本發(fā)明專利技術(shù)公開(kāi)了一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置,包括套管和永磁體,所述永磁體包括若干個(gè)圓柱磁體,且所述永磁體位于套管的內(nèi)部,所述套管為不導(dǎo)磁構(gòu)件,所述套管與永磁體之間通過(guò)非磁性粘結(jié)劑粘結(jié),本發(fā)明專利技術(shù)還公開(kāi)了一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置的實(shí)現(xiàn)方法;本發(fā)明專利技術(shù)提出的取向裝置漏磁較小,安全可靠,同時(shí)不受流延膜寬度的限制,可以寬幅流延膜進(jìn)行磁場(chǎng)取向,有利于提高生產(chǎn)效率。
A device for improving the orientation of magnetic powder in microwave absorbing magnetic disc and its realization method
The invention discloses a device for improving the orientation of magnetic powder of microwave absorbing magnetic disc, including a sleeve and a permanent magnet. The permanent magnet includes several cylindrical magnets, and the permanent magnet is inside the sleeve. The sleeve is a non-magnetic component. The sleeve and the permanent magnet are bonded by a non-magnetic binder. The invention also discloses a device for improving the orientation of magnetic powder of microwave absorbing magnetic disc. The magnetic flux leakage of the orientation device is small, safe and reliable, and is not limited by the width of the tape film. The wide tape film can be oriented by magnetic field, which is beneficial to improving the production efficiency.
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置及其實(shí)現(xiàn)方法
本專利技術(shù)屬于吸波材料制造
,具體涉及一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置及其實(shí)現(xiàn)方法。
技術(shù)介紹
高磁導(dǎo)率吸波磁片材料主要由鱗片狀磁粉與高分子粘結(jié)劑通過(guò)流延工藝制備而成,被廣泛的應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,用于吸收和屏蔽元器件輻射的電磁噪音。吸波磁片的主要性能指標(biāo)為磁導(dǎo)率,磁導(dǎo)率越高,電磁噪聲抑制效果越好。影響吸波磁片材料磁導(dǎo)率的因素主要包括磁粉的內(nèi)稟特性、填充比例以及取向排布程度。為了獲得更高的磁導(dǎo)率,通常選用鱗片狀軟磁性能突出的軟磁合金磁粉作為填充磁粉。磁粉填充比例越高,磁片中單位體積內(nèi)的磁性相數(shù)量越多,磁片的磁導(dǎo)率越高。然而,鱗片狀的磁粉在粘結(jié)劑中的填充比例不宜過(guò)高,一方面由于過(guò)高的填充比例會(huì)影響力學(xué)性能,另外一方面高填充比時(shí),鱗片狀磁粉的取向度大大降低,導(dǎo)致磁導(dǎo)率不升反降低。因此,當(dāng)磁粉體系固定的情況,在高填充比下如何提高鱗片狀磁粉的取向程度成為一個(gè)非常關(guān)鍵的難題。目前,吸波磁片的磁粉取向?qū)儆跈C(jī)械取向,即在漿料通過(guò)刮刀的過(guò)程中實(shí)現(xiàn)磁粉的有序排列,然而,這種取向效果有限,尤其是在漿料比較粘稠、磁粉填充比例比較高的情況下,這大大限制了吸波磁片磁導(dǎo)率的提高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置,以解決上述
技術(shù)介紹
