半導(dǎo)體封裝件的制造方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供高成品率的半導(dǎo)體封裝件的制造方法。半導(dǎo)體封裝件的制造方法包括如下步驟：對包含至少一種金屬且具有第一面和與所述第一面對置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面與所述第二面之間的側(cè)面部進(jìn)行蝕刻，且在所述第一面及所述側(cè)面部附著與所述金屬不同的其他金屬；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半導(dǎo)體裝置，使得所述外部端子不與所述第二面對置；形成用于覆蓋所述半導(dǎo)體裝置的樹脂絕緣層；在所述樹脂絕緣層上形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層和所述樹脂絕緣層形成用于使所述半導(dǎo)體裝置的所述外部端子露出的開口部；以及在所述基材的所述第一面和側(cè)面部、所述第一導(dǎo)電層上及所述開口部內(nèi)形成鍍層。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
半導(dǎo)體封裝件的制造方法
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝件的制造方法。尤其是，本專利技術(shù)涉及在基材上的半導(dǎo)體裝置的封裝技術(shù)。
技術(shù)介紹
以往，在移動電話或智能電話等的電子設(shè)備中采用在支承基板上搭載有集成電路(IC)芯片等半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)(例如日本特開2010-278334號公報(bào))。在這種半導(dǎo)體封裝件中，通常采用如下結(jié)構(gòu)：在支承基材上經(jīng)由粘接層接合IC芯片或存儲器等的半導(dǎo)體裝置，并利用密封體(密封用樹脂材料)覆蓋該半導(dǎo)體裝置，由此來保護(hù)半導(dǎo)體器件。作為用于半導(dǎo)體裝置的支承基材，采用印刷基材、陶瓷基材等各種基材。尤其是近年來，對于使用金屬基材的半導(dǎo)體封裝件的開發(fā)研究不斷推進(jìn)。在金屬基材上搭載有半導(dǎo)體裝置并通過再布線來扇出(fan-out)的半導(dǎo)體封裝件具有電磁屏蔽性能、熱性能優(yōu)良的優(yōu)點(diǎn)，作為高可靠性的半導(dǎo)體封裝件而備受矚目。這種半導(dǎo)體封裝件還具有封裝設(shè)計(jì)的自由度高的優(yōu)點(diǎn)。在支承基材上搭載半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的情況下，通過在大型支承基材上搭載多個半導(dǎo)體裝置，能夠利用同一工序來制造多個半導(dǎo)體封裝件。在這種情況下，形成在支承基材上的多個半導(dǎo)體封裝件，在制造過程結(jié)束之后被單片化，從而完成各個半導(dǎo)體封裝件。像這種在支承基材上搭載有半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)具有生產(chǎn)率高的優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
如上所述，在考慮到使用大型金屬基材為支承基材的量產(chǎn)方法的情況下，需要滿足如下條件：對該金屬基材配置半導(dǎo)體裝置時的高對準(zhǔn)精度、半導(dǎo)體裝置與布線之間的良好的接觸、或成品率高的半導(dǎo)體封裝件的單片化等。本專利技術(shù)是鑒于這些問題而提出的，其目的在于提供高成品率的半導(dǎo)體封裝件的制造方法。本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法包括如下步驟：對包含至少一種金屬且具有第一面和與所述第一面對置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面與所述第二面之間的側(cè)面部進(jìn)行蝕刻，且在所述第一面及所述側(cè)面部附著與所述金屬不同的其他金屬；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半導(dǎo)體裝置，使得所述外部端子不與所述第二面對置；形成用于覆蓋所述半導(dǎo)體裝置的樹脂絕緣層；在所述樹脂絕緣層上形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層和所述樹脂絕緣層形成用于使所述半導(dǎo)體裝置的所述外部端子露出的開口部；以及在所述基材的所述第一面和側(cè)面部、所述第一導(dǎo)電層上及所述開口部內(nèi)形成鍍層。所述基材可以為不銹鋼基材。所述蝕刻可以為使用包含所述其他金屬的離子的蝕刻液的濕法蝕刻。所述其他金屬的離子化傾向可以小于所述基材所包含的至少一種金屬的離子化傾向。可以利用無電解鍍敷法來形成所述鍍層。所述鍍層可以包含與所述其他金屬相同的金屬。還可以包括使所述鍍層生長來形成第二導(dǎo)電層的步驟。根據(jù)本專利技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，能夠提供高成品率的半導(dǎo)體封裝件的制造方法。附圖說明圖1為本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的剖面示意圖。圖2為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，在支承基材形成對準(zhǔn)標(biāo)記的工序的圖。圖3為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，在支承基材形成粘接層的工序的圖。圖4為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，對支承基材的背面和側(cè)面進(jìn)行粗化的工序的圖。圖5為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，去除粘接層的一部分的工序的圖。圖6為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，在支承基材上配置半導(dǎo)體裝置的工序的圖。圖7為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，形成樹脂絕緣層的工序的圖。圖8為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，在樹脂絕緣層上形成導(dǎo)電層的工序的圖。圖9為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，對導(dǎo)電層的表面進(jìn)行粗化的工序的圖。圖10為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，在樹脂絕緣層形成開口部的工序的圖。圖11為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，去除導(dǎo)電層的表面中被粗化的區(qū)域并去除開口底部的殘?jiān)墓ば虻膱D。圖12為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，利用無電解鍍敷法形成導(dǎo)電層的工序的圖。圖13為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，形成感光性光刻膠的工序的圖。