一種圖案化目標膜層、薄膜晶體管、陣列基板及制作方法技術

本申請實施例提供一種圖案化目標膜層、薄膜晶體管、陣列基板及制作方法，以簡化圖案化目標膜層的制作工藝，降低圖案化目標膜層的制作成本。所述制作方法包括：在襯底基板上形成圖案化的光刻膠層，其中，所述光刻膠層的圖案為與所述目標膜層的圖案互補的圖案；在所述光刻膠層上形成目標層薄膜；去除圖案化的所述光刻膠層，并同時去除與所述光刻膠層的圖案相對應區域的目標層薄膜，形成目標膜層的圖案。

Patterned target film layer, thin film transistor, array substrate and manufacturing method

The embodiment of the utility model provides a patterned target film layer, a thin film transistor, an array substrate and a manufacturing method, in order to simplify the manufacturing process of the patterned target film layer, and reduce the manufacturing cost of the patterned target film layer. Including the production method: patterned photoresist layer formed on a substrate wherein the photoresist layer pattern is complementary with the target layer pattern; form the target film on the photoresist layer; the photoresist layer is patterned to remove the target layer and removed at the same time with the the photoresist layer corresponds to the pattern region, forming target layer pattern.

【技術實現步驟摘要】
一種圖案化目標膜層、薄膜晶體管、陣列基板及制作方法
本申請涉及顯示領域，尤其涉及一種圖案化目標膜層、薄膜晶體管、陣列基板及制作方法。
技術介紹
平面顯示器(F1atPane1Disp1ay，FPD)己成為市場上的主流產品，平面顯示器的種類也越來越多，如液晶顯示器(LiquidCrysta1Disp1ay，LCD)、有機發光二極管(OrganicLightEmittedDiode，OLED)顯示器、等離子體顯示面板(P1asmaDisp1ayPane1，PDP)及場發射顯示器(FieldEmissionDisplay，FED)等。作為FPD產業核心技術的薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，TFT)背板技術，也在經歷著深刻的變革?，F有技術中的薄膜晶體管，在制作圖案化的源漏極層和/或柵極層時，通常是先形成一層金屬薄膜，再在金屬薄膜上形成圖案化的光刻膠層，在圖案化的光刻膠層的遮擋下對金屬薄膜進行單獨刻蝕，形成圖案化的源漏極層和/或柵極層，最后將圖案化的光刻膠層去除。即，現有技術在形成圖案化的目標膜層(例如，圖案化的目標膜層為源漏極層)時，通常都需要對目標膜層進行單獨刻蝕，使圖案化的目標膜層的制作工序較多，制作成本較高。
技術實現思路
本申請實施例提供一種圖案化目標膜層、薄膜晶體管、陣列基板及制作方法，以簡化圖案化目標膜層的制作工藝，降低圖案化膜層的制作成本。本申請實施例提供一種圖案化目標膜層的制作方法，包括：在襯底基板上形成圖案化的光刻膠層，其中，所述光刻膠層的圖案為與所述目標膜層的圖案互補的圖案；在所述光刻膠層上形成目標層薄膜；去除圖案化的所述光刻膠層，并同時去除與所述光刻膠層的圖案相對應區域的目標層薄膜，形成目標膜層的圖案。優選的，所述目標膜層為薄膜晶體管的源漏極膜層和/或柵極膜層；所述在所述光刻膠層上形成目標層薄膜，具體包括：在所述光刻膠層上形成至少一層金屬層薄膜。優選的，所述在所述光刻膠層上形成至少一層金屬層薄膜，具體包括：在所述光刻膠層上依次形成銀薄膜和銅薄膜。優選的，在所述光刻膠層上依次形成銀薄膜和銅薄膜，具體包括：通過銀鏡反應，在所述光刻膠層上形成銀薄膜；通過銅鏡反應，在所述銀薄膜上形成銅薄膜。優選的，所述去除圖案化的所述光刻膠層，并同時去除與所述光刻膠層的圖案相對應的區域的目標層薄膜，形成目標膜層的圖案，具體包括：采用丙酮溶液或無水乙醇溶液對所述光刻膠層進行剝離，以去除圖案化的所述光刻膠層，并同時去除與所述光刻膠層的圖案相對應的區域的目標層薄膜，形成目標膜層的圖案。實施例還提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括：形成柵極、有源層、源漏極的圖形；其中，采用本申請實施例所述的制作方法形成所述柵極和/或源漏極的圖形。本申請實施例還提供一種圖案化的目標膜層，采用本申請實施例所述的制作方法制作。本申請實施例還提供一種薄膜晶體管，包括本申請實施例所述的目標膜層，所述目標膜層為源漏極和/或柵極。本申請實施例還提供一種陣列基板，包括本申請實施例提供的所述薄膜晶體管。本申請實施例還提供一種顯示裝置，包括本申請實施例還提供所述的陣列基板。本申請實施例的有益效果如下：本申請實施例提供的圖案化膜層的制作方法，在形成圖案化的目標膜層時，先形成具有與目標膜層的圖案相互補的圖案的光刻膠層，再在圖案化的光刻膠層上形成目標層薄膜，進而在去除光刻膠層時，可以同時去除掉與光刻膠層的圖案相對應區域的目標層薄膜，進而可以形成目標膜層的圖案，相比于現有技術，本申請實施例提供的圖案化膜層的制作方法，在形成目標層薄膜后不需要進行對目標層薄膜進行單獨刻蝕，進而可以簡化圖案化膜層的制作工藝，降低圖案化目標膜層制作成本。