本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種微型變壓器隔離層的制備方法，步驟包括：選用N型<100>雙拋圓片為襯底；雙拋圓片上蒸發(fā)一層鋁，在鋁層表面進(jìn)行光刻，形成光刻圖形；將光刻后的雙拋圓片放入鋁腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，去除雙拋圓片表面的光刻圖形，得到鋁層；在雙拋圓片表面生產(chǎn)一層等離子氧化膜，進(jìn)行表面光刻，去掉表面的光刻圖形，得到氧化層；在雙拋圓片表面蒸發(fā)一層金，進(jìn)行表面光刻，再將雙拋圓片放入金電鍍液中進(jìn)行電鍍，去除表面光刻膠得到第一金電極。本發(fā)明專利技術(shù)通過增加隔離層聚酰亞胺的厚度，以提高變壓器線圈間的擊穿電壓參數(shù)和平整度，提高器件的一致性。提高器件的一致性。提高器件的一致性。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種微型變壓器隔離層的制備方法
[0001]本專利技術(shù)涉及一種微型變壓器隔離層的制備方法，屬于半導(dǎo)體微型變壓器隔離層的制備領(lǐng)域。
技術(shù)介紹
[0002]基于半導(dǎo)體光刻工藝和自身材料的特殊性，聚酰亞胺工藝技術(shù)廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體工藝技術(shù)中。聚酰亞胺是綜合性能最佳的有機(jī)高分子材料之一。其耐高溫達(dá)400℃以上，長期使用溫度范圍在
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200℃～300℃間，作為一種特殊工程材料，已廣泛應(yīng)用在航空、航天、微電子、納米、液晶、分離膜、激光等領(lǐng)域。聚酰亞胺作為很有發(fā)展前途的高分子材料已經(jīng)得到充分的認(rèn)識(shí)，在絕緣材料中和結(jié)構(gòu)材料方面的應(yīng)用正不斷擴(kuò)大。
[0003]微型變壓器大多數(shù)采用聚酰亞胺形成隔離層，一般厚度在1微米左右，部分聚酰亞胺隔離層可以達(dá)到5微米，器件的一致性較差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0004]本專利技術(shù)解決的技術(shù)問題是：克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種微型變壓器隔離層的制備方法，通過增加隔離層聚酰亞胺的厚度，以提高變壓器線圈間的擊穿電壓參數(shù)和平整度，提高器件的一致性。
[0005]本專利技術(shù)解決技術(shù)的方案是：
[0006]一種微型變壓器隔離層的制備方法，步驟包括：
[0007]S1、選用N型<100>雙拋圓片為襯底；
[0008]S2、在S1的雙拋圓片上蒸發(fā)一層鋁，在鋁層表面進(jìn)行光刻，形成光刻圖形；將光刻后的雙拋圓片放入鋁腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，去除雙拋圓片表面的光刻圖形，得到鋁層；
[0009]S3、在S2中雙拋圓片表面生產(chǎn)一層等離子氧化膜，進(jìn)行表面光刻，去掉表面的光刻圖形，得到氧化層；
[0010]S4、在S3中雙拋圓片表面蒸發(fā)一層金，進(jìn)行表面光刻，再將雙拋圓片放入金電鍍液中進(jìn)行電鍍，去除表面光刻膠得到第一金電極；
[0011]S5、在S4的雙拋圓片表面多次涂上聚酰亞胺膠，達(dá)到工藝要求的厚度時(shí)，在聚酰亞胺表面進(jìn)行光刻，利用正膠顯影液去除光刻圖形多余的聚酰亞胺膠，形成聚酰亞胺隔離層；
[0012]S6、在S5中雙拋圓片表面蒸發(fā)一層金，進(jìn)行表面光刻，再將雙拋圓片放入金電鍍液中進(jìn)行電鍍，去除表面光刻膠得到第二金電極；
[0013]S7、在S6中雙拋圓片表面涂上聚酰亞胺膠，進(jìn)行表面光刻，利用正膠顯影液對(duì)聚酰亞胺進(jìn)行腐蝕，去除表面的光刻膠后得到聚酰亞胺層。
[0014]進(jìn)一步的，聚酰亞胺隔離層通過氧化、光刻、刻蝕、清洗、蒸發(fā)、電鍍工藝，在雙拋圓片表面進(jìn)行加工。
[0015]進(jìn)一步的，S5中，通過對(duì)聚酰亞胺厚度的調(diào)整，從而達(dá)到對(duì)隔離層擊穿電壓參數(shù)大小的控制。
[0016]進(jìn)一步的，通過兩次聚酰亞胺涂膠，增加聚酰亞胺層厚度，在第三次聚酰亞胺涂膠時(shí)，提高勻膠轉(zhuǎn)速從而提到圓片整體的均一性。
[0017]進(jìn)一步的，在S4的雙拋圓片中心，第一次滴上4
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6毫升聚酰亞胺膠，以490轉(zhuǎn)/分鐘～510轉(zhuǎn)/分鐘的速度讓雙拋圓片旋轉(zhuǎn)4
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6秒，工藝結(jié)束后聚酰亞胺完全覆蓋雙拋圓片表面，再以1470轉(zhuǎn)/分鐘～1530轉(zhuǎn)/分鐘的速度讓雙拋圓片繼續(xù)旋轉(zhuǎn)55
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65秒，工藝結(jié)束后將雙拋圓片放入89℃～91℃烘箱內(nèi)烘烤8
