半導體結構制造技術

本實用新型專利技術涉及一種半導體結構，包括：基底以及位于所述基底上的若干分立的犧牲層；位于所述犧牲層側壁表面的緩沖層，所述緩沖層的材料含有有機基團以及無機成分；位于所述緩沖層表面的側墻層，且所述緩沖層位于所述側墻層與所述犧牲層之間。本實用新型專利技術能夠改善自對準圖形的圖形質量，提高半導體生產(chǎn)良率。

Semiconductor structure

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
半導體結構
本技術涉及半導體
，特別涉及一種半導體結構。
技術介紹
半導體技術在摩爾定律的驅動下持續(xù)地朝更小的工藝節(jié)點邁進。隨著半導體技術的不斷進步，器件的功能不斷強大，半導體制造難度也與日俱增。光刻技術是半導體制造工藝中最為關鍵的生產(chǎn)技術，隨著半導體工藝節(jié)點的不斷減小，現(xiàn)有的光刻技術已經(jīng)無法滿足半導體制造的需求。雙重圖形化(DP：Double-Patterning)技術甚至多重圖形化技術成為了業(yè)界的最佳選擇之一，雙重圖形化技術只需要對現(xiàn)有的光刻基礎設施進行很小的改動，就可以有效地填補更小節(jié)點的光刻技術空白，改進相鄰半導體圖形之間的最小間距(pitch)。雙重圖形化技術的原理是將一套高密度的圖形分解成兩套分立的、密度低一些的圖形，然后將它們制備到晶圓上。現(xiàn)有技術的雙重圖形化技術主要有：自對準雙重圖形化(SADP：Self-AlignedDouble-Patterning)、二次光刻和刻蝕工藝(LELE：Litho-Eth-Litho-Eth)。然而，現(xiàn)有技術形成的半導體結構的性能仍有待提高。
技術實現(xiàn)思路
本技術實施例解決的技術問題為提供一種半導體結構，改善自對準圖形化的圖形質量，提高生產(chǎn)良率。為解決上述技術問題，本技術實施例提供一種半導體結構，包括：基底以及位于所述基底上的若干分立的犧牲層；位于所述犧牲層側壁表面的緩沖層，所述緩沖層的材料含有有機基團以及無機成分；位于所述緩沖層表面的側墻層，且所述緩沖層位于所述側墻層與所述犧牲層之間。與現(xiàn)有技術相比，本技術實施例提供的技術方案具有以下優(yōu)點：本技術實施例提供一種結構性能優(yōu)越的半導體結構，在犧牲層與側墻層之間設置有緩沖層，且緩沖層的材料中具有有機基團以及無機成分，有機基團與犧牲層材料之間具有相容性，使得緩沖層與犧牲層之間的界面不僅具有良好的結合作用且界面處的應力小；緩沖層中的無機成分與側墻層之間通過化學鍵結合，且緩沖層與側墻層之間的應力也相對較小。并且，由于緩沖層位于所述犧牲層與側墻層之間，避免了犧牲層與側墻層直接接觸而造成的界面應力大的問題。由此，后續(xù)在去除犧牲層后，避免了由于應力而造成的側墻層發(fā)生傾斜或者倒塌的問題，使得側墻層的圖形形貌能夠保持不變，從而提高自對準圖形化的圖形質量，提高半導體結構的生產(chǎn)良率。附圖說明一個或多個實施例通過與之對應的附圖中的圖片進行示例性說明，這些示例性說明并不構成對實施例的限定，附圖中具有相同參考數(shù)字標號的元件表示為類似的元件，除非有特別申明，附圖中的圖不構成比例限制。圖1至圖4為一種半導體結構形成方法各步驟對應的剖面結構示意圖；圖5至圖13為本技術實施例提供的半導體結構形成方法各步驟對應的結構示意圖。具體實施方式由
技術介紹
可知，現(xiàn)有形成的半導體結構的性能存在需要改進的地方。現(xiàn)結合一種半導體結構的形成方法進行分析，圖1至圖4為一種半導體結構形成方法各步驟對應的剖面結構示意圖。參考圖1，提供基底100，在所述基底100上形成若干分立的犧牲層101。參考圖2，在所述犧牲層101頂部和側壁、以及所述基底上形成側墻膜102，所述側墻膜102保型覆蓋所述犧牲層101。參考圖3，回刻蝕(etchback)所述側墻膜102(參考圖2)，刻蝕去除位于所述犧牲層101頂部的側墻膜102，且還刻蝕去除基底100上的側墻膜102，形成覆蓋所述犧牲層101側壁的側墻層103。參考圖4，去除所述犧牲層101(參考圖3)。后續(xù)的步驟包括：以所述側墻層103為掩膜，刻蝕所述基底100，形成目標圖形。在去除犧牲層101后發(fā)現(xiàn)，側墻層103會朝向犧牲層101原本所在的位置變形、傾斜或者倒塌等，導致側墻層103的位置偏離設計目標，側墻層103的位置偏離角度為θ，嚴重的，還會出現(xiàn)側墻層103倒塌的問題。當以所述側墻層103為掩膜刻蝕基底100時，形成的目標圖形也將不再符合工藝需求。