具有自動錯誤修復機制的存儲器存儲裝置和其方法制造方法及圖紙

本發明專利技術針對一種存儲器存儲裝置和其自動錯誤修復方法。在一方面，存儲器存儲裝置包含：連接接口，配置成接收寫入命令和與寫入命令相關聯的字線地址；存儲器陣列，包含具有錯誤校正碼(ECC)檢測器、由字線地址控制的多個存儲器單元以及由冗余字線地址控制的多個冗余存儲器單元的存儲器庫；熔絲熔斷控制器，配置成接收字線地址以熔斷字線地址的電熔絲以啟動多個冗余存儲器單元；以及存儲器控制電路，配置成響應于電熔絲已熔斷，通過位線將數據從多個存儲器單元傳送到多個冗余存儲器單元中。

【技術實現步驟摘要】
具有自動錯誤修復機制的存儲器存儲裝置和其方法
本專利技術針對一種具有自動錯誤修復機制的存儲器存儲裝置和由存儲器存儲裝置使用的自動錯誤修復方法。
技術介紹
當前，由于存儲在存儲器存儲裝置中的用戶數據預期是高度可靠的，典型存儲器存儲裝置應用特定錯誤校正碼(errorcorrectioncode；ECC)技術，以檢測位故障(bitfailures)且隨后恢復與位故障相關聯的數據。如果存儲器存儲裝置中的單元遭到損壞或變得更弱，那么存儲在受損單元中的存儲位(memorybits)可通過ECC來檢測。然而，通過ECC可能無法修復物理上損壞或磨損(wornout)的單元，且由此存儲在這些受損單元上的存儲位將很可能繼續發生故障。此外，ECC只能夠修復預定數目的位。如果相同列地址或行地址中除了預定數目的位之外的一個或多個額外位出現故障，那么無法通過ECC來修復數據。由于任何ECC技術對于修復所存存儲儲位都具有限制，因此在例如單元到單元短路(celltocellshort)、字線方向故障(例如，浮動字線、字線短路到位線等)等的情況下，存儲器存儲裝置可經歷不可修復的錯誤。在存儲器存儲裝置已出售給客戶且處于正常操作之后，必須在由其產品規格預先確定的指定時間段內自動修復位故障，且位故障可能不會超過所使用的ECC方案的最大能力。此類問題對于需要高可靠性的存儲器存儲裝置來說可為致命的。因此，一旦存儲器存儲裝置在出售給用戶之后處于正常操作，如果可自動檢測且物理上修復故障位，那么故障的機率可大大降低。修復故障位的一種方式是在故障嘗試(failureattempt)之后使用冗余存儲塊(redundantmemoryblock)用于存儲數據和地址。然而，此類方案將常常涉及通過數據線讀取數據和/或寫入數據。當整合到現有體系結構中時，此類方案將具有困難，由于數據線不僅由冗余存儲塊使用，而且每當接收寫入命令時由正常操作使用。
技術實現思路
因此，本專利技術針對一種具有自動誤差修復機制的存儲器存儲裝置和由存儲器存儲裝置使用的自動誤差修復方法。在一方面中，本專利技術針對一種存儲器存儲裝置，所述存儲器存儲裝置將包含不限于：存儲器存儲裝置，所述存儲器存儲裝置包含：連接接口，配置成接收寫入命令和與所述寫入命令相關聯的字線地址；存儲器陣列，包含存儲器庫，所述存儲器庫包含ECC檢測器、由字線地址控制的多個存儲器單元以及由冗余字線地址控制的多個冗余存儲器單元；熔絲熔斷控制器，配置成接收所述字線地址以熔斷所述字線地址的電熔絲以啟動所述多個冗余存儲器單元；以及存儲器控制電路，耦接到連接接口、存儲器陣列以及熔絲熔斷控制器，且配置成：響應于接收所述寫入命令或讀取命令對所述多個存儲器單元執行寫入操作或讀取操作；響應于檢測到來自所述寫入操作或讀取操作的錯誤，從所述ECC檢測器接收故障指示；響應于接收所述故障指示，熔斷所述字線地址的所述電熔絲以啟動所述多個冗余存儲器單元；以及響應于所述電熔絲已熔斷，通過位線將數據從所述多個存儲器單元傳送到所述多個冗余存儲器單元中。在一方面中，本專利技術針對一種由所述存儲器存儲裝置使用的自動錯誤修復方法。所述方法將包含不限于：接收寫入命令和與所述寫入命令相關聯的字線地址；響應于接收所述寫入命令或讀取命令，對由存儲器陣列的字線地址控制的所述多個存儲器單元執行寫入操作或讀取操作，其中所述存儲器陣列包含存儲器庫，所述存儲器庫包括ECC檢測器、所述多個存儲器單元以及由冗余字線地址控制的多個冗余存儲器單元；響應于檢測到來自所述寫入操作或讀取操作的錯誤，從所述ECC檢測器接收故障指示；響應于接收所述故障指示，熔斷所述字線地址的所述電熔絲以啟動所述多個冗余存儲器單元；以及響應于所述電熔絲已熔斷，通過位線將數據從所述多個存儲器單元傳送到所述多個冗余存儲器單元中。為了使得本專利技術的前述特征和優點便于理解，下文詳細描述附有附圖的示例性實施例。應理解，前文總體描述以及以下詳細描述都是示例性的，且意圖提供對所主張的本專利技術的進一步說明。然而，應理解，本
