MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試校準(zhǔn)裝置及方法制造方法及圖紙

本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)提供了一種MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試校準(zhǔn)裝置及方法，屬于MOSFET器件測(cè)試校準(zhǔn)技術(shù)領(lǐng)域。所述裝置包括具有測(cè)試爪和導(dǎo)軌的分選機(jī)、能夠通過(guò)測(cè)試線(xiàn)與分選機(jī)電連接的測(cè)試儀、與測(cè)試儀配套的軟件、開(kāi)路校準(zhǔn)管、短路校準(zhǔn)單元和標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元。所述方法包括：S1、短路校準(zhǔn)；S2、開(kāi)路校準(zhǔn)并得到第一校準(zhǔn)數(shù)據(jù)；S3、判斷第一校準(zhǔn)數(shù)據(jù)是否合格，如合格，則保存第一校準(zhǔn)數(shù)據(jù)并進(jìn)入步驟S4；S4、使用與測(cè)試儀配套的軟件對(duì)標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)，得到第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)；S5、判斷第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)是否合格，如合格，則保存并燒寫(xiě)第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)的有益效果包括：能夠消除校準(zhǔn)測(cè)試時(shí)測(cè)試線(xiàn)、測(cè)試爪的線(xiàn)阻，得到更準(zhǔn)確的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試校準(zhǔn)裝置及方法
本專(zhuān)利技術(shù)涉及半導(dǎo)體器件處理過(guò)程中的測(cè)試方法，具體來(lái)講，涉及一種MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試校準(zhǔn)裝置及方法。
技術(shù)介紹
MOSFET器件（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，也可稱(chēng)為MosFet器件）的高速開(kāi)關(guān)性能測(cè)量對(duì)測(cè)試電路上的雜散元件（例如電容、電感和電阻）的影響非常敏感。目前一般是通過(guò)由測(cè)試儀輸出交流信號(hào)到被測(cè)器件，再對(duì)被測(cè)器件進(jìn)行采樣，根據(jù)采樣值計(jì)算出被測(cè)器件的Rg和Ciss、Coss、Crss等電阻和電容參數(shù)，再根據(jù)Rg計(jì)算得到MOSFET的等效串聯(lián)電阻（ESR），以保證MosFet器件的高速切換一致性。在測(cè)試前必須要進(jìn)行校準(zhǔn)和調(diào)零，消除測(cè)試線(xiàn)等的線(xiàn)阻對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)精度的影響。目前的校準(zhǔn)方式只能使用手測(cè)座手動(dòng)測(cè)試而無(wú)法使用測(cè)試儀和分選機(jī)自動(dòng)測(cè)試。這是因?yàn)榉诌x機(jī)主要用于MOSFET器件的測(cè)試分選，現(xiàn)目前的校準(zhǔn)裝置無(wú)法放置到分選機(jī)上進(jìn)行測(cè)試，而采用手測(cè)座測(cè)試校準(zhǔn)，由于外圍寄生電阻和寄生電容會(huì)導(dǎo)致校準(zhǔn)精度較低不利于后續(xù)分選工作。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專(zhuān)利技術(shù)的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足中的至少一項(xiàng)。例如，本專(zhuān)利技術(shù)的目的之一在于提供一種能夠使用測(cè)試儀和分選機(jī)來(lái)進(jìn)行MOSFET器件的交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試前的測(cè)試和校準(zhǔn)，從而提高測(cè)試和校準(zhǔn)的效率和精度的裝置和方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本專(zhuān)利技術(shù)的一方面提供了一種MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試校準(zhǔn)裝置，所述裝置包括具有測(cè)試爪和導(dǎo)軌的分選機(jī)、能夠通過(guò)測(cè)試線(xiàn)與分選機(jī)電連接的測(cè)試儀、與測(cè)試儀配套的軟件、開(kāi)路校準(zhǔn)管、短路校準(zhǔn)單元以及標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元。所述短路校準(zhǔn)單元具有第一短路校準(zhǔn)管、第二短路校準(zhǔn)管以及第三短路校準(zhǔn)管。所述第一短路校準(zhǔn)管具有第一柵極引腳、第一源極引腳以及第一漏極引腳，且被配置為第一源極引腳與第一漏極引腳短路連接的標(biāo)準(zhǔn)封裝件。所述第一柵極引腳能夠與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第一源極引腳能夠與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第一漏極引腳能夠與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接。所述第二短路校準(zhǔn)管具有第二柵極引腳、第二源極引腳以及第二漏極引腳，且被配置為第二柵極引腳與第二漏極引腳短路連接的標(biāo)準(zhǔn)封裝件。所述第二柵極引腳能夠與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第二源極引腳能夠與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第二漏極引腳能夠與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接。所述第三短路校準(zhǔn)管具有第三柵極引腳、第三源極引腳以及第三漏極引腳，且被配置為第三柵極引腳、第三源極引腳與第三漏極引腳相互短路連接的標(biāo)準(zhǔn)封裝件。