【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】化合物、聚合物、組合物、膜形成用組合物、圖案的形成方法、絕緣膜的形成方法及化合物的制造方法
[0001]本專利技術涉及化合物、聚合物、組合物、膜形成用組合物、圖案的形成方法、絕緣膜的形成方法及化合物的制造方法。
技術介紹
[0002]近年來，半導體元件、液晶顯示元件的制造中，隨著光刻技術的進步而迅速推進了半導體(圖案)、像素的微細化。為了像素的微細化，通常進行曝光光源的短波長化。具體而言，以往使用以g射線、i射線為代表的紫外線，而現在使用KrF準分子激光(248nm)、ArF準分子激光(193nm)等遠紫外線進行曝光的方法成為量產中心，進而推進了超紫外線(EUV：Extreme Ultraviolet)光刻(13.5nm)的導入。另外，為了微細圖案的形成，也使用電子束(EB：Electron Beam)。
[0003]迄今的通常的抗蝕材料為能形成非晶膜的高分子系抗蝕材料。例如，可列舉出聚甲基丙烯酸甲酯、具有酸解離性基團的聚羥基苯乙烯或聚甲基丙烯酸烷基酯等的高分子系抗蝕劑組合物(例如參照非專利文獻1)。以往，對通過將這些抗蝕劑組合物的溶液涂布到基板上而制作的抗蝕薄膜照射紫外線、遠紫外線、電子束、超紫外線等，從而形成10～100nm左右的線圖案。
[0004]另外，利用電子束或超紫外線(EUV)的光刻的反應機理與通常的光的光刻不同(非專利文獻2、非專利文獻3)。進而，利用電子束或超紫外線的光刻中，以幾nm～十幾nm的微細的圖案形成作為目標。這種抗蝕圖案的尺寸變小時，要求對于曝光光源具有更高靈敏度的抗蝕劑組...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】1.一種化合物，其由下述式(1)表示，式(1)中，R
A
為氫原子、甲基或三氟甲基，R
X
為OR
B
或氫原子，R
B
為取代或未取代的碳數1～30的烷基，P為羥基、烷氧基、酯基、縮醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亞胺基或磷酸基。2.根據權利要求1所述的化合物，其中，R
A
為氫原子或甲基。3.根據權利要求1或權利要求2所述的化合物，其中，R
B
為碳數1～4的烷基。4.根據權利要求1～權利要求3中任一項所述的化合物，其中，P為羥基、酯基、縮醛基、碳酸酯基或羧基烷氧基。5.根據權利要求1～權利要求4中任一項所述的化合物，其中，P為酯基、縮醛基或碳酸酯基。6.一種組合物，其中，相對于權利要求1～權利要求5中任一項所述的化合物全部，含有1質量ppm以上且10質量％以下的下述式(1A)所示的化合物，
式(1A)、式(1A1)和式(1A2)中，R
A
、R
X
、R
B
和P與式(1)中的定義相同，R
sub
表示式(1A1)或式(1A2)，＊為與相鄰的結構單元鍵合的鍵合部位。7.一種組合物，其含有：權利要求1～權利要求5中任一項所述的化合物、以及相對于全部該化合物為1質量ppm以上且10質量％以下的下述式(1B)所示的化合物，
式(1B)、式(1B1)或式(1B2)中，R
A
、R
X
、R
B
和P與式(1)中的定義相同，n2為0以上且4以下的整數，R
sub2
表示式(1B1)或式(1B2)，＊為與相鄰的結構單元鍵合的鍵合部位。8.一種組合物，其中，相對于權利要求1～權利要求5中任一項所述的化合物全部，含有1質量ppm以上且10質量％以下的下述式(1C)所示的化合物，
式(1C)中，R
A
、R
X
、R
B
和P與式(1)中的定義相同，其中，R
B
和P均不包含I。9.一種組合物，其包含權利要求1～權利要求5中任一項所述的化合物，其中，包含K在內的雜質的含量在按元素換算時相對于全部所述化合物為1質量ppm以下。10.根據權利要求9所述的組合物，其中，過氧化物的含量相對于全部所述化合物為10質量ppm以下。11.根據權利要求9或權利要求10所述的組合物，其中，包含選自由Mn、Al、Si和Li組成的組中的1種以上元素的雜質的含量在按元素換算時相對于全部所述化合物為1質量ppm以下。12.根據權利要求9～權利要求11中任一項所述的組合物，其中，含磷的化合物的含量相對于全部所述化合物為10質量ppm以下。13.根據權利要求9～權利要求12中任一項所述的組合物，其中，馬來酸的含量相對于全部所述化合物為10質量ppm以下。14.一種包含下述式(1
?
A)所示的結構單元的聚合物，其包含源自權利要求1～權利要求5中任一項所述的化合物的結構單元，式(1
?
