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本發(fā)明提供一種最小曝光能量的測(cè)量方法，測(cè)量方法包括：步驟S1、提供一晶圓，于晶圓上涂覆一層光阻層；步驟S2、采用一晶圓晶邊曝光裝置，根據(jù)預(yù)設(shè)的多個(gè)時(shí)間段分別對(duì)光阻層上預(yù)設(shè)的多個(gè)區(qū)域分別進(jìn)行曝光，每個(gè)區(qū)域分別對(duì)應(yīng)一唯一的時(shí)間段；步驟S3、利用...該專利屬于武漢新芯集成電路制造有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)武漢新芯集成電路制造有限公司授權(quán)不得商用。