一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域，可確保第一漏極接觸孔與觸控信號線接觸孔不連通，且不影響觸控電極和觸控信號線的搭接。該方法包括：在襯底基板上形成金屬層，所述金屬層包括漏極和觸控信號線；形成第一鈍化層和平坦層，所述第一鈍化層和所述平坦層上具有第一漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔，以分別露出漏極和觸控信號線；其中，所述第一鈍化層靠近所述金屬層，且所述第一鈍化層通過干刻工藝形成；形成觸控電極，所述觸控電極穿過所述第一鈍化層和所述平坦層上的所述觸控信號線接觸孔與所述觸控信號線相連接。用于制備陣列基板。

Array substrate, preparation method thereof and display device

The embodiment of the invention provides an array substrate and a preparation method thereof, display device, relates to the technical field of display, can ensure that the first drain contact hole and the touch signal line contact hole is overlapped and does not affect the touch electrode and the touch control signal line. The method includes forming a metal layer on a substrate, the metal layer includes a drain and a touch control signal line; forming a first passivation layer and a flat layer, the first passivation layer and the flat layer has a first drain contact hole and a touch control signal line contact hole, to respectively expose the drain and the touch control signal among them, the line; the first passivation layer near the metal layer and the first passivation layer by dry etching process to form; form the touch electrode, the touch electrode through the first passivation layer and the touch control signal line flat layer on the contact hole and the touch control signal line is connected. Used to prepare array substrates.

【技術實現步驟摘要】
一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置
本專利技術涉及顯示
，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
技術介紹
隨著顯示技術的發展，觸控屏(TouchPanel)技術進入快速發展時期，觸控屏按照觸控電極的設置位置可以分為外掛式觸控屏和內嵌式觸控屏，內嵌式觸控屏可以分為：外置式觸摸屏(OncellTouchPanel)和嵌入式觸摸屏(InCellTouchPanel)。其中，InCell觸控屏又可分為復合內嵌式(HybridInCell，簡稱HIC)觸控屏和完全內嵌式(FullInCell，簡稱FIC)觸控屏。目前，高分辨率(PixelsPerInch，簡稱PPI)的InCell觸摸屏已成為觸控屏的主要發展方向。現有技術中，InCell觸摸屏的結構如圖1(a)所示，包括依次設置在襯底基板10上的金屬層、平坦層40、觸控電極50、鈍化層60以及像素電極70，其中，金屬層包括漏極20和觸控信號線30，漏極20穿過平坦層40和鈍化層60上的過孔與像素電極70相連接，觸控信號線30穿過平坦層40上的過孔與觸控電極50相連接。由于平坦層40上設置有漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔，而對于高PPI的InCell觸摸屏來說，每個亞像素區域的尺寸都較小，因而實際制作時平坦層40上的漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔之間的距離小于5μm。此外，平坦層40的材料一般為有機材料，例如亞克力，因而平坦層40上的過孔常采用曝光、顯影工藝形成。然而，由于平坦層40的厚度較大，因而顯影過程不易掌控過孔的關鍵尺寸(CriticalDimension，簡稱CD)、角度(Profile)以及與其它孔的重疊程度(Overlay)，因而平坦層40上的漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔可能會連在一起，從而會導致不良。InCell觸摸屏實際制作過程中，由于漏極20既需要與有源層相連，又需要穿過平坦層40和鈍化層60上的過孔與像素電極70相連，因而平坦層40上的漏極接觸孔的位置不能移動。如圖1(b)所示，為了避免平坦層40上的漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔連通，因而制作時可能會將平坦層40上的觸控信號線接觸孔向遠離漏極接觸孔方向移動，以使平坦層40上的漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔之間的距離大于5μm。然而，觸控信號線30的材料為如圖2(a)和圖2(b)所示的Ti/Al/Ti(鈦/鋁/鈦)疊層材料，由于觸控信號線30較細，因而觸控信號線接觸孔移動后，如圖2(a)所示觸控信號線接觸孔遠離漏極20的一側會懸空，這樣在采用曝光、顯影形成平坦層40上的過孔時，如圖2(b)所示，顯影液會腐蝕觸控信號線30中的Al，從而導致Al內縮，進而導致觸控電極50與觸控信號線30的搭接不良，影響產品顯示畫面的品質和觸控性能。
技術實現思路
本專利技術的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可確保漏極接觸孔與觸控信號線接觸孔不連通，且不影響觸控電極和觸控信號線的搭接。為達到上述目的，本專利技術的實施例采用如下技術方案：第一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底基板上形成金屬層，所述金屬層包括漏極和觸控信號線；形成第一鈍化層和平坦層，所述第一鈍化層和所述平坦層上具有第一漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔，以分別露出漏極和觸控信號線；其中，所述第一鈍化層靠近所述金屬層，且所述第一鈍化層通過干刻工藝形成；形成觸控電極，所述觸控電極穿過所述第一鈍化層和所述平坦層上的所述觸控信號線接觸孔與所述觸控信號線相連接。優選的，形成第一鈍化層和平坦層，具體包括：利用干刻工藝形成第一鈍化層，所述第一鈍化層具有第一觸控信號線接觸孔和第一子漏極接觸孔；形成平坦層，所述平坦層具有第二觸控信號線接觸孔和第二子漏極接觸孔；其中，所述第一觸控信號線接觸孔和所述第二觸控信號線接觸孔連通，以形成觸控信號線接觸孔，所述第一子漏極接觸孔和所述第二子漏極接觸孔連通，以形成第一漏極接觸孔。進一步優選的，形成平坦層，具體包括：通過曝光、顯影工藝形成平坦層。優選的，形成第一鈍化層和平坦層，具體包括：形成第一鈍化層薄膜；形成平坦層薄膜，對所述平坦層薄膜進行固化；利用干刻工藝同時對所述第一鈍化層薄膜和固化后的所述平坦層薄膜進行刻蝕，以形成觸控信號線接觸孔和第一漏極接觸孔。優選的，所述第一鈍化層的厚度小于所述平坦層的厚度。優選的，在形成觸控電極之后，所述方法還包括：形成第二鈍化層，所述第二鈍化層具有第二漏極接觸孔，所述第一漏極接觸孔與所述第二漏極接觸孔連通；形成像素電極，所述像素電極穿過所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔與所述漏極相連接。優選的，在形成金屬層之前，所述方法還包括：在襯底基板上形成遮光圖案；所述遮光圖案位于所述陣列基板的像素界定區；在形成有所述遮光圖案的襯底基板上形成緩沖層；在形成有所述緩沖層的襯底基板上形成有源層；在形成有所述有源層的襯底基板上形成柵絕緣層；在形成有所述柵絕緣層上的襯底基板上形成柵極；在形成有所述柵極的襯底基板上形成中間介電層；所述漏極穿過所述中間介電層和所述柵絕緣層與所述有源層接觸。第二方面，提供一種陣列基板，包括襯底基板以及依次設置在襯底基板上的金屬層、第一鈍化層、平坦層和觸控電極；所述金屬層包括源漏極和觸控信號線；其中，所述第一鈍化層和所述平坦層上具有第一漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔，所述觸控電極穿過觸控信號線接觸孔與所述觸控信號線相連接；所述第一鈍化層通過干刻工藝形成。優選的，所述陣列基板還包括設置在觸控電極上的第二鈍化層和像素電極；所述第二鈍化層具有第二漏極接觸孔，所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔連通，所述像素電極穿過所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔與所述漏極相連接。優選的，所述陣列基板還包括依次設置在所述襯底基板和所述金屬層之間的遮光圖案、緩沖層、有源層、柵絕緣層、柵極和中間介電層；其中，所述源漏極穿過所述中間介電層和所述柵絕緣層上的過孔與所述有源層接觸，所述遮光圖案靠近所述襯底基板設置。第三方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。本專利技術實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，由于金屬層上形成有第一鈍化層和平坦層，第一鈍化層通過干刻工藝形成，而干刻工藝對過孔的關鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度易于控制，因而可以避免第一鈍化層上的第一漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔連通。在此基礎上，在第一鈍化層上形成平坦層，若平坦層上的過孔采用曝光、顯影工藝形成，即使平坦層上的觸控信號線接觸孔向遠離第一漏極接觸孔的方向移動，由于形成平坦層過孔的顯影液不會腐蝕第一鈍化層，因而平坦層成孔時便不會腐蝕到觸控信號線的側邊；若平坦層上的過孔采用干刻工藝形成，一方面，干刻工藝形成的過孔關鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度易于控制，另一方面，即使平坦層上的觸控信號線接觸孔向遠離第一漏極接觸孔的方向移動，干刻工藝所采用的刻蝕氣體也不會腐蝕到觸控信號線，因而在金屬層上形成第一鈍化層，第一鈍化層采用干刻工藝形成可確保第一漏極接觸孔與觸控信號線接觸孔不連接，且不影響觸控電極和觸控信號線的搭接。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：在襯底基板上形成金屬層，所述金屬層包括漏極和觸控信號線；形成第一鈍化層和平坦層，所述第一鈍化層和所述平坦層上具有第一漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔，以分別露出漏極和觸控信號線；其中，所述第一鈍化層靠近所述金屬層，且所述第一鈍化層通過干刻工藝形成；形成觸控電極，所述觸控電極穿過所述第一鈍化層和所述平坦層上的所述觸控信號線接觸孔與所述觸控信號線相連接。