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12分鐘，使聚酰亞胺內(nèi)的溶劑揮發(fā)，控制表面聚酰亞胺厚度在7
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9微米且均一性在9％
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11％。
[0018]進(jìn)一步的，第二次在雙拋圓片中心滴上4
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6毫升毫升聚酰亞胺膠，以490轉(zhuǎn)/分鐘～510轉(zhuǎn)/分鐘速度讓雙拋原片旋轉(zhuǎn)4
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6秒，工藝結(jié)束后聚酰亞胺完全覆蓋雙拋圓片表面，再以1470轉(zhuǎn)/分鐘～1530轉(zhuǎn)/分鐘的速度讓雙拋原片繼續(xù)旋轉(zhuǎn)55
?
65秒，工藝結(jié)束后將圓片放入89℃～91℃烘箱內(nèi)烘烤8
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12分鐘，使聚酰亞胺內(nèi)的溶劑揮發(fā)，控制表面聚酰亞胺厚度在16
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20微米且均一性在9％
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11％。
[0019]進(jìn)一步的，第三次在雙拋圓片中心滴上4
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6毫升毫升聚酰亞胺膠，以490轉(zhuǎn)/分鐘～510轉(zhuǎn)/分鐘速度讓雙拋原片旋轉(zhuǎn)4
?
6秒，工藝結(jié)束后聚酰亞胺完全覆蓋雙拋圓片表面，再以1960轉(zhuǎn)/分鐘～2040轉(zhuǎn)/分鐘的速度讓雙拋原片繼續(xù)旋轉(zhuǎn)55
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65秒，工藝結(jié)束后將圓片放入119℃～121℃烘箱內(nèi)烘烤18
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22分，使聚酰亞胺內(nèi)的溶劑揮發(fā)，控制表面聚酰亞胺厚度在22
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26微米且均一性在5％以下。
[0020]進(jìn)一步的，將經(jīng)歷三次涂完聚酰亞胺的雙拋圓片放在涂膠臺(tái)上，在雙拋圓片表面滴上SPR400G
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1.2的正性光刻膠，用3950～4050轉(zhuǎn)/分鐘的速度進(jìn)行28
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32秒的勻膠，使聚酰亞胺表面形成一層0.9
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1.3微米厚的光刻膠。
[0021]進(jìn)一步的，將雙拋圓片放入光刻機(jī)中進(jìn)行2
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4秒的曝光，曝光后再將雙拋圓片放入光刻正膠顯影液CD
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26中，浸泡300秒～330秒后取出，放入純進(jìn)水中，靜置4
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6分鐘后取出，將圓片放入甩干機(jī)中以990～1010轉(zhuǎn)/分鐘的速度進(jìn)行8
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10分鐘甩干，形成隔離層圖形。
[0022]進(jìn)一步的，將雙拋圓片放入丙酮中浸泡10～15秒鐘，使雙拋圓片表面的正膠溶解于丙酮中，取出后放入酒精中浸泡10～15秒鐘，將雙拋圓片放入甩干機(jī)中以990～1010轉(zhuǎn)/分鐘的速度進(jìn)行8
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10分鐘甩干，去除光刻圖形，保留聚酰亞胺隔離層，之后放入249℃～251℃烘箱內(nèi)將溶劑完全烘干，形成聚酰亞胺隔離層。
[0023]本專利技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是：
[0024](1)本專利技術(shù)在電鍍圖形表面形成厚度均勻的聚酰亞胺隔離層，能夠提高該工藝的重復(fù)性，降低雙拋圓片的面內(nèi)差異；
[0025](2)通過多次聚酰亞胺的涂膠工藝，使該膠在自身介電常數(shù)無法改變的情況下，通過調(diào)整膠的厚度可以改變聚酰亞胺隔離層的擊穿電壓參數(shù)；
