The invention provides a preparation method of Zener diode and a zener diode. By forming the first doping region and the second doping region of different doping types which are transversely connected, a zener diode with transverse PN junction is made, which avoids the mask and doping steps that need to separate the doping region with larger depth from other doping regions when forming the longitudinal PN junction, and greatly reduces the homogeneity. The mask cost of nano-diodes.
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
齊納二極管的制備方法及齊納二極管
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種齊納二極管的制備方法及齊納二極管。
技術(shù)介紹
齊納二極管(Zenerdiode)，又可稱作穩(wěn)壓二極管，它利用的是pn結(jié)的反向擊穿狀態(tài)，即pn結(jié)反向擊穿時(shí)，電流變化范圍很大，而電壓卻基本不變，此時(shí)維持的電壓稱為擊穿電壓(BreakdownVoltage,也稱為穩(wěn)定電壓)，從而可以起到穩(wěn)壓的作用。齊納二極管已在集成電路領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用，主要作為穩(wěn)壓器及電壓基準(zhǔn)元件等。現(xiàn)有技術(shù)中，齊納二極管的反向擊穿電壓通常是由縱向pn結(jié)決定的。即，需要形成縱向疊層的p區(qū)及n區(qū)以形成pn結(jié)，因此，p區(qū)和n區(qū)中必有一個(gè)區(qū)域的摻雜深度較大，即摻雜深度大于其它摻雜區(qū)域的摻雜深度，故為了將該摻雜深度大的區(qū)域與其它摻雜區(qū)域區(qū)別開，必須要采用額外的掩膜板(mask)及相應(yīng)的掩膜步驟，這就導(dǎo)致了工藝成本的增加。故目前急需提出新的方法以降低現(xiàn)有齊納二極管過高的掩膜工藝成本。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種齊納二極管的制備方法及齊納二極管，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的具有縱向pn結(jié)的齊納二極管掩膜工藝成本過高的問題。為此，本專利技術(shù)提出了一種齊納二極管的制備方法，包括：提供一基底，在所述基底中形成一阱區(qū)；在所述阱區(qū)中形成摻雜類型不同的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述阱區(qū)、所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)暴露于所述基底的表面，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)橫向排列并且所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)相接，以使所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)的相接區(qū)域組成所述齊納二極管的pn結(jié)。優(yōu)選的，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)的形成方法包括：以...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種齊納二極管的制備方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底中形成一阱區(qū)；在所述阱區(qū)中形成摻雜類型不同的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述阱區(qū)、所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)暴露于所述基底的表面，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)橫向排列并且所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)相接，以使所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)的相接區(qū)域組成所述齊納二極管的pn結(jié)。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種齊納二極管的制備方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底中形成一阱區(qū)；在所述阱區(qū)中形成摻雜類型不同的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，所述阱區(qū)、所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)暴露于所述基底的表面，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)橫向排列并且所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)相接，以使所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)的相接區(qū)域組成所述齊納二極管的pn結(jié)。2.如權(quán)利要求1所述的齊納二極管的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)的形成方法包括：在所述基底中形成相互間隔的第一摻雜本體區(qū)和第二摻雜本體區(qū)，并對所述第一摻雜本體區(qū)和所述第二摻雜本體區(qū)執(zhí)行熱擴(kuò)散工藝，使第一摻雜本體區(qū)中的摻雜離子擴(kuò)散形成與所述第一摻雜本體區(qū)橫向相接的第一摻雜擴(kuò)散區(qū)，使所述第二摻雜本體區(qū)中的摻雜離子擴(kuò)散形成與所述第二摻雜本體區(qū)橫向相接的第二摻雜擴(kuò)散區(qū)；其中，所述第一摻雜擴(kuò)散區(qū)和所述第二摻雜擴(kuò)散區(qū)橫向相接；所述第一摻雜本體區(qū)和所述第一摻雜擴(kuò)散區(qū)組成所述第一摻雜區(qū)，所述第二摻雜本體區(qū)和所述第二摻雜擴(kuò)散區(qū)組成所述第二摻雜區(qū)。3.如權(quán)利要求2所述的齊納二極管的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜本體區(qū)和所述第二摻雜本體區(qū)的形成方法包括：在所述基底上形成一本體區(qū)硬掩膜層，所述本體區(qū)硬掩膜層覆蓋部分所述阱區(qū)；在所述基底上形成一本體區(qū)第一掩膜層，所述本體區(qū)第一掩膜層覆蓋部分所述阱區(qū)和所述本體區(qū)硬掩膜層的部分，以利用所述本體區(qū)第一掩膜層和本體區(qū)硬掩膜層中暴露出所述阱區(qū)的開口作為第一摻雜開口，形成所述第一摻雜本體區(qū)；在所述基底上形成一本體區(qū)第二掩膜層，所述本體區(qū)第二掩膜層覆蓋部分所述阱區(qū)和所述本體區(qū)硬掩膜層的部分，以利用所述本體區(qū)第二掩膜層和本體區(qū)硬掩膜層中暴露出所述阱區(qū)的開口作為第二摻雜開口，形成所述第二摻雜本體區(qū)；其中，所述本體區(qū)硬掩膜層位于所述第一摻雜本體區(qū)和所述第二摻雜本體區(qū)之間的所述阱區(qū)上方。4.如權(quán)利要求3所述的齊納二極管的制備方法，其特征在于，所述本體區(qū)硬掩膜層還用于界定出后續(xù)形成的所述第一摻雜擴(kuò)散區(qū)和第二摻雜擴(kuò)散區(qū)的橫向長度之和，通過控制所述本體區(qū)硬掩膜層的尺寸以控制所述橫向長度之和，實(shí)現(xiàn)對所述齊納二極管的反向擊穿電壓的調(diào)整；其中，所述橫向長度之和為所述第一摻雜擴(kuò)散區(qū)和所述第二摻雜擴(kuò)散區(qū)沿橫向擴(kuò)散方向上的長度之和。5.如權(quán)利要求3所述的齊納二極管的制備方法，其特征在于，所述本體區(qū)硬掩膜層的形成方法包括：形成一多晶硅柵；在所述多晶硅柵兩側(cè)形成側(cè)墻，所述多晶硅柵和所述側(cè)墻共同構(gòu)成所述本體區(qū)硬掩膜層。6.如權(quán)利要求5所述的齊納二極管的制備方法，其特征在于...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：孫玉紅，
申請(專利權(quán))人：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：上海,31
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