晶體片以及晶體振子制造技術

本發明專利技術所涉及的晶體片的特征在于，主面的長邊與晶體片的Z'軸實質上平行，主面的短邊與晶體片的X軸實質上平行，晶體片的主振動的頻率為30.5MHz以上37.0MHz以下，晶體片包括：第1區域，包括主面的中央；第2區域和第3區域，在長邊延伸的長邊方向的兩側與第1區域鄰接；以及第4區域和第5區域，在短邊延伸的短邊方向的兩側與第1區域鄰接，第1區域的厚度實質上均勻，第2區域的厚度以及第3區域的厚度小于第1區域的厚度和/或第4區域的厚度以及第5區域的厚度小于第1區域的厚度，在短邊的長度為W且厚度為T的情況下，16.21≤W/T≤17.71成立。

Crystal plates and crystal oscillators

The feature of the lens involved in this invention is that the long side of the main surface is substantially parallel to the Z'axis of the crystal sheet, the short side of the main surface is substantially parallel to the X axis of the crystal sheet, the frequency of the main vibration of the crystal sheet is below 30.5MHz above the 37.0MHz, and the crystal sheet includes the first region, including the central surface, the second region and the third region, in the region, in the region, and in the third region, The long side extended sides of the long side are adjacent to the first region; and the fourth area and the fifth region are adjacent to the first region in the short side direction of the short side, the thickness of the first region is essentially uniform, the thickness of the second region and the thickness of the third region is less than the thickness of the first region and the thickness of the fourth region and fifth region. The thickness is less than first of the thickness of the area. When the length of the short edge is W and the thickness is T, 16.21 or less W/T is equal to 17.71.