[0026](3)本專利技術(shù)采用聚酰亞胺的涂膠工藝，可以將聚酰亞胺隔離層的厚度增加到16微米，且均一性在5％以下。
附圖說明
[0027]圖1為本專利技術(shù)襯底圓片的選取；
[0028]圖2為本專利技術(shù)引線層加工；
[0029]圖3為本專利技術(shù)接觸孔層加工；
[0030]圖4為本專利技術(shù)底層線圈加工；
[0031]圖5為本專利技術(shù)聚酰亞胺隔離層加工；
[0032]圖6為本專利技術(shù)頂層線圈加工；
[0033]圖7為本專利技術(shù)聚酰亞胺保護(hù)層加工。
具體實(shí)施方式
[0034]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本專利技術(shù)作進(jìn)一步闡述。
[0035]一種微型變壓器隔離層的制備方法，步驟包括：
[0036]S1、選用N型<100>雙拋圓片01為襯底。
[00本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種微型變壓器隔離層的制備方法，其特征在于，步驟包括：S1、選用N型<100>雙拋圓片(01)為襯底；S2、在S1的雙拋圓片上蒸發(fā)一層鋁，在鋁層表面進(jìn)行光刻，形成光刻圖形；將光刻后的雙拋圓片放入鋁腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，去除雙拋圓片表面的光刻圖形，得到鋁層(02)；S3、在S2中雙拋圓片表面生產(chǎn)一層等離子氧化膜，進(jìn)行表面光刻，去掉表面的光刻圖形，得到氧化層(03)；S4、在S3中雙拋圓片表面蒸發(fā)一層金，進(jìn)行表面光刻，再將雙拋圓片放入金電鍍液中進(jìn)行電鍍，去除表面光刻膠得到第一金電極(04)；S5、在S4的雙拋圓片表面多次涂上聚酰亞胺膠，達(dá)到工藝要求的厚度時(shí)，在聚酰亞胺表面進(jìn)行光刻，利用正膠顯影液去除光刻圖形多余的聚酰亞胺膠，形成聚酰亞胺隔離層(05)；S6、在S5中雙拋圓片表面蒸發(fā)一層金，進(jìn)行表面光刻，再將雙拋圓片放入金電鍍液中進(jìn)行電鍍，去除表面光刻膠得到第二金電極(06)；S7、在S6中雙拋圓片表面涂上聚酰亞胺膠，進(jìn)行表面光刻，利用正膠顯影液對(duì)聚酰亞胺進(jìn)行腐蝕，去除表面的光刻膠后得到聚酰亞胺層(07)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微型變壓器隔離層的制備方法，其特征在于，聚酰亞胺隔離層通過氧化、光刻、刻蝕、清洗、蒸發(fā)、電鍍工藝，在雙拋圓片表面進(jìn)行加工。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微型變壓器隔離層的制備方法，其特征在于，S5中，通過對(duì)聚酰亞胺厚度的調(diào)整，從而達(dá)到對(duì)隔離層擊穿電壓參數(shù)大小的控制。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微型變壓器隔離層的制備方法，其特征在于，通過兩次聚酰亞胺涂膠，增加聚酰亞胺層厚度，在第三次聚酰亞胺涂膠時(shí)，提高勻膠轉(zhuǎn)速從而提到圓片整體的均一性。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種微型變壓器隔離層的制備方法，其特征在于，在S4的雙拋圓片中心，第一次滴上4
?
6毫升聚酰亞胺膠，以490轉(zhuǎn)/分鐘～510轉(zhuǎn)/分鐘的速度讓雙拋圓片旋轉(zhuǎn)4
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6秒，工藝結(jié)束后聚酰亞胺完全覆蓋雙拋圓片表面，再以1470轉(zhuǎn)/分鐘～1530轉(zhuǎn)/分鐘的速度讓雙拋圓片繼續(xù)旋轉(zhuǎn)55
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65秒，工藝結(jié)束后將雙拋圓片放入89℃～91℃烘箱內(nèi)烘烤8
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12分鐘，使聚酰亞胺內(nèi)的溶劑揮發(fā)，控制表面聚酰亞胺厚度在7
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9微米且均一性在9％
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11％。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種微型變壓器隔離層的制備方法，其特征在于，第二次在雙拋圓片中心滴上4
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6毫升毫升聚酰亞胺膠，以490轉(zhuǎn)/分鐘～510轉(zhuǎn)/分鐘速度讓雙...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：謝強(qiáng)，鐘立志，劉燕，孫金池，屈懷泊，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：北京微電子技術(shù)研究所，
類型：發(fā)明
國別省市：
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