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本實用新型涉及一種半導體結構，包括：基底以及位于所述基底上的若干分立的犧牲層；位于所述犧牲層側壁表面的緩沖層，所述緩沖層的材料含有有機基團以及無機成分；位于所述緩沖層表面的側墻層，且所述緩沖層位于所述側墻層與所述犧牲層之間。本實用新型能夠改...該專利屬于長鑫存儲技術有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過長鑫存儲技術有限公司授權不得商用。
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本實用新型涉及一種半導體結構，包括：基底以及位于所述基底上的若干分立的犧牲層；位于所述犧牲層側壁表面的緩沖層，所述緩沖層的材料含有有機基團以及無機成分；位于所述緩沖層表面的側墻層，且所述緩沖層位于所述側墻層與所述犧牲層之間。本實用新型能夠改...