圖14為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，利用光刻去除感光性光刻膠的一部分的工序的圖。圖15為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，利用電解鍍敷法形成導(dǎo)電層的工序的圖。圖16為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，去除感光性光刻膠的工序的圖。圖17為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，通過去除導(dǎo)電層的一部分來形成布線的工序的圖。圖18為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，形成覆蓋布線的樹脂絕緣層的工序的圖。圖19為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，在樹脂絕緣層形成用于露出布線的開口部的工序的圖。圖20為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，在與露出的布線相對應(yīng)的位置配置焊料球的工序的圖。圖21為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，將焊料球回流的工序的圖。圖22為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，在樹脂絕緣層形成達(dá)到支承基材的槽的工序的圖。圖23為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，通過切斷支承基材來對半導(dǎo)體封裝件進(jìn)行單片化的工序的圖。圖24為本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的剖面示意圖。圖25為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，準(zhǔn)備支承基材的工序的圖。圖26為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，在支承基材形上成粘接層的工序的圖。圖27為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，對支承基材的背面和側(cè)面進(jìn)行粗化的工序的圖。圖28為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，在粘接層形成對準(zhǔn)標(biāo)記的工序的圖。圖29為示出在本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法中，在支承基材上配置半導(dǎo)體裝置的工序的圖。(附圖標(biāo)記的說明)10、20：半導(dǎo)體封裝件；100：支承基材；102、114：對準(zhǔn)標(biāo)記；104、146：粗化區(qū)域；110：粘接層；112：開口部；120：半導(dǎo)體裝置；122：外部端子；130：第一樹脂絕緣層；132：開口部；140：布線；142：第一導(dǎo)電層；144：第二導(dǎo)電層；150：第二樹脂絕緣層；152：開口部；160：焊料球；200：鍍層；210：光刻膠；220：阻擋劑圖案；230：厚膜區(qū)域；240：薄膜區(qū)域；250：切口具體實(shí)施方式以下，參照附圖，對本專利技術(shù)的一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)及其制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。以下所示的實(shí)施方式只是本專利技術(shù)的實(shí)施方式的一個示例，不應(yīng)局限于這些實(shí)施方式來解釋本專利技術(shù)。在本實(shí)施方式所參照的附圖中，存在對同一部分或具有相同功能的部分賦予同一附圖標(biāo)記或類似的附圖標(biāo)記而省略對其的反復(fù)說明的情況。為了便于說明，存在附圖的尺寸比率與實(shí)際的比率不同或結(jié)構(gòu)的一部分從附圖中省略的情況。為了便于說明，利用上方或下方的語句來進(jìn)行說明，但可以配置成例如第一部件與第二部件之間的上下關(guān)系與圖示相反的結(jié)構(gòu)。以本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括如下步驟：對包含至少一種金屬且具有第一面和與所述第一面對置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面與所述第二面之間的側(cè)面部進(jìn)行蝕刻，且在所述第一面及所述側(cè)面部附著與所述金屬不同的其他金屬；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半導(dǎo)體裝置，使得所述外部端子不與所述第二面對置；形成用于覆蓋所述半導(dǎo)體裝置的樹脂絕緣層；在所述樹脂絕緣層上形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層和所述樹脂絕緣層形成用于使所述半導(dǎo)體裝置的所述外部端子露出的開口部；以及在所述基材的所述第一面和所述側(cè)面部、所述第一導(dǎo)電層上以及所述開口部內(nèi)形成鍍層。

【技術(shù)特征摘要】
2016.06.17 JP 2016-1210241.一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括如下步驟：對包含至少一種金屬且具有第一面和與所述第一面對置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面與所述第二面之間的側(cè)面部進(jìn)行蝕刻，且在所述第一面及所述側(cè)面部附著與所述金屬不同的其他金屬；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半導(dǎo)體裝置，使得所述外部端子不與所述第二面對置；形成用于覆蓋所述半導(dǎo)體裝置的樹脂絕緣層；在所述樹脂絕緣層上形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層和所述樹脂絕緣層形成用于使所述半導(dǎo)體裝置的所述外部端子露出的開口部；以及在所述基材的所述第一面和所述側(cè)面部、所述第一導(dǎo)電層上以及所述開口部內(nèi)形成鍍層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其中，所述基材為不銹鋼基材。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其中，所述蝕刻為使用包含所述其他金屬的離子的蝕刻液的濕法蝕刻。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其中，所述其他金屬的離子化傾向小于所述基材所包含的至少一種所述金屬的離子化傾向。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其中，利用無電解鍍敷法來形成所述鍍層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其中，所述鍍層包含與所述其他金屬相同的金屬。7.根...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：町田纮一，北野一彥，
申請(專利權(quán))人：株式會社吉帝偉士，
類型：發(fā)明
國別省市：日本,JP