技術實現思路
可并不含有本專利技術的所有方面和實施例，且因此不希望用任何方式加以限制或約束。此外，本專利技術將包含對本領域的技術人員顯而易見的改進和修改。附圖說明包含附圖以提供對本專利技術的進一步理解，且附圖并入本說明書中并構成本說明書的一部分。附圖示出本專利技術的實施例，且與描述一起用于解釋本專利技術的原理。圖1是示出根據本專利技術的示例性實施例中的一個具有自動錯誤修復機制的存儲器存儲裝置的框圖的硬件圖；圖2是示出根據本專利技術的示例性實施例中的一個由存儲器存儲裝置使用的自動錯誤修復方法的流程圖；圖3是進一步詳細示出根據本專利技術的示例性實施例中的一個的自動錯誤修復方法的流程圖；圖4示出根據本專利技術的示例性實施例中的一個通過電熔絲技術的故障修復的實例；圖5是根據本專利技術的示例性實施例中的一個將數據“1”從故障字線地址復制到冗余字線地址的復制功能的時序圖；圖6是根據本專利技術的示例性實施例中的一個將數據“0”從故障字線地址復制到冗余字線地址的復制功能的時序圖；圖7進一步詳細示出根據本專利技術的示例性實施例中的一個具有自動錯誤修復機制的存儲器存儲裝置的硬件圖；圖8示出根據本專利技術的示例性實施例中的一個將數據從由字線(已通過透視位線中的每一個檢測到為故障)控制的存儲器單元傳送到由冗余字線控制的冗余存儲器單元中的實例。附圖標號說明100：存儲器存儲裝置；110：連接接口；130：存儲器控制電路；150、704：存儲器陣列；151：ECC檢測器；170、706：熔絲熔斷控制器；400：存儲塊；501、602：位線電壓；502、601：位線條電壓；503、603：WL(j)電壓；504、604：原始存儲數據；505、605：冗余存儲數據；701：地址緩沖器；702：命令解碼器；703：行地址閂鎖；705：故障地址閂鎖；707：刷新地址閂鎖；708：刷新地址計數器；709：自動刷新或自刷新控制電路；401：存儲塊1；402：字線地址WL(i)；403：字線地址WL(j)；SA1、SA2、SA：感測放大器；WL(i)、WL(k)：字線；WL(j)、WL(1)：冗余字線；BL：位線；BLB：位線條；BLSA：位線感測放大器；S201、S203、S205、S207、S209、S301、S302、S303、S304、S305、S306、S307、S308、S309、S310、S311、S312：步驟。具體實施方式現在將詳細參考本專利技術的當前示例性實施例，附圖中示出了所述示例性實施例的實例。只要可能，相同附圖標號在附圖和描述中用以指代相同或相似部件。為了解決前述難題，本專利技術提供一種具有自動錯誤修復機制的存儲器存儲裝置和自動錯誤修復方法，所述本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種存儲器存儲裝置，包括：/n連接接口，配置成接收寫入命令或讀取命令以及與所述寫入命令或讀取命令相關聯的字線地址；/n存儲器陣列，包括存儲器庫，所述存儲器庫包括錯誤校正碼(ECC)檢測器、由字線地址控制的多個存儲器單元以及由冗余字線地址控制的多個冗余存儲器單元；/n熔絲熔斷控制器，配置成接收所述字線地址以熔斷所述字線地址的電熔絲以啟動所述多個冗余存儲器單元，以及/n存儲器控制電路，耦接到所述連接接口、所述存儲器陣列以及所述熔絲熔斷控制器，且配置成：/n響應于接收所述寫入命令或讀取命令，對所述多個存儲器單元執行寫入操作或讀取操作；/n響應于檢測來自所述寫入操作或讀取操作的錯誤，從所述錯誤校正碼檢測器接收故障指示；/n響應于接收所述故障指示，熔斷所述字線地址的所述電熔絲以啟動所述多個冗余存儲器單元；以及/n響應于所述電熔絲已熔斷，通過位線將數據從所述多個存儲器單元傳送到所述多個冗余存儲器單元中。/n