所述第三柵極引腳能夠與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第三源極引腳能夠與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第三漏極引腳能夠與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接。所述開(kāi)路校準(zhǔn)管具有第四柵極引腳、第四源極引腳以及第四漏極引腳，并且被配置為標(biāo)準(zhǔn)封裝件。所述第四柵極引腳能夠與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第四源極引腳能夠與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第四漏極引腳能夠與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接。所述標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元包括至少10只標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管，所述標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元的每一只標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管均被配置為電容值和電阻值已知的標(biāo)準(zhǔn)封裝件。本專(zhuān)利技術(shù)的另一方面提供了一種使用上述裝置實(shí)現(xiàn)的MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試校準(zhǔn)方法。所述方法包括步驟：S1、將第一短路校準(zhǔn)管、第二短路校準(zhǔn)管和第三短路校準(zhǔn)管依次放入分選機(jī)的導(dǎo)軌并連接到分選機(jī)的測(cè)試爪，使用與測(cè)試儀配套的軟件進(jìn)行短路校準(zhǔn)；S2、將開(kāi)路校準(zhǔn)管放入分選機(jī)的導(dǎo)軌并連接到分選機(jī)的測(cè)試爪，使用與測(cè)試儀配套的軟件進(jìn)行開(kāi)路校準(zhǔn)，得到第一校準(zhǔn)數(shù)據(jù)；S3、判斷第一校準(zhǔn)數(shù)據(jù)是否合格，如合格，則保存第一校準(zhǔn)數(shù)據(jù)并進(jìn)入步驟S4，如不合格，則重連測(cè)試爪、測(cè)試線(xiàn)后重復(fù)步驟S1和步驟S2直至合格；S4、將標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元的每一只標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管依次放入分選機(jī)的導(dǎo)軌并連接到分選機(jī)的測(cè)試爪，同時(shí)將每一只標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管的實(shí)際C值和實(shí)際R值寫(xiě)入所述測(cè)試儀配套軟件，使用與測(cè)試儀配套的軟件對(duì)標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)，得到第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，并測(cè)得全部標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管的校準(zhǔn)前C值、校準(zhǔn)后C值、校準(zhǔn)前R值和校準(zhǔn)后R值；S5、判斷第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)是否合格，如合格，則保存并燒寫(xiě)第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，如不合格，則重復(fù)步驟S4直至合格。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專(zhuān)利技術(shù)的有益效果可包括：能夠直接使用分選機(jī)進(jìn)行校準(zhǔn)和調(diào)零，消除測(cè)試線(xiàn)、測(cè)試爪以及測(cè)試座前端的線(xiàn)阻影響；更加方便快捷；能夠得到更準(zhǔn)確的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，進(jìn)而保證測(cè)得的MOSFET器件的交流動(dòng)態(tài)參數(shù)更準(zhǔn)確和穩(wěn)定。附圖說(shuō)明圖1示出了本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)示例性實(shí)施例中的短路校準(zhǔn)單元的示例圖；圖2示出了本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)示例性實(shí)施例中的開(kāi)路校準(zhǔn)管的示例圖；圖3示出了本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)示例性實(shí)施例中的標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元的至少10只標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管的其中一只的示例圖和原理圖。具體實(shí)施方式在下文中，將結(jié)合示例性實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本專(zhuān)利技術(shù)的MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試校準(zhǔn)裝置及方法。本文中，“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”等僅僅是為了方便描述和便于區(qū)分，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或具有嚴(yán)格的順序性。實(shí)施例1在本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)示例性實(shí)施例中，MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試校準(zhǔn)裝置包括具有測(cè)試爪和導(dǎo)軌的分選機(jī)、能夠通過(guò)測(cè)試線(xiàn)與分選機(jī)電連接的測(cè)試儀(例如T342測(cè)試站)、與測(cè)試儀配套的軟件（例如T324A安裝）、開(kāi)路校準(zhǔn)管、短路校準(zhǔn)單元以及標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元。