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】晶體片以及晶體振子
本專利技術涉及AT切割型的晶體片以及晶體振子。
技術介紹
近年來，對于晶體振子的小型化的要求，需要使晶體片成為小型。但是，若使晶體片小型化，則副振動的影響更加顯著或出現振動泄漏的影響，使串聯電阻值容易增大。作為與以減少串聯電阻值為目的的以往的晶體片相關的專利技術，例如已知一種專利文獻1所記載的晶體振動板。在該晶體振動板中，對晶體振動板的端部實施了倒角加工(斜面加工)。由此，振動能量被限制在激勵電極下，而得到良好的串聯電阻值。如以上那樣，在晶體片中，為了得到良好的串聯電阻值進行了各種研究。專利文獻1：日本特開2013－34176號公報
技術實現思路
因此，本專利技術的目的在于提供一種能夠減少CI(晶體阻抗)值的晶體片以及晶體振子。本專利技術的一個方式的晶體片是呈板狀且在從主面的法線方向觀察時呈矩形形狀的AT切割型的晶體片，其特征在于，上述主面的長邊與上述晶體片的Z’軸實質上平行，上述主面的短邊與上述晶體片的X軸實質上平行，上述晶體片的主振動的頻率為30.5MHz以上37.0MHz以下，上述晶體片包括：第1區域，在從上述主面的法線方向觀察時包括該主面的中央；第2區域和第3區域，在上述長邊延伸的長邊方向的兩側與該第1區域鄰接；以及第4區域和第5區域，在上述短邊延伸的短邊方向的兩側與該第1區域鄰接，上述第1區域的厚度實質上均勻，上述第2區域的厚度以及上述第3區域的厚度小于上述第1區域的厚度和/或上述第4區域的厚度以及上述第5區域的厚度小于該第1區域的厚度，在上述第1區域、上述第4區域和上述第5區域的短邊方向的長度為W且上述第1區域的厚度為T的情況下，16.21≤W/T≤17.71成立。本專利技術也面向具備上述晶體片的晶體振子。根據本專利技術，能夠減少CI值。附圖說明圖1是晶體振子10的外觀立體圖。圖2是晶體振子10的分解立體圖。圖3是圖1的A－A處的剖面結構圖。圖4是圖2的B－B處的剖面結構圖。圖5是圖2的C－C處的剖面結構圖。圖6是從上側觀察晶體片17的圖。圖7是區域A1的放大圖。圖8是示有在主振動的頻率為30.5MHz的晶體片17中，主振動和副振動的頻率與W/T的關系的圖表。圖9是示有在主振動的頻率為31.25MHz的晶體片17中，主振動和副振動的頻率與W/T的關系的圖表。圖10是示有在主振動的頻率為37.0MHz的晶體片17中，主振動和副振動的頻率與W/T的關系的圖表。圖11A是示有第1樣本至第3樣本的實驗結果的圖表。圖11B是示有第4樣本至第7樣本的實驗結果的圖表。圖12A是示有第8樣本至第10樣本的實驗結果的圖表。圖12B是示有第11樣本至第14樣本的實驗結果的圖表。圖13是變形例所涉及的晶體振子10a的剖面結構圖。圖14是晶體振蕩器300的剖面結構圖。圖15是其他實施方式所涉及的晶體片17a的剖面結構圖。圖16是其他實施方式所涉及的晶體片17b的剖面結構圖。具體實施方式(晶體振子的結構)以下，參照附圖對具備本專利技術的電子部件的一個實施方式所涉及的晶體片的晶體振子進行說明。圖1是晶體振子10的外觀立體圖。圖2是晶體振子10的分解立體圖。圖3是圖1的A－A處的剖面結構圖。以下，將相對于晶體振子10的主面的法線方向定義為上下方向，將在從上側觀察時晶體振子10的長邊延伸的方向定義為長邊方向，將晶體振子10的短邊延伸的方向定義為短邊方向。另外，以下也有以晶體片17的AT切割的軸向為基準對各結構進行說明的情況。如圖1～圖3所示，晶體振子10具備基板12、金屬蓋14、晶體振動片16以及釬料50。晶體振子10的短邊的寬度為1.6mm，晶體振子10的長邊的長度為2.0mm。基板12(電路基板的一個例子)包括基板主體21、外部電極22、26、40、42、44、46、導通孔導體25、28、54、56以及金屬化膜30。基板主體21呈板狀，在從上側觀察時，呈矩形形狀。基板主體21例如由氧化鋁質燒結體、莫來石質燒結體、氮化鋁質燒結體、碳化硅質燒結體、玻璃陶瓷燒結體等陶瓷系絕緣性材料、晶體、玻璃、硅等制成。在本實施方式中，基板主體21通過層疊由陶瓷材料制成的多個絕緣體層而構成。基板主體21在上下具有兩個主面。將基板主體21的上側的主面(+Y’側的主面)稱為表面，將基板主體21的下側的主面(－Y’側的主面)稱為背面。外部電極22、26在基板主體21的表面，在長邊方向的一端側沿短邊方向排列設置。具體而言，外部電極22是設置于基板主體21的表面的－Z’且+X側的角附近的矩形形狀的導體層。外部電極26是設置于基板主體21的表面的－Z’且－X側的角附近的矩形形狀的導體層。外部電極40、42、44、46設置于基板主體21的背面的各角附近。外部電極40是設置于基板主體21的背面的－Z’且－X側的角附近的正方形的導體層，在從上側觀察時，與外部電極26重疊。外部電極42是設置于基板主體21的背面的－Z’且+X側的角附近的正方形的導體層，在從上側觀察時，與外部電極22重疊。