中提出的問(wèn)題。本專利技術(shù)提供的一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置,具有提升了磁片磁導(dǎo)率的特點(diǎn)。本專利技術(shù)另一目的在于提供一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置的實(shí)現(xiàn)方法。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案:一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置,包括套管和永磁體,所述永磁體包括若干個(gè)圓柱磁體,且所述永磁體位于套管的內(nèi)部,所述套管為不導(dǎo)磁構(gòu)件,所述套管與永磁體之間通過(guò)非磁性粘結(jié)劑粘結(jié)。在本專利技術(shù)中進(jìn)一步地,所述圓柱磁體為燒結(jié)釹鐵硼磁體或燒結(jié)鐵氧體磁體。在本專利技術(shù)中進(jìn)一步地,套管為不銹鋼構(gòu)件或高分子材料構(gòu)件。在本專利技術(shù)中進(jìn)一步地,非磁性粘結(jié)劑為環(huán)氧樹(shù)脂。在本專利技術(shù)中進(jìn)一步地,永磁體的磁場(chǎng)強(qiáng)度為200Gs—600Gs。在本專利技術(shù)中進(jìn)一步地,套管的長(zhǎng)度為100mm—600mm。在本專利技術(shù)中進(jìn)一步地,套管管壁的厚度為10mm—80mm。在本專利技術(shù)中進(jìn)一步地,所述的提高吸波磁片磁粉的取向裝置的實(shí)現(xiàn)方法,包括以下步驟:(一)、取向裝置包括套管和永磁體,永磁體由一個(gè)或多個(gè)直徑相同的圓柱磁體組成,當(dāng)圓柱磁體的個(gè)數(shù)≥2個(gè)時(shí),圓柱磁體間的間隙小于0.01mm,套管采用不導(dǎo)磁材料;(二)、永磁體與套管之間通過(guò)非磁性粘結(jié)劑粘結(jié);(三)、將取向裝置置于PET膜的下方,PET膜的上方為流延膜,PET膜起到支撐和傳送流延膜的作用;(四)、流延膜所在區(qū)域磁力線方向平行于流延膜的表面,可以促進(jìn)鱗片狀磁粉的定向;(五)、取向裝置的軸向長(zhǎng)度比流延膜的寬度長(zhǎng)100mm—200mm,以保證流延膜位置的磁力線方向平行于流延膜表面;(六)、永磁體的磁場(chǎng)強(qiáng)度為200Gs—600Gs,取向裝置可以自由轉(zhuǎn)動(dòng),轉(zhuǎn)速與PET膜進(jìn)給速度相同。在本專利技術(shù)中進(jìn)一步地,所述的提高吸波磁片磁粉的取向裝置的實(shí)現(xiàn)方法,所述圓柱磁體為燒結(jié)釹鐵硼磁體或燒結(jié)鐵氧體磁體;套管為不銹鋼構(gòu)件或高分子材料構(gòu)件;非磁性粘結(jié)劑為環(huán)氧樹(shù)脂;流延膜包括粘接劑、溶劑和鱗片狀磁粉;套管的長(zhǎng)度為100mm—600mm;套管管壁的厚度為10mm—80mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本專利技術(shù)的有益效果是:1、取向裝置為長(zhǎng)軸狀,裝置與PET膜接觸處為線接觸,此處與流延膜之間的距離最近,此處磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)對(duì)于流延膜中磁粉的取向作用最大,這種磁場(chǎng)作用面積較小,與覆蓋面積較大的取向裝置(如采用大面積永磁體或電磁體裝置)相比,本專利技術(shù)提供的裝置在流延膜中產(chǎn)生的磁場(chǎng)更加均勻,磁粉取向效果也更好,同時(shí)也更加安全;2、取向裝置的長(zhǎng)軸狀設(shè)計(jì),可以輔助PET膜傳動(dòng),同時(shí)可以保證裝置與流延膜之間距離保持恒定,有利于提高取向磁場(chǎng)的穩(wěn)定性,進(jìn)而有助于提高吸波磁片產(chǎn)品的一致性;3、該裝置可以通過(guò)調(diào)整永磁體(包括材質(zhì)、牌號(hào)以及尺寸)和非磁性管套的尺寸來(lái)調(diào)節(jié)取向磁場(chǎng)的大小,可以根據(jù)需要自由調(diào)整;4、本專利技術(shù)提出的取向裝置漏磁較小,安全可靠,同時(shí)不受流延膜寬度的限制,可以寬幅流延膜進(jìn)行磁場(chǎng)取向,有利于提高生產(chǎn)效率。附圖說(shuō)明圖1為本專利技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為本專利技術(shù)圖1中A-A向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本專利技術(shù)取向裝置的工作原理示意圖;圖中:1、套管;2、永磁體;3、PET膜;4、流延膜;5、磁力線。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本專利技術(shù)實(shí)施例中的附圖,對(duì)本專利技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本專利技術(shù)一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本專利技術(shù)中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本專利技術(shù)保護(hù)的范圍。實(shí)施例1請(qǐng)參閱圖1-3,本專利技術(shù)提供以下技術(shù)方案:一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置,包括套管1和永磁體2,永磁體2包括若干個(gè)圓柱磁體,且永磁體2位于套管1的內(nèi)部,套管1為不導(dǎo)磁構(gòu)件,套管1與永磁體2之間通過(guò)非磁性粘結(jié)劑粘結(jié)。進(jìn)一步地,圓柱磁體為燒結(jié)釹鐵硼磁體或燒結(jié)鐵氧體磁體。進(jìn)一步地,套管1為不銹鋼構(gòu)件或高分子材料構(gòu)件。進(jìn)一步地,非磁性粘結(jié)劑為環(huán)氧樹(shù)脂。進(jìn)一步地,永磁體2的磁場(chǎng)強(qiáng)度為200Gs—600Gs。