A)中，R
A
、R
X
、R
B
和P與式(1)中的定義相同，＊為與相鄰的結構單元鍵合的鍵合部位。15.根據權利要求14所述的聚合物，其還包含下述式(C0)、下述式(C1)或下述式(C2)所
示的結構單元，式(C0)中，X各自獨立地為I、F、Cl、Br、或具有選自I、F、Cl和Br組成的組中的1個以上且5個以下取代基的碳數1～30的有機基團，L1各自獨立地為單鍵、醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、縮醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亞胺基或磷酸基，所述L1的醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、縮醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亞胺基或磷酸基任選具有取代基，Y各自獨立地為羥基、烷氧基、酯基、縮醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亞胺基或磷酸基，所述Y的烷氧基、酯基、碳酸酯基、氨基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亞胺基和磷酸基任選具有取代基，R
A
與式(1)中的定義相同，A為碳數1～30的有機基團，Z各自獨立地為烷氧基、酯基、縮醛基、羧基烷氧基或碳酸酯基，所述Z的烷氧基、酯基、縮醛基、羧基烷氧基或碳酸酯基任選具有取代基，m為0以上的整數，n為1以上的整數，r為0以上的整數，式(C1)中，R
C11
為氫原子、甲基或三氟甲基，R
C12
為氫原子或碳數1～4的烷基，R
C13
為與R
C13
所鍵合的碳原子一起形成的碳數4～20的環烷基或雜環烷基，＊為與相鄰的結構單元鍵合的鍵合部位，
而且，式(C2)中，R
C21
為氫原子、甲基或三氟甲基，R
C22
和R
C23
各自獨立地為碳數1～4的烷基，R
C24
為碳數1～4的烷基或碳數5～20的環烷基，R
C22
、R
C23
和R
C24
之中的二者或三者任選形成與該R
C22
、R
C23
和R
C24
之中的二者或三者所鍵合的碳原子一起形成的碳數3～20的脂環結構，＊為與相鄰的結構單元鍵合的鍵合部位。16.一種膜形成用組合物，其含有權利要求1～權利要求5中任一項所述的化合物、權利要求6～13中任一項所述的組合物、或者權利要求14或15所述的聚合物。17.根據權利要求16所述的膜形成用組合物，其還包含產酸劑、產堿劑或堿性化合物。18.一種抗蝕圖案的形成方法，其包括：使用權利要求16或權利要求17的膜形成用組合物，在基板上將抗蝕膜成膜的工序；對所述抗蝕膜使圖案曝光的工序；以及，對曝光后的所述抗蝕膜進行顯影處理的工序。19.一種絕緣膜的形成方法，其包括：使用權利要求16或權利要求17的膜形成用組合物，在基板上將抗蝕膜成膜的工序；對所述抗蝕膜使圖案曝光的工序；以及，在曝光后對所述抗蝕膜進行顯影處理的工序。20.一種下述式(1)所示的含碘的乙烯基單體的制造方法，其中，式(1)中，R
A
為氫原子、甲基或三氟甲基，R
X
為OR
B
或氫原子，R
B
為取代或未取代的碳數1～30的烷基，P為羥基、烷氧基、酯基、縮醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亞胺基或磷酸基，所述制造方法包括：a)準備具有下述式(1
?
1)所示通用結構的含碘的醇性底物的工序，
式(1
?
1)中，R
A
為氫原子、甲基或三氟甲基，R
X
為OR
B
或氫原子，R
B
為取代或未取代的碳數1～30的烷基，P為羥基、烷氧基、酯基、縮醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亞胺基或磷酸基，R7～R
10
各自獨立地為氫原子、羥基、甲氧基、鹵素或氰基，其中，R7～R
10
之中的一者為羥基或甲氧基；以及，b)脫水工序，對所述含碘的醇性底物實施脫水處理。21.根據權利要求20所述的式(1)所示的含碘的乙烯基單體的制造方法，其還包括：c)準備具有下述式(1
?
2)所示通用結構的含碘的酮性底物的工序，式(1
?
2)中，R
X
為OR
B
或氫原子，R
B
為取代或未取代的碳數1～30的烷基，P為羥基、烷氧基、酯基、縮醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亞胺基或磷酸基，R7～R
10
各自獨立地為氫原子、羥基、甲氧基、鹵素或氰基，其中，R7～R
10
之中的一者為羥基或甲氧基；以及，d)還原工序，對所述含碘的酮性底物實施還原處理。22.根據權利要求20所述的式(1)所示的含碘的乙烯基單體的制造方法，其還包括：e)準備具有下述式(1
?
3)所示通用結構的醇性底物的工序，
式(1
?
3)中，R
A
為氫原子、甲基或三氟甲基，R
X
為OR
B
或氫原子，R
B
為取代或未取代的碳數1～30的烷基，P為羥基、烷氧基、酯基、縮醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亞胺基或磷酸基，R7～R
10
各自獨立地為氫原子、羥基、甲氧基、鹵素或氰基，其中，R7～R
10
之中的一者為羥基或甲氧基；以及，f)碘導入工序，向所述醇性底物導入碘原子。23.根據權利要求20所述的式(1)所示的含碘的乙烯基單體的制造方法，其還包括：g)準備具有下述式(1
?
4)所示通用結構的酮性底物的工序，式(1
?
4)中，R
X
為OR
B
或氫原子，R
B
為取代或未取代的碳數1～30的烷基，P為羥基、烷氧基、酯基、縮醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、硫醇基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亞胺基或磷酸基，R7～R
10
各自獨立地為氫原子、羥基、甲氧基、鹵素或氰基，其中，R7～R
10
之中的一者為羥基或甲氧基；以及，h)碘導入工序，向所述酮性底物導入碘原子。24.根據權利要求20所述的式(1)所示的含碘的乙烯基單體的制造方法，其還包括：i)準備具有下述式(1
?
4)所示通用結構...
【專利技術屬性】
技術研發人員：大松禎，岡田悠，小熊威，松本正裕，新美結士，越后雅敏，
申請(專利權)人：三菱瓦斯化學株式會社，
類型：發明
國別省市：
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