外部電極44是設置于基板主體21的背面的+Z’且－X側的角附近的正方形的導體層。外部電極46是設置于基板主體21的背面的+Z’且+X側的角附近的正方形的導體層。導通孔導體25沿上下方向貫通基板主體21，連接外部電極22與外部電極42。導通孔導體28沿上下方向貫通基板主體21，連接外部電極26與外部電極40。金屬化膜30是設置在基板主體21的表面上的線狀的金屬膜，在從上側(相對于表面的法線方向)觀察時，呈長方形的環狀。在從上側觀察時，外部電極22、26設置于被金屬化膜30圍起的區域內。導通孔導體54沿上下方向貫通基板主體21，連接金屬化膜30與外部電極46。導通孔導體56沿上下方向貫通基板主體21，連接金屬化膜30與外部電極44。外部電極22、26、40、42、44、46以及金屬化膜30形成3層結構，具體而言，通過從下層側向上層側層疊鉬層、鎳層以及金層而構成。導通孔導體25、28、54、56對形成于基板主體21的導通孔埋入鉬等導體而制成。晶體振動片16包括晶體片17、外部電極97、98、激勵電極100、101以及引出導體102、103。晶體片17呈板狀，在從上側觀察時，呈矩形形狀。將晶體片17的上側的主面稱為表面，將晶體片17的下側的主面稱為背面。晶體片17例如是從晶體的原石等以規定的角度切取出的AT切割型的晶體片。另外，晶體片17的表面以及背面的長邊與晶體片17的Z'軸實質上平行。晶體片17的表面以及背面的短邊與晶體片17的X軸實質上平行。所謂的實質上平行是指相對于Z'軸、X軸大約在±1度的范圍內。此外，對晶體片17實施了斜面加工，關于詳細內容在下文中描述。另外，在圖2、圖3中，未顯示出實施了斜面加工這一點。由于晶體振子的尺寸落在長邊方向的長度為2.0mm、短邊方向的寬度為1.6mm的范圍內，所以考慮到包裝的壁厚、密封材料的滲出、元件的安裝精度等，將晶體片17設計為晶體片17的尺寸的長邊方向的長度為1.500mm以下且晶體片17的短邊方向的寬度為1.00mm以下。外部電極97是設置于晶體片17的－Z’且+X側的角及其附近的導體層。外部電極97從晶體片17的表面橫跨到背面而形成，也形成于晶體片17的+X側且－Z’側的各側面。外部電極98是設置于晶體片17的背面的－Z’且－X側本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶體片，是呈板狀且在從主面的法線方向觀察時呈矩形形狀的AT切割型的晶體片，其特征在于，所述主面的長邊與所述晶體片的Z’軸實質上平行，所述主面的短邊與所述晶體片的X軸實質上平行，所述晶體片的主振動的頻率為30.5MHz以上37.0MHz以下，所述晶體片包括：第1區域，在從所述主面的法線方向觀察時包括該主面的中央；第2區域和第3區域，在所述長邊延伸的長邊方向的兩側與該第1區域鄰接；以及第4區域和第5區域，在所述短邊延伸的短邊方向的兩側與該第1區域鄰接，所述第1區域的厚度實質上均勻，所述第2區域的厚度以及所述第3區域的厚度小于所述第1區域的厚度和/或所述第4區域的厚度以及所述第5區域的厚度小于該第1區域的厚度，在所述第1區域、所述第4區域和所述第5區域的短邊方向的長度為W且所述第1區域的厚度為T的情況下，16.21≤W/T≤17.71成立。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2015.09.30 JP 2015-1935411.一種晶體片，是呈板狀且在從主面的法線方向觀察時呈矩形形狀的AT切割型的晶體片，其特征在于，所述主面的長邊與所述晶體片的Z’軸實質上平行，所述主面的短邊與所述晶體片的X軸實質上平行，所述晶體片的主振動的頻率為30.5MHz以上37.0MHz以下，所述晶體片包括：第1區域，在從所述主面的法線方向觀察時包括該主面的中央；第2區域和第3區域，在所述長邊延伸的長邊方向的兩側與該第1區域鄰接；以及第4區域和第5區域，在所述短邊延伸的短邊方向的兩側與該第1區域鄰接，所述第1區域的厚度實質上均勻，所述第2區域的厚度以及所述第3區域的厚度小于所述第1區域的厚度和/或所述第4區域的厚度以及所述第5區域的厚度小于該第1區域的厚度，在所述第1區域、所述第4區域和所述第5區域的短邊方向的長度為W且所述第1區域的厚度為T的情況下，16.21≤W/T≤17.71成立。2.根據權利要求1所述的晶體片，其特征在于，16.58≤W/T≤17.25成立。3.根據權利要求1所述的晶體片，其特征在于，17.12≤W/T≤17.22成立。4.根據權利要求1～3中任一項所述的晶體片，其特征在于，所述第2區域的厚度以及所述第3區域的厚度小于所述第1區域的厚度，并且所述第4區域的厚度以及所述第5區域的厚度小于該第1區域的厚度。5.根據權利要求4所述的晶體片，其特征在于，所述第2區域和所述第3區域...

【專利技術屬性】
技術研發人員：山本裕之，開田弘明，淺井賢，
申請(專利權)人：株式會社村田制作所，
類型：發明
國別省市：日本,JP