本發明專利技術涉及智能功率模塊技術領域，提供了一種高集成超導熱半導體電路模塊及制造方法，高集成超導熱半導體電路模塊包括：多個半導體電路、對應設置在每一半導體電路一側的金屬散熱件、散熱器、薄膜線路層以及封裝體，多個半導體電路之間通過薄膜線路層電連接；半導體電路包括：絕緣層，銅箔層，綠油層，設置在銅箔層上的多個芯片、多個貼片電阻和多個貼片電容，以及多個導線；相鄰的銅箔層之間通過薄膜線路層連接，多個金屬散熱件折疊使其末端相對設置形成安裝空間，封裝體通過注塑方式形成于安裝空間內，芯片與銅箔層通過導線連接，散熱器固定于封裝體上且垂直于安裝空間。本發明專利技術的散熱效果好，抗干擾能力強，結構小型化及提高安裝效率。率。率。
【技術實現步驟摘要】
一種高集成超導熱半導體電路模塊及制造方法
[0001]本專利技術涉及智能功率模塊
，尤其涉及一種高集成超導熱半導體電路模塊。
技術介紹
[0002]半導體電路即模塊化智能功率系統MIPS（Module Intelligent Power System ）不僅把功率開關器件和驅動電路集成在一起，而且還內藏有過電壓，過電流和過熱等故障檢測電路，并可將檢測信號送到CPU或DSP作中斷處理。它由高速低工耗的管芯和優化的門級驅動電路以及快速保護電路構成。即使發生負載事故或使用不當， MIPS自身也可以不受損壞。MIPS一般使用IGBT作為功率開關元件，并內藏電流傳感器及驅動電路的集成結構。
[0003]現有MIPS模塊化智能功率系統將IC驅動控制電路、MIPS采樣放大電路以及PFC電流保護電路等低壓控制電路與高壓半導體電路組成的逆變電路布局到同一板上，同時現有MIPS模塊化智能功率系統都只集成單個MIPS模塊，對于多個MIPS模塊化智能功率系統集成還沒有實現，而面對市場小型化、低成本競爭，對MIPS模塊化智能功率系統高集成和高散熱技術提出了更高的要求。
[0004]然而，上述的高集成超導熱半導體電路模塊集成麻煩，制冷效果差，安裝不方便，適應范圍小，市場競爭力差。
技術實現思路
[0005]針對以上相關技術的不足，本專利技術提出一種集成方便，制冷效果好，安裝方便的高集成超導熱半導體電路模塊。
[0006]為了解決上述技術問題，第一方面，本專利技術實施例提供了一種高集成超導熱半導體電路模塊，所述高集成超導熱半導體電路模塊包括：多個半導體電路、對應設置在每一所述半導體電路一側的金屬散熱件、散熱器、薄膜線路層以及封裝體，多個所述半導體電路之間通過所述薄膜線路層電連接；所述半導體電路包括：設置在所述金屬散熱件上的絕緣層，設置在所述絕緣層上的銅箔層，設置在所述銅箔層上的綠油層，設置在所述銅箔層上的多個芯片、多個貼片電阻和多個貼片電容，以及多個導線；相鄰的所述銅箔層之間通過所述薄膜線路層連接，多個所述金屬散熱件折疊使其末端相對設置形成安裝空間，所述封裝體通過注塑方式形成于所述安裝空間內，所述芯片與所述銅箔層通過所述導線連接，所述散熱器固定于所述封裝體上且垂直于所述安裝空間。
[0007]優選的，所述金屬散熱件包括散熱器本體、由所述散熱器本體靠近所述半導體電路的一側向遠離所述半導體電路的一側凹陷形成的凹槽、以及由所述散熱器本體遠離所述凹槽的一側凸出延伸形成的翅片，所述半導體電路固定于所述凹槽內。
[0008]優選的，所述翅片的橫截面為三角形結構。
[0009]優選的，多個所述半導體電路折疊形成包括直角形、三角形、四邊形、五邊形和六