進(jìn)一步地,套管1的長(zhǎng)度為100mm—600mm;套管1管壁的厚度為10mm—80mm。進(jìn)一步地,本專利技術(shù)所述的提高吸波磁片磁粉的取向裝置的實(shí)現(xiàn)方法,包括以下步驟:(一)、取向裝置包括套管1和永磁體2,永磁體2由四個(gè)直徑相同的燒結(jié)釹鐵硼圓柱磁體組成,牌號(hào)為N30,每個(gè)圓柱磁體長(zhǎng)度為100mm,直徑為20mm,圓柱磁體間的間隙小于0.008mm,套管1采用不銹鋼材料,壁厚為29mm,長(zhǎng)度為400mm;(二)、永磁體2與套管1之間通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂粘結(jié);(三)、將取向裝置置于PET膜3的下方,PET膜3的上方為流延膜4,流延膜4包含粘結(jié)劑、溶劑以及鱗片狀磁粉,PET膜3起到支撐和傳送流延膜4的作用;(四)、流延膜4所在區(qū)域磁力線5方向平行于流延膜4的表面,可以促進(jìn)鱗片狀磁粉的定向;(五)、取向裝置的軸向長(zhǎng)度比流延膜4的寬度長(zhǎng)160mm,以保證流延膜4位置的磁力線5方向平行于流延膜4表面;(六)、永磁體2的磁場(chǎng)強(qiáng)度為360Gs—425Gs,取向裝置可以自由轉(zhuǎn)動(dòng),轉(zhuǎn)速(線速度)與PET膜3進(jìn)給速度相同。將聚氨酯、鱗片狀FeSiAl磁粉和二甲苯構(gòu)成混合漿料,放入流延機(jī)中流延成型,再對(duì)流延膜進(jìn)行烘干和熱壓,最終獲得吸波磁片。經(jīng)測(cè)試,磁片在2MHz頻點(diǎn)下磁導(dǎo)率為134。實(shí)施例2本實(shí)施例與實(shí)施例1不同之處在于:未加入取向裝置,即采用實(shí)施例1中漿料,除了未加入取向裝置以外,其他工藝及參數(shù)完全相同。經(jīng)測(cè)試,磁片在2MHz頻點(diǎn)下磁導(dǎo)率為115;根據(jù)實(shí)施例1和實(shí)施例2的測(cè)試結(jié)果表明,通過(guò)加入取向裝置,磁片磁導(dǎo)率明顯提升,在原材料和其他實(shí)驗(yàn)條件均相同的情況下,磁導(dǎo)率的提升主要源于鱗片狀磁粉在粘結(jié)劑中取向度的提高。因此,本專利技術(shù)提供的磁場(chǎng)取向裝置可以提高鱗片狀磁粉在粘結(jié)劑中的取向度。盡管已經(jīng)示出和描述了本專利技術(shù)的實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以理解在不脫離本專利技術(shù)的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型,本專利技術(shù)的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置,其特征在于:包括套管(1)和永磁體(2),所述永磁體(2)包括若干個(gè)圓柱磁體,且所述永磁體(2)位于套管(1)的內(nèi)部,所述套管(1)為不導(dǎo)磁構(gòu)件,所述套管(1)與永磁體(2)之間通過(guò)非磁性粘結(jié)劑粘結(jié)。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置,其特征在于:包括套管(1)和永磁體(2),所述永磁體(2)包括若干個(gè)圓柱磁體,且所述永磁體(2)位于套管(1)的內(nèi)部,所述套管(1)為不導(dǎo)磁構(gòu)件,所述套管(1)與永磁體(2)之間通過(guò)非磁性粘結(jié)劑粘結(jié)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置,其特征在于:所述圓柱磁體為燒結(jié)釹鐵硼磁體或燒結(jié)鐵氧體磁體。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置,其特征在于:套管(1)為不銹鋼構(gòu)件或高分子材料構(gòu)件。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置,其特征在于:非磁性粘結(jié)劑為環(huán)氧樹(shù)脂。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置,其特征在于:永磁體(2)的磁場(chǎng)強(qiáng)度為200Gs—600Gs。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置,其特征在于:套管(1)的長(zhǎng)度為100mm—600mm。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種提高吸波磁片磁粉的取向裝置,其特征在于:套管(1)管壁的厚度為10mm—80mm。8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的提高吸波磁片磁粉的取向裝置的實(shí)現(xiàn)方法,其特征在于,包括以下步驟:(一)、取向裝置包...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:劉立東,韓相華,郝斌,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:橫店集團(tuán)東磁股份有限公司,
類型:發(fā)明
國(guó)別省市:浙江,33
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