所述測(cè)試爪具有第一電連接點(diǎn)、第二電連接點(diǎn)、第三電連接點(diǎn)、第四電連接點(diǎn)、第五電連接點(diǎn)、以及第六電連接點(diǎn)。所述短路校準(zhǔn)單元包括第一短路校準(zhǔn)管、第二短路校準(zhǔn)管以及第三短路校準(zhǔn)管，例如圖1所示。所述標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元具有至少10只標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管。所述第一短路校準(zhǔn)管、第二短路校準(zhǔn)管、第三短路校準(zhǔn)管、開(kāi)路校準(zhǔn)管以及標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元的每一只標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管均被配置為標(biāo)準(zhǔn)封裝件，例如TO系列封裝，如TO20或TO20F標(biāo)準(zhǔn)封裝。所述第一短路校準(zhǔn)管具有第一柵極引腳、第一源極引腳以及第一漏極引腳。所述第一源極引腳與第一漏極引腳通過(guò)設(shè)置在標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)的連線(xiàn)短路連接。所述第一短路校準(zhǔn)管能通過(guò)第一柵極引腳與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)的電連接、第一源極引腳與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)的電連接、以及第一漏極引腳與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)的電連接與分選機(jī)進(jìn)行電連接，進(jìn)而與測(cè)試儀進(jìn)行電連接。所述第二短路校準(zhǔn)管具有第二柵極引腳、第二源極引腳以及第二漏極引腳。所述第二柵極引腳與第二漏極引腳通過(guò)設(shè)置在標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)的連線(xiàn)短路連接。所述第二短路校準(zhǔn)管能通過(guò)第二柵極引腳與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)的電連接、第二源極引腳與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)的電連接、以及第二漏極引腳與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)的電連接與分選機(jī)進(jìn)行電連接，進(jìn)而與測(cè)試儀進(jìn)行電連接。所述第三短路校準(zhǔn)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試校準(zhǔn)裝置，包括具有測(cè)試爪和導(dǎo)軌的分選機(jī)、能夠通過(guò)測(cè)試線(xiàn)與分選機(jī)電連接的測(cè)試儀、以及與測(cè)試儀配套的軟件，其特征在于，還包括開(kāi)路校準(zhǔn)管、短路校準(zhǔn)單元以及標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元，其中，/n所述測(cè)試爪具有第一電連接點(diǎn)、第二電連接點(diǎn)、第三電連接點(diǎn)、第四電連接點(diǎn)、第五電連接點(diǎn)、以及第六電連接點(diǎn)；/n所述短路校準(zhǔn)單元具有第一短路校準(zhǔn)管、第二短路校準(zhǔn)管以及第三短路校準(zhǔn)管，/n其中，所述第一短路校準(zhǔn)管具有第一柵極引腳、第一源極引腳以及第一漏極引腳，且被配置為第一源極引腳與第一漏極引腳短路連接的標(biāo)準(zhǔn)封裝件，所述第一柵極引腳能夠與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第一源極引腳能夠與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第一漏極引腳能夠與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，/n所述第二短路校準(zhǔn)管具有第二柵極引腳、第二源極引腳以及第二漏極引腳，且被配置為第二柵極引腳與第二漏極引腳短路連接的標(biāo)準(zhǔn)封裝件，所述第二柵極引腳能夠與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第二源極引腳能夠與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第二漏極引腳能夠與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，/n所述第三短路校準(zhǔn)管具有第三柵極引腳、第三源極引腳以及第三漏極引腳，且被配置為第三柵極引腳、第三源極引腳與第三漏極引腳相互短路連接的標(biāo)準(zhǔn)封裝件，所述第三柵極引腳能夠與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第三源極引腳能夠與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第三漏極引腳能夠與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接；/n所述開(kāi)路校準(zhǔn)管具有第四柵極引腳、第四源極引腳以及第四漏極引腳，并且被配置為標(biāo)準(zhǔn)封裝件，所述第四柵極引腳能夠與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第四源極引腳能夠與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第四漏極引腳能夠與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接；/n所述標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元包括至少10只標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管，所述標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元的每一只標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管均被配置為電容值和電阻值已知的標(biāo)準(zhǔn)封裝件。/n...

