一種最小曝光能量的測量方法技術

本發明專利技術提供一種最小曝光能量的測量方法，測量方法包括：步驟S1、提供一晶圓，于晶圓上涂覆一層光阻層；步驟S2、采用一晶圓晶邊曝光裝置，根據預設的多個時間段分別對光阻層上預設的多個區域分別進行曝光，每個區域分別對應一唯一的時間段；步驟S3、利用顯影工藝，對經過曝光的光阻層進行顯影，以形成對應每個區域的圖形；步驟S4、利用顯影后檢測工藝，獲取對應每個時間段的圖形，并處理得到每個時間段和相應的圖形的對應關系及最小曝光能量。本發明專利技術的有益效果：無需曝光機支持即可得到光刻膠的最小曝光能量，根據得出的最小曝光能量能夠優化硅片邊緣曝光制程的照明條件，從而避免光刻膠殘留的產生。

A method of measuring minimum exposure energy

The invention provides a measuring method for minimum exposure energy measurement method, which comprises the following steps: S1, providing a wafer, the wafer is coated with a layer of photoresist layer; step S2, a crystal wafer edge exposure device, according to multiple time preset respectively on a number of regional preset photoresist layer respectively. The exposure time, each region corresponds to a single step S3, respectively; the development process of the photoresist layer is exposed is developed, to form corresponding to each region of the graph; detection process steps by S4 after development, get corresponding to each time graphics, and obtained corresponding relation each time period and the corresponding figure and minimum exposure energy. The invention has the beneficial effect: without exposure machine support, the minimum exposure energy of the photoresist can be obtained. According to the minimum exposure energy, the illumination condition of the wafer edge exposure process can be optimized, so as to avoid the occurrence of photoresist residue.