【技術特征摘要】
20200214 US 16/790,7501.一種存儲器存儲裝置，包括：
連接接口，配置成接收寫入命令或讀取命令以及與所述寫入命令或讀取命令相關聯的字線地址；
存儲器陣列，包括存儲器庫，所述存儲器庫包括錯誤校正碼(ECC)檢測器、由字線地址控制的多個存儲器單元以及由冗余字線地址控制的多個冗余存儲器單元；
熔絲熔斷控制器，配置成接收所述字線地址以熔斷所述字線地址的電熔絲以啟動所述多個冗余存儲器單元，以及
存儲器控制電路，耦接到所述連接接口、所述存儲器陣列以及所述熔絲熔斷控制器，且配置成：
響應于接收所述寫入命令或讀取命令，對所述多個存儲器單元執行寫入操作或讀取操作；
響應于檢測來自所述寫入操作或讀取操作的錯誤，從所述錯誤校正碼檢測器接收故障指示；
響應于接收所述故障指示，熔斷所述字線地址的所述電熔絲以啟動所述多個冗余存儲器單元；以及
響應于所述電熔絲已熔斷，通過位線將數據從所述多個存儲器單元傳送到所述多個冗余存儲器單元中。


2.根據權利要求1所述的存儲器存儲裝置，其中通過所述位線將所述數據從所述多個存儲器單元傳送到所述多個冗余存儲器單元中包括：
檢測自動刷新命令；以及
通過將所述數據從感測放大器復制到所述多個冗余存儲器單元中，將數據從所述多個存儲器單元通過所述位線傳送到所述多個冗余存儲器單元中。


3.根據權利要求2所述的存儲器存儲裝置，其中通過所述位線將所述數據從所述多個存儲器單元傳送到所述多個冗余存儲器單元中還包括：
通過所述位線將所述數據從所述多個存儲器單元傳送到所述多個冗余存儲器單元中，而無需通過數據線傳送所述數據。


4.根據權利要求1所述的存儲器存儲裝置，其中所述錯誤校正碼檢測器配置成：
執行錯誤校正碼檢查；
響應于所述錯誤校正碼檢查失敗，修復與所述字線地址相關聯的字線；以及
響應于未能修復所述數據，將所述故障指示發送到所述存儲器控制電路。


5.根據權利要求4所述的存儲器存儲裝置，其中響應于未能修復所述數據而將所述故障指示發送到所述存儲器控制電路包括：
響應于未能修復所述數據，將所述字線地址和錯誤校正碼故障標志發送到所述存儲器控制電路。


6.根據權利要求5所述的存儲器存儲裝置，其中所述熔絲熔斷控制器進一步配置為：
發送指示熔斷所述字線地址的所述電熔絲已完成的熔絲熔斷標志。


7.根據權利要求6所述的存儲器存儲裝置，其中所述存儲器控制電路進一步配置成：
響應于接收所述熔絲熔斷標志和所述錯誤校正碼故障標志，等待自動刷新命令或自刷新命令。


8.根據權利要求7所述的存儲器存儲裝置，其中所述存儲器控制電路進一步配置成：
響應于接收所述自動刷新命令或所述自刷新命令，刷新所述多個冗余存儲器單元。


9.根據權利要求5所述的存儲器存儲裝置，其中所述存儲器控制電路還包括：
刷新地址閂鎖，配置成接收所述錯誤校正碼故障標志和所述字線地址以用于執行所述多個冗余存儲器單元的刷新...

【專利技術屬性】
技術研發人員：樸山河，
申請(專利權)人：華邦電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71