在處理室內進行規定的處理的晶圓1從前端開口片盒2內通過晶圓搬運室52搬運到處理室。晶圓搬運部51除晶圓1通過的晶圓搬運室52之外，還具有在晶圓搬運室形成下降氣流80的作為下降氣流形成單元的搬運室風扇59、和用于使晶圓搬運室52內的氣體在晶圓搬運室52迂回而上升并再次形成下降氣流80的循環流路57。另外，晶圓搬運部51具有后述的搬運室過濾器58和整流板55。搬運室風扇59設于晶圓搬運室52的上方，在晶圓搬運室52及循環流路57本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種EFEM，其特征在于，具有：晶圓搬運部，其具有向處理室搬運的晶圓所通過的晶圓搬運室；裝載端口部，其將形成于收納所述晶圓的容器的主開口與所述晶圓搬運室氣密地連接，所述晶圓搬運部具有：下降氣流形成單元，其在所述晶圓搬運室形成下降氣流；整流板，其設于所述晶圓搬運室，以所述下降氣流的一部分經由所述主開口流入與所述晶圓搬運室連接的所述容器的方式進行導向，所述裝載端口部具有：載置臺，其載置所述容器；底部嘴，其與在所述容器的底面中相較于底面中央距所述主開口更遠的位置形成的底孔能夠連通；氣體排出流路，其能夠經由所述底部嘴將所述容器的內部的氣體排出到所述容器的外部。

【技術特征摘要】
2015.12.11 JP 2015-2420361.一種EFEM，其特征在于，具有：晶圓搬運部，其具有向處理室搬運的晶圓所通過的晶圓搬運室；裝載端口部，其將形成于收納所述晶圓的容器的主開口與所述晶圓搬運室氣密地連接，所述晶圓搬運部具有：下降氣流形成單元，其在所述晶圓搬運室形成下降氣流；整流板，其設于所述晶圓搬運室，以所述下降氣流的一部分經由所述主開口流入與所述晶圓搬運室連接的所述容器的方式進行導向，所述裝載端口部具有：載置臺，其載置所述容器；底部嘴，其與在所述容器的底面中相較于底面中央距所述主開口更遠的位置形成的底孔能夠連通；氣體排出流路，其能夠經由所述底部嘴將所述容器的內部的氣體排出到所述容器的外部。2.根據權利要求1所述的EFEM，其特征在于，所述裝載端口部具有強制排出單元，其設于所述氣體排出流路，強制性地排出所述容器的內部的氣體。3.根據權利要求1或2所述的EFEM，其特征在于，所述晶圓搬運部具有：用于使所述晶圓搬運室內的氣體在所述晶圓搬運室迂回而上升并再次形成所述下降氣流的循環流路；將在所述晶圓搬運室和所述循環流路循環的氣體清潔化的循環...

【專利技術屬性】
技術研發人員：岡部勉，堀部秀敏，
申請(專利權)人：TDK株式會社，
類型：發明
國別省市：日本,JP