邊形結構中的任意一種。
[0010]優選的，所述高集成超導熱半導體電路模塊還包括基板連接機構，所述基板連接機構分別與多個所述金屬散熱件連接。
[0011]優選的，所述高集成超導熱半導體電路模塊還包括多個引腳，多個所述引腳的一端分別與所述半導體電路電連接，多個所述引腳的另一端連接外部電源。
[0012]優選的，所述高集成超導熱半導體電路模塊還包括電控板，所述封裝體上貫穿形成安裝孔，所述封裝體通過螺釘穿過所述安裝孔固定于所述電控板上。
[0013]優選的，所述封裝體由環氧樹脂為基體樹脂，以高性能酚醛樹脂為固化劑，加入硅微粉為填料，以及添加多種助劑混配而成的粉狀模塑料，通過熱傳遞成型法擠壓入模腔并將其中的所述半導體電路包埋，同時交聯固化成型。
[0014]優選的，多個所述金屬散熱件包括第一金屬散熱件、第二金屬散熱件和第三金屬散熱件，多個所述銅箔層包括第一銅箔層、第二銅箔層和第三銅箔層，所述第一金屬散熱件、所述第二金屬散熱件和所述第三金屬散熱件上分別設有所述第一銅箔層、所述第二銅箔層和所述第三銅箔層，所述薄膜線路層分別與所述第一銅箔層、所述第二銅箔層和所述第三銅箔層實現電連接。
[0015]第二方面，本專利技術實施例提供一種高集成超導熱半導體電路模塊的制造方法，所述制造方法包括以下步驟：S1、通過所述薄膜線路層將平放的多個所述金屬散熱件之間連接；S2、將平放的多個所述金屬散熱件成品放入特制載具，并對多個所述金屬散熱件表面的元器件在所述銅箔層預留元器件安裝位，通過刷錫膏或點銀膠的方式將所述半導體電路的半導體逆變電路芯片通過自動粘晶設備放置到所述元器件安裝位上；S3、通過自動貼片SMT設備將元器件半成品、所述貼片電阻及所述貼片電容貼裝到所述元器件安裝位上；S4、通過機械手或人工將引腳的引線框架放置到多個所述金屬散熱件的對應焊接位，然后將整個所述元器件半成品及所述特制載具一起過回流爐，將所有的元器件焊接到對應所述元器件安裝位上；S5、通過視覺檢查AOI設備對所述元器件的焊接質量進行檢測；S6、通過噴淋和超聲的清洗方式，清除殘留在多個所述金屬散熱件上的助焊劑和氧化物；S7、通過綁定所述導線，使所述芯片和所述銅箔層形成電連接，通過基板連接機構將第一金屬散熱件、第二金屬散熱件和第三金屬散熱件順時針進行折疊形成三角形半導體電路半成品；S8、將所述基板連接機構的一端通過銷釘柱鎖定，將所述三角形半導體電路半成品放入到封裝模具型腔里面；通過封裝設備對所述三角形半導體電路半成品封裝；S9、經過激光打標對所述三角形半導體電路半成品進行標記；S10、通過切筋成型設備對所述引腳的連筋和假引腳進行切除并整型所需形狀；S11、通過測試設備進行電參數測試，得到合格成品。
[0016]與相關技術相比，本專利技術多個半導體電路之間通過薄膜線路層電連接；多個半導體電路包括設置在所述金屬散熱件上的絕緣層，設置在所述絕緣層上的銅箔層，設置在所
述銅箔層上的綠油層，設置在所述銅箔層上的多個芯片、多個貼片電阻和多個貼片電容，以及多個導線；相鄰的所述銅箔層之間通過所述薄膜線路層連接，多個所述金屬散熱件折疊使其末端相對設置形成安裝空間，所述封裝體通過注塑方式形成于所述安裝空間內，所述芯片與所述銅箔層通過所述導線連接，所述散熱器固定于所述封裝體上且垂直于所述安裝空間。金屬散熱件設置于半導體電路一側用于周側散熱，散熱器設置在封裝體一側用于對安裝空間進行散熱，從而實現半導體電路側面和正面散熱，提高半導體電路的散熱性能，可以很好的解決更高規格電流，集成度更高帶來的散熱問題，應用更廣。可以滿足高集成度電控小型化要求，多邊形的每一面為一個功能電路，實現強弱電區分，能提高產品抗干擾能力。同時，高集成超導熱半導體電路模塊通過多個引腳連接于電控板上。只需安裝一顆螺釘即可實現與電控板的固定，提高了安裝效率。
