【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及用于規定激光束照射到其上的照射表面的形狀的臺子。另外,本專利技術涉及激光照射裝置,其中激光束的能量分布在某特定區域上是均勻的。本專利技術還涉及使能量分布均勻的方法,以及實現均勻性的光學系統。此外,本專利技術涉及使激光束的能量分布在某特定區域均勻的方法,以及用激光束對半導體膜退火的方法(該方法在下文中稱作“激光退火”)。本專利技術還涉及制造半導體裝置的方法,該半導體裝置具有由薄膜晶體管(下文中稱作“TFT”)構造的電路,其包括激光退火工藝。例如,電光裝置,典型地液晶顯示器,和其中安裝這類電光裝置作為部件的電子設備都包括在半導體裝置這一類別中。也就是,整個技術說明中使用的術語“半導體裝置”指能夠利用半導體裝置性能起作用的通用裝置,電光裝置、半導體電路、和電子設備都落在半導體裝置的類別中。
技術介紹
最近已經對通過實施非晶半導體膜或結晶半導體膜(不是單晶的半導體膜,但是具有諸如多晶性或微晶性的結晶性)換言之,形成于諸如玻璃的絕緣襯底上的非單晶半導體膜的激光退火實施晶化、或提高結晶度的技術進行了廣泛地研究。諸如硅膜的膜經常用作半導體膜。與經常被使用的傳統石英襯底相比,玻璃襯底是低成本的,且能容易地做成大面積襯底。這是因為上述研究正積極地進行著。激光能將高能量只給予非單晶半導體膜,而不引起襯底溫度很大的變化,因而激光適用于對形成于具有低熔點溫度的玻璃襯低上的半導體膜退火(通常可利用的玻璃襯底的畸變溫度是600℃的數量級)。由激光退火形成的結晶半導體膜具有高遷移率。隨著有源矩陣液晶電光裝置的制造,通過使用結晶半導體膜、用于驅動像素并用在驅動電路中的TF ...
【技術保護點】
一種激光照射臺,包括:一個表面,在其上放置有被光束照射的物體,其中,所述表面給被光束照射的所述物體提供柱面形曲率。
【技術特征摘要】
JP 2001-6-15 181065/011.一種激光照射臺,包括一個表面,在其上放置有被光束照射的物體,其中,所述表面給被光束照射的所述物體提供柱面形曲率。2.一種激光照射臺,包括一個表面,在其上放置有被光束照射的物體,其中,所述表面提供曲率給將被光束照射的物體,其中,所述曲率半徑的中心和激光振蕩器之間的距離大于所述曲率半徑的中心和被光束照射的物體之間的距離。3.一種激光照射臺,包括一個表面,在其上放置有被光束照射的物體,其中,所述表面提供凹柱面形曲率給被光束照射的物體。4.一種激光照射裝置,包括激光振蕩器,第一裝置,用于在第一方向擴展發自所述激光振蕩器的激光束;第二裝置,用于在與所述第一方向正交的第二方向會聚所述激光束;以及第三裝置,用于提供給被以在所述第一方向擴展和在所述第二方向會聚的光束照射的一個物體一個照射表面并且相對于所述激光束移動所述照射表面。其中,所述照射表面具有在一個平行于所述第一方向的方向上的柱面形曲率,所述第三裝置包括第一表面,在其上放置有將被在所述第一方向上擴展和在所述第二方向會聚的光束照射的物體,該第一表面在平行于所述第一方向的所述方向上具有所述柱面形曲率。5.一種激光照射裝置,包括激光振蕩器,第一裝置,用于在第一方向擴展發自所述激光振蕩器的激光束;第二裝置,用于在與所述第一方向正交的第二方向會聚所述激光束;以及第三裝置,用于提供給被以在所述第一方向擴展和在所述第二方向會聚的光束照射的一個物體一個照射表面并且相對于所述激光束移動所述照射表面。其中,所述照射表面具有在一個平行于所述第一方向的方向上的曲率,所述第三裝置包括第一表面,在其上放置有被在所述第一方向上擴展和在所述第二方向會聚的光束照射的物體,該第一表面在平行于所述第一方向的所述方向上具有所述曲率,所述曲率半徑的中心和激光振蕩器之間的距離大于所述曲率半徑的中心和被光束照射的物體之間的距離。6.一種激光照射裝置,所述裝置包括激光振蕩器;第一裝置,用于在第一方向擴展發自激光振蕩器的激光束;第二裝置,用于在與第一方向正交的第二方向會聚激光束;以及第三裝置,用于提供給被以在所述第一方向擴展和在所述第二方向會聚的激光束照射的物體一個激光束照射表面并且相對于所述激光束在所述第二方向上移動。其中,所述照射表面具有在一個平行于所述第一方向的方向上的凹柱面形曲率,以及,所述第三裝置包括第一表面,在其上放置有將被在所述第一方向上擴展和在所述第二方向會聚的激光束照射的物體,該第一表面在平行于所述第一方向的所述方向上具有所述凹柱面形曲率。7.根據權利要求4的激光照射裝置,其中第一裝置包含柱面透鏡陣列或柱面透鏡。8.根據權利要求5的激光照射裝置,其中第一裝置包含柱面透鏡陣列或柱面透鏡。9.根據權利要求6的激光照射裝置,其中第一裝置包含柱面透鏡陣列或柱面透鏡。10.根據權利要求4的激光照射裝置,其中第二裝置包含柱面透鏡陣列或柱面透鏡。11.根據權利要求5的激光照射裝置,其中第二裝置包含柱面透鏡陣列或柱面透鏡。12.根據權利要求6的激光照射裝置,其中第二裝置包含柱面透鏡陣列或柱面透鏡。13.根據權利要求4的激光照射裝置,其中激光振蕩器是準分子激光器、YAG激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、或玻璃激光器。14.根據權利要求5的激光照射裝置,其中激光振蕩器是準分子激光器、YAG激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、或玻璃激光器。15.根據權利要求6的激光照射裝置,其中激光振蕩...
【專利技術屬性】
技術研發人員:田中幸一郎,
申請(專利權)人:株式會社半導體能源研究所,
類型:發明
國別省市:JP[日本]
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