進一步分析發(fā)現(xiàn)，造成上述問題的原因包括：所述犧牲層101的材料通常為有機材料如光刻膠，而所述側墻層103的材料通常為無機材料如氮化硅，犧牲層101與側墻層103材料之間的晶格常數(shù)相差較大，也就是說，犧牲層101與側墻層103之間的晶格結構差異大，因此，犧牲層101與側墻層103之間存在較大的應力。當犧牲層101被去除后，犧牲層101一側的應力會使側墻層103向中間變形、傾斜甚至倒塌。為解決上述問題，本技術實施例提供一種半導體結構的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有若干分立的犧牲層；在所述犧牲層側壁表面形成緩沖層，所述緩沖層的材料中具有有機基團以及無機成分；在所述緩沖層表面形成側墻層，且所述緩沖層位于所述側墻層與所述犧牲層之間；去除所述犧牲層；以所述側墻層和所述緩沖層為掩膜，刻蝕所述基底。由于緩沖層在犧牲層與側墻層之間起到應力緩沖的作用，從而避免去除犧牲層后由于應力導致的側墻層變形在傾斜的問題，保證側墻層始終具有良好的圖形形貌，從而提高刻蝕基底后形成的圖形質量，改善半導體結構的生產(chǎn)良率。為使本技術實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本技術的各實施例進行詳細的闡述。然而，本領域的普通技術人員可以理解，在本技術各實施例中，為了使讀者更好地理解本申請而提出了許多技術細節(jié)。但是，即使沒有這些技術細節(jié)和基于以下各實施例的種種變化和修改，也可以實現(xiàn)本申請所要求保護的技術方案。圖5至圖13為本技術實施例提供的半導體結構形成方法各步驟對應的結構示意圖。參考圖5，提供基底，所述基底上形成有若干分立的犧牲層202。所述基底包括襯底200以及位于所述襯底200表面的待刻蝕層201。其中，所述襯底200可以為硅襯底、鍺襯底、鍺化硅襯底、碳化硅襯底、III-V族襯底或者藍寶石襯底。本實施例中，以半導體結構的形成方法應用于半導體制程中的后端工藝(BOEL，Back-endofLine)為例。所述待刻蝕層201包括至少一層介質層(dielectriclayer)以及位于所述介質層內的互連結構。所述待刻蝕層201還可以包括：位于所述介質層表面的硬掩膜層(未圖示)，后續(xù)圖形化所述硬掩膜層，將圖形化后的硬掩膜層作為掩膜刻蝕介質層。所述硬掩膜層的材料可以為介質掩膜材料、金屬掩膜材料或者金屬化合物掩膜材料。在其他實施例中，半導體結構的形成方法還可以應用于半導體制程中的前端工藝(FOEL，F(xiàn)ront-endofLine)，相應的待刻蝕層可以為柵介質層、柵極層或者硬掩膜層。本實施例中，所述犧牲層202為光刻膠層。形成所述犧牲層202的工藝步驟包括：在所述基底表面形成光刻膠膜；對所述光刻膠膜進行曝光處理以及顯影處理，形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層作為所述犧牲層202。參考圖6，在所述犧牲層202側壁表面形成緩沖層203，所述緩沖層203的材料中含有有機基團以及無機成分。本實施例中，形成的所述緩沖層203還位于所述犧牲層20本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：/n基底以及位于所述基底上的若干分立的犧牲層；/n位于所述犧牲層側壁表面的緩沖層，所述緩沖層的材料含有有機基團以及無機成分；/n位于所述緩沖層表面的側墻層，且所述緩沖層位于所述側墻層與所述犧牲層之間。/n

【技術特征摘要】
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
基底以及位于所述基底上的若干分立的犧牲層；
位于所述犧牲層側壁表面的緩沖層，所述緩沖層的材料含有有機基團以及無機成分；
位于所述緩沖層表面的側墻層，且所述緩沖層位于所述側墻層與所述犧牲層之間。


2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述緩沖層還位于所述側墻層與所述基底之間。


3.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述側墻層還與所述基底部分表面相接觸。


4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述緩沖層的厚度為5埃～20埃。


5.如權利要求1所述的半...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：董鵬，
申請(專利權)人：長鑫存儲技術有限公司，
類型：新型
國別省市：安徽;34