附圖說明
[0017]下面結合附圖詳細說明本專利技術。通過結合以下附圖所作的詳細描述，本專利技術的上述或其他方面的內容將變得更清楚和更容易理解。附圖中：圖1為本專利技術高集成超導熱半導體電路模塊的正視圖；圖2為本專利技術高集成超導熱半導體電路模塊的組裝結構示意圖；圖3為本專利技術高集成超導熱半導體電路模塊的俯視圖；圖4為本專利技術高集成超導熱半導體電路模塊的安裝結構示意圖；圖5為本專利技術圖4的正視圖；圖6為本發本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種高集成超導熱半導體電路模塊，其特征在于，所述高集成超導熱半導體電路模塊包括：多個半導體電路、對應設置在每一所述半導體電路一側的金屬散熱件、散熱器、薄膜線路層以及封裝體，多個所述半導體電路之間通過所述薄膜線路層電連接；所述半導體電路包括：設置在所述金屬散熱件上的絕緣層，設置在所述絕緣層上的銅箔層，設置在所述銅箔層上的綠油層，設置在所述銅箔層上的多個芯片、多個貼片電阻和多個貼片電容，以及多個導線；相鄰的所述銅箔層之間通過所述薄膜線路層連接，多個所述金屬散熱件折疊使其末端相對設置形成安裝空間，所述封裝體通過注塑方式形成于所述安裝空間內，所述芯片與所述銅箔層通過所述導線連接，所述散熱器固定于所述封裝體上且垂直于所述安裝空間。2.如權利要求1所述的高集成超導熱半導體電路模塊，其特征在于，所述金屬散熱件包括散熱器本體、由所述散熱器本體靠近所述半導體電路的一側向遠離所述半導體電路的一側凹陷形成的凹槽、以及由所述散熱器本體遠離所述凹槽的一側凸出延伸形成的翅片，所述半導體電路固定于所述凹槽內。3.如權利要求2所述的高集成超導熱半導體電路模塊，其特征在于，所述翅片的橫截面為三角形結構。4.如權利要求1所述的高集成超導熱半導體電路模塊，其特征在于，多個所述半導體電路折疊形成包括直角形、三角形、四邊形、五邊形和六邊形結構中的任意一種。5.如權利要求1所述的高集成超導熱半導體電路模塊，其特征在于，所述高集成超導熱半導體電路模塊還包括基板連接機構，所述基板連接機構分別與多個所述金屬散熱件連接。6.如權利要求1所述的高集成超導熱半導體電路模塊，其特征在于，所述高集成超導熱半導體電路模塊還包括多個引腳，多個所述引腳的一端分別與所述半導體電路電連接，多個所述引腳的另一端連接外部電源。7.如權利要求1所述的高集成超導熱半導體電路模塊，其特征在于，所述高集成超導熱半導體電路模塊還包括電控板，所述封裝體上貫穿形成安裝孔，所述封裝體通過螺釘穿過所述安裝孔固定于所述電控板上。8.如權利要求1所述的高集成超導熱半導體電路模塊，其特征在于，所述封裝體由環氧樹脂為基體樹脂，以高性能酚醛樹脂為固化劑，加入硅微粉為填料，以及添加多種...
【專利技術屬性】
技術研發人員：馮宇翔，黃浩，周西軍，張土明，
申請(專利權)人：廣東匯芯半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。