【技術實現步驟摘要】
一種最小曝光能量的測量方法
本專利技術涉及半導體制造
，尤其涉及一種最小曝光能量的測量方法。
技術介紹
由于工藝局限，晶片邊緣往往缺陷很高，在晶片邊緣的圖形很容易形成缺陷源，因此在涂膠后需要去除晶片邊緣特定寬度的膠。晶圓晶邊曝光(Waferedgeexposure，WEE)其過程是將圓片邊緣特定寬度區域內的光刻膠采用曝光顯影的方式去除，并且各個光刻工藝層次的WEE的寬度是不一致的，WEE的準確度直接影響到圓片上的有效面積，即圓片上實際可產出的管芯數目，因此需要準確控制。涉及半導體制造的多項工藝中，光刻工藝的基本功能是將光罩上的圖形完整的轉移到光刻膠上。因此光刻膠的感光性能是一個重要的監測項目，其中包括光阻圖形能曝開的最小曝光能量Eth。一般而言，這項性能與光刻膠配方中的樹脂種類、感光劑的配方及組分等參數有密切聯系。在光刻工藝中，通常使用Matrix實驗在曝光機做能量分組實驗方式得出最小曝光能量Eth。現有的能量分組實驗存在兩個問題，一時必須要有曝光機支持；二是光刻工藝中的WEE制程所用的晶圓晶邊曝光裝置的曝光光源與曝光機的曝光光源不同，因此曝光機所得出的數據無法正常應用在WEE制程的晶圓晶邊曝光裝置中，直接采用曝光機得出的數據會導致光刻膠殘留問題的產生。
技術實現思路
針對現有技術中存在的問題，本專利技術提供了一種最小曝光能量的測量方法。本專利技術采用如下技術方案：一種最小曝光能量的測量方法，所述測量方法包括：步驟S1、提供一晶圓，于所述晶圓上涂覆一層光阻層；步驟S2、采用一晶圓晶邊曝光裝置，根據預設的多個時間段分別對所述光阻層上預設的多個區域分別進行曝光，每個所述區域分別對應一唯一的所述時間段；步驟S3、利用顯影工藝，對經過曝光的所述光阻層進行顯影，以形成對應每個所述區域的所述圖形；步驟S4、利用顯影后檢測工藝，獲取對應每個所述時間段的所述圖形，并處理得到每個所述時間段和相應的所述圖形的對應關系及最小曝光能量。優選的，所述圖形為條狀。優選的，所述多個區域對應的區域位置互不相同。優選的，所述多個時間段對應的時間長度互不相同。優選的，所述晶圓晶邊曝光裝置具有兩種曝光模式，具體包括：外周曝光模式，所述外周曝光模式用以形成環形曝光區域；線型曝光模式，所述線型曝光模式用以形成條形曝光區域。優選的，所述測量方法包括：步驟S5、根據所述對應關系處理得到同一所述光阻層對應不同所述時間段曝光產生的工藝窗口。優選的，所述區域的數量為12個。本專利技術的有益效果：無需曝光機支持即可得到光刻膠的最小曝光能量，根據得出的最小曝光能量能夠優化硅片邊緣曝光制程的照明條件，從而避免光刻膠殘留的產生。附圖說明圖1為本專利技術的一種優選實施例中，一種最小曝光能量的測量方法的流程圖；圖2為本專利技術的一種優選實施例中，一種最小曝光能量的測量方法的流程示意圖；圖3-5為本專利技術的一種優選實施例中，晶圓晶邊曝光裝置具有兩種曝光模式的示意圖。具體實施方式需要說明的是，在不沖突的情況下，下述技術方案，技術特征之間可以相互組合。下面結合附圖對本專利技術的具體實施方式作進一步的說明：如圖1-2所示，一種最小曝光能量的測量方法，上述測量方法包括：步驟S1、提供一晶圓1，于上述晶圓1上涂覆一層光阻層；步驟S2、采用一晶圓晶邊曝光裝置(TrackWEE)，根據預設的多個時間段分別對上述光阻層上預設的多個區域分別進行曝光，每個上述區域分別對應一唯一的上述時間段；步驟S3、利用顯影工藝，對經過曝光的上述光阻層進行顯影，以形成對應每個上述區域的上述圖形2；步驟S4、利用顯影后檢測(afterdevelopinspection，ADI)工藝，獲取對應每個上述時間段的上述圖形2，并處理得到每個上述時間段和相應的上述圖形2的對應關系及最小曝光能量。在本實施例中，無需曝光機支持即可得到每個上述時間段和相應的上述圖形2的對應關系及光刻膠的最小曝光能量，根據上述對應關系處理得到同一上述光阻層對應不同上述時間段曝光產生的工藝窗口，根據得出的最小曝光能量能夠優化硅片邊緣曝光制程的照明條件，從而避免光刻膠殘留的產生。較佳的實施例中，上述圖形2為條狀。較佳的實施例中，上述多個區域對應的區域位置互不相同。較佳的實施例中，上述區域的數量為12個。較佳的實施例中，上述多個時間段對應的時間長度互不相同。如圖3-5所示，較佳的實施例中，上述晶圓晶邊曝光裝置具有兩種曝光模式，具體包括：外周曝光模式，上述外周曝光模式用以在晶圓11上形成環形曝光區域33；線型曝光模式，上述線型曝光模式用以在晶圓11上形成條形曝光區域44。其中，圖3-4為外周曝光模式形成的環形曝光區域3，圖5為線型曝光模式形成的條形曝光區域4。通過說明和附圖，給出了具體實施方式的特定結構的典型實施例，基于本專利技術精神，還可作其他的轉換。盡管上述專利技術提出了現有的較佳實施例，然而，這些內容并不作為局限。對于本領域的技術人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權利要求書應看作是涵蓋本專利技術的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權利要求書范圍內任何和所有等價的范圍與內容，都應認為仍屬本專利技術的意圖和范圍內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種最小曝光能量的測量方法，其特征在于，所述測量方法包括：步驟S1、提供一晶圓，于所述晶圓上涂覆一層光阻層；步驟S2、采用一晶圓晶邊曝光裝置，根據預設的多個時間段分別對所述光阻層上預設的多個區域分別進行曝光，每個所述區域分別對應一唯一的所述時間段；步驟S3、利用顯影工藝，對經過曝光的所述光阻層進行顯影，以形成對應每個所述區域的所述圖形；步驟S4、利用顯影后檢測工藝，獲取對應每個所述時間段的所述圖形，并處理得到每個所述時間段和相應的所述圖形的對應關系及最小曝光能量。

【技術特征摘要】
1.一種最小曝光能量的測量方法，其特征在于，所述測量方法包括：步驟S1、提供一晶圓，于所述晶圓上涂覆一層光阻層；步驟S2、采用一晶圓晶邊曝光裝置，根據預設的多個時間段分別對所述光阻層上預設的多個區域分別進行曝光，每個所述區域分別對應一唯一的所述時間段；步驟S3、利用顯影工藝，對經過曝光的所述光阻層進行顯影，以形成對應每個所述區域的所述圖形；步驟S4、利用顯影后檢測工藝，獲取對應每個所述時間段的所述圖形，并處理得到每個所述時間段和相應的所述圖形的對應關系及最小曝光能量。2.根據權利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述圖形為條狀。3.根據權利要求1所述的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉智敏，
申請(專利權)人：武漢新芯集成電路制造有限公司，
類型：發明
國別省市：湖北,42