【技術(shù)特征摘要】
1.一種MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試校準(zhǔn)裝置，包括具有測(cè)試爪和導(dǎo)軌的分選機(jī)、能夠通過(guò)測(cè)試線(xiàn)與分選機(jī)電連接的測(cè)試儀、以及與測(cè)試儀配套的軟件，其特征在于，還包括開(kāi)路校準(zhǔn)管、短路校準(zhǔn)單元以及標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元，其中，
所述測(cè)試爪具有第一電連接點(diǎn)、第二電連接點(diǎn)、第三電連接點(diǎn)、第四電連接點(diǎn)、第五電連接點(diǎn)、以及第六電連接點(diǎn)；
所述短路校準(zhǔn)單元具有第一短路校準(zhǔn)管、第二短路校準(zhǔn)管以及第三短路校準(zhǔn)管，
其中，所述第一短路校準(zhǔn)管具有第一柵極引腳、第一源極引腳以及第一漏極引腳，且被配置為第一源極引腳與第一漏極引腳短路連接的標(biāo)準(zhǔn)封裝件，所述第一柵極引腳能夠與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第一源極引腳能夠與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第一漏極引腳能夠與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，
所述第二短路校準(zhǔn)管具有第二柵極引腳、第二源極引腳以及第二漏極引腳，且被配置為第二柵極引腳與第二漏極引腳短路連接的標(biāo)準(zhǔn)封裝件，所述第二柵極引腳能夠與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第二源極引腳能夠與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第二漏極引腳能夠與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，
所述第三短路校準(zhǔn)管具有第三柵極引腳、第三源極引腳以及第三漏極引腳，且被配置為第三柵極引腳、第三源極引腳與第三漏極引腳相互短路連接的標(biāo)準(zhǔn)封裝件，所述第三柵極引腳能夠與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第三源極引腳能夠與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第三漏極引腳能夠與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接；
所述開(kāi)路校準(zhǔn)管具有第四柵極引腳、第四源極引腳以及第四漏極引腳，并且被配置為標(biāo)準(zhǔn)封裝件，所述第四柵極引腳能夠與測(cè)試爪的第一電連接點(diǎn)和第二電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第四源極引腳能夠與測(cè)試爪的第三電連接點(diǎn)和第四電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接，第四漏極引腳能夠與測(cè)試爪的第五電連接點(diǎn)和第六電連接點(diǎn)進(jìn)行電連接；
所述標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元包括至少10只標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管，所述標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元的每一只標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管均被配置為電容值和電阻值已知的標(biāo)準(zhǔn)封裝件。


2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元由15只標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管組成。


3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)單元的每一只標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)管的電阻值R均小于10Ω，且電容值C均在0.1～20nF之間。


4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述標(biāo)準(zhǔn)封裝為T(mén)O封裝。


5.一種使用如權(quán)利要求1～4中任意一項(xiàng)所述的MOSFET器件交流動(dòng)態(tài)參...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳明，李力，李治全，冷祥偉，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：四川立泰電子有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：四川;51