【技術特征摘要】
1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：在襯底基板上形成金屬層，所述金屬層包括漏極和觸控信號線；形成第一鈍化層和平坦層，所述第一鈍化層和所述平坦層上具有第一漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔，以分別露出漏極和觸控信號線；其中，所述第一鈍化層靠近所述金屬層，且所述第一鈍化層通過干刻工藝形成；形成觸控電極，所述觸控電極穿過所述第一鈍化層和所述平坦層上的所述觸控信號線接觸孔與所述觸控信號線相連接。2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成第一鈍化層和平坦層，具體包括：利用干刻工藝形成第一鈍化層，所述第一鈍化層具有第一觸控信號線接觸孔和第一子漏極接觸孔；形成平坦層，所述平坦層具有第二觸控信號線接觸孔和第二子漏極接觸孔；其中，所述第一觸控信號線接觸孔和所述第二觸控信號線接觸孔連通，以形成觸控信號線接觸孔，所述第一子漏極接觸孔和所述第二子漏極接觸孔連通，以形成第一漏極接觸孔。3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，形成平坦層，具體包括：通過曝光、顯影工藝形成平坦層。4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成第一鈍化層和平坦層，具體包括：形成第一鈍化層薄膜；形成平坦層薄膜，對所述平坦層薄膜進行固化；利用干刻工藝同時對所述第一鈍化層薄膜和固化后的所述平坦層薄膜進行刻蝕，以形成觸控信號線接觸孔和第一漏極接觸孔。5.根據權利要求1-4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述第一鈍化層的厚度小于所述平坦層的厚度。6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在形成觸控電極之后，所述方法還包括：形成第二鈍化層，所述第二鈍化層具有第二漏極接觸孔，所述第一漏極接觸孔與所述第二漏極接觸孔連通；...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉弘，王鳳國，史大為，武新國，王子峰，李峰，郭志軒，馬波，李元博，段岑鴻，趙晶，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司，
類型：發明
國別省市：北京,11