附圖說明圖1為本申請實施例提供的一種圖案化目標膜層的制作流程圖；圖2為在有源層上形成光刻膠后的結構示意圖；圖3為將光刻膠層進行圖案化后的結構示意圖；圖4為在圖案化的光刻膠層上形成銀薄膜后的結構示意圖；圖5為在銀薄膜上形成銅薄膜后的結構示意圖；圖6為去除圖案化的光刻膠層后的結構示意圖。具體實施方式下面結合說明書附圖對本專利技術實施例的實現過程進行詳細說明。需要注意的是，自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本專利技術，而不能理解為對本專利技術的限制。參見圖1，本申請實施例提供一種圖案化目標膜層的制作方法，包括：步驟101，在襯底基板上形成圖案化的光刻膠層，其中，光刻膠層的圖案為與目標膜層的圖案互補的圖案。步驟102，在光刻膠層上形成目標層薄膜。步驟103，去除圖案化的光刻膠層，并同時去除與光刻膠層的圖案相對應區域的目標層薄膜，形成目標膜層的圖案。在具體實施時，可以采用丙酮溶液或無水乙醇溶液對光刻膠層進行剝離，以去除圖案化的光刻膠層，并同時去除與光刻膠層的圖案相對應的區域的目標層薄膜，形成目標膜層的圖案。進一步的，可以在剝離的過程中增加超聲、震蕩等輔助手段增強剝離光刻膠的力度。本申請實施例提供一種圖案化膜層的制作方法，在形成圖案化的目標膜層時，先形成與目標膜層的圖案相互補的光刻膠層圖案，再在圖案化的光刻膠層上形成目標層薄膜，進而在去除光刻膠層時，可以同時去除掉與光刻膠層的圖案相對應區域的目標層薄膜，進而可以形成目標膜層的圖案，相比于現有技術，本申請實施例提供的圖案化膜層的制作方法，在形成目標層薄膜后不需要進行對目標層薄膜進行單獨刻蝕，進而可以簡化圖案化膜層的制作工藝，降低圖案化膜層的制作成本。需要說明的是，由于在具體實施時，在制作薄膜晶體管的源漏極時，一般還同時形成與源漏極同層的數據線，在制作薄膜晶體管的柵極時，一般還同時形成與柵極同層的柵線，進而本申請實施例中目標膜層的圖案具體可以為包括源漏極和/或數據線的源漏極層圖案，也可以是包括柵極和/或柵線的柵極層圖案。優選的，若目標膜層為薄膜晶體管的源漏極膜層和/或柵極膜層，則關于步驟102，在光刻膠層上形成目標層薄膜，具體包括，在光刻膠層上形成至少一層金屬層薄膜。進一步地，考慮到現有技術中的源漏極層一般采用Al、Mo復合金屬膜層制作，而Al和Mo的電導率較低，形成的源漏極電阻較大，進而導致形成的薄膜晶體管的功耗較高。優選的，在光刻膠層上形成至少一層金屬層薄膜，具體包括:在光刻膠層上依次形成銀薄膜和銅薄膜。由于銀和銅的導電率大于鋁和鉬的電導率，進而采用銀薄膜和銅薄膜的復合膜層作為源漏極，可以降低薄膜晶體管的源漏極電阻，降低薄膜晶體管的功耗。另外，由于銅的粘附性較差，不易直接附著在一般膜層(襯底基板或柵極絕緣層)上，因此，在形成銅薄膜時，先形成銀薄膜，進而可以避免銅薄膜易脫落的問題。在具體實施時，具體可以在光刻膠層上通過銀鏡反應形成銀薄膜，在銀薄膜上通過銅鏡反應形成銅薄膜。關于通過銀鏡反應在光刻膠層上形成銀薄膜，以及通過銅鏡反應在銀薄膜上形成銅薄膜，進行如下詳細說明。分別配制酒石酸鉀鈉溶液和銀氨溶液。具體的，將8g四水酒石酸鉀鈉和2.6g氫氧化鈉加到20ml蒸餾水中，形成酒石酸鉀鈉溶液。在質量分數為5％的硝酸銀溶液中，滴加質量分數為5％的氫氧化鈉溶液，并在不斷振蕩下滴加稀氨水至沉淀剛好溶解為止，形成銀氨溶液。將上述銀氨溶液與質量分數為3％的葡萄糖溶液以體積比為2:1進行混合，形成第一混合溶液，在該第一混本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種圖案化目標膜層的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在襯底基板上形成圖案化的光刻膠層，其中，所述光刻膠層的圖案為與所述目標膜層的圖案互補的圖案；在所述光刻膠層上形成目標層薄膜；去除圖案化的所述光刻膠層，并同時去除與所述光刻膠層的圖案相對應區域的目標層薄膜，形成目標膜層的圖案。

【技術特征摘要】
1.一種圖案化目標膜層的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在襯底基板上形成圖案化的光刻膠層，其中，所述光刻膠層的圖案為與所述目標膜層的圖案互補的圖案；在所述光刻膠層上形成目標層薄膜；去除圖案化的所述光刻膠層，并同時去除與所述光刻膠層的圖案相對應區域的目標層薄膜，形成目標膜層的圖案。2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述目標膜層為薄膜晶體管的源漏極膜層和/或柵極膜層；所述在所述光刻膠層上形成目標層薄膜，具體包括：在所述光刻膠層上形成至少一層金屬層薄膜。3.如權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述光刻膠層上形成至少一層金屬層薄膜，具體包括：在所述光刻膠層上依次形成銀薄膜和銅薄膜。4.如權利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述光刻膠層上依次形成銀薄膜和銅薄膜，具體包括：通過銀鏡反應，在所述光刻膠層上形成銀薄膜；通過銅鏡反應，在所述銀薄膜上形成銅薄膜。5...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張慧文，占建英，王志鵬，于凱，李鐵朋，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，合肥京東方光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：北京,11