控制冗余圖形填充密度的方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及終端設(shè)備制造方法及圖紙

本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種控制冗余圖形填充密度的方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及終端設(shè)備，涉及芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域。本申請(qǐng)通過(guò)對(duì)版圖區(qū)域劃分窗格，有效控制窗格內(nèi)部密度梯度，從而控制整體圖形密度梯度。通過(guò)設(shè)置填充密度最大值，控制窗格內(nèi)部的填充最大密度，避免多步填充帶來(lái)的圖形整體密度過(guò)大問(wèn)題。通過(guò)設(shè)置瓷磚格和窗格，建立信息矩陣實(shí)現(xiàn)快速計(jì)算窗格內(nèi)部填充密度。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本申請(qǐng)涉及芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其涉及一種控制冗余圖形填充密度的方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及終端設(shè)備。

技術(shù)介紹

1、在芯片物理設(shè)計(jì)流程中，未經(jīng)可制造性處理的版圖圖形密度處于不均勻的狀態(tài)，影響晶圓平整度，影響化學(xué)機(jī)械研磨均勻性和光刻畸變等，影響產(chǎn)品良率。目前為了實(shí)現(xiàn)集成電路版圖的均勻分布以提高生產(chǎn)制造過(guò)程中相關(guān)工藝的良率，通常需要添加冗余圖形使版圖圖形分布相對(duì)均勻，降低后續(xù)工藝制造中的工藝偏差，提高芯片成品率。冗余圖形的填充方法也有需要解決的問(wèn)題，如何計(jì)算局部改善版圖圖形密度的分布，以及整體控制版圖全局密度和密度梯度是目前亟待解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了控制冗余圖形填充密度的方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及終端設(shè)備，可以解決版圖圖形密度優(yōu)化的問(wèn)題。所述技術(shù)方案如下：

2、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種控制冗余圖形填充密度的方法，所述方法包括：

3、將版圖區(qū)域劃分為多個(gè)窗格；其中，所述版圖區(qū)域預(yù)先填充有冗余圖形；

4、確定窗格分割出的多個(gè)不重疊的瓷磚格；

5、根據(jù)窗格和瓷磚格的分布位置建立信息矩陣；

6、將所述信息矩陣轉(zhuǎn)換為廣義逆矩陣a；

7、計(jì)算每個(gè)窗格密度調(diào)整矩陣；其中，所述窗格密度調(diào)整矩陣中每個(gè)窗格的密度調(diào)整量dwindow(i)=(targetdensity-originalwindowdensity(i))*windowsize，targetdensity為預(yù)設(shè)的填充密度最大值，originalwindowdensity表示窗格的當(dāng)前密度，windowsize表示窗格的面積；

8、根據(jù)所述廣義逆矩陣和所述窗格密度調(diào)整矩陣計(jì)算瓷磚格密度調(diào)整矩陣dtile=a*dwindow；

9、將所述瓷磚格密度調(diào)整矩陣dtile中小于0的密度調(diào)整量對(duì)應(yīng)的瓷磚格進(jìn)行冗余圖形的挖取操作；

10、執(zhí)行挖取操作后，重新計(jì)算各個(gè)窗格的密度，根據(jù)計(jì)算結(jié)果將密度大于預(yù)設(shè)的填充密度最大值的窗格作為不合規(guī)窗格，對(duì)不合規(guī)窗格進(jìn)行密度調(diào)整。

11、第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種控制冗余圖形填充密度的裝置，所述裝置包括：

12、劃分單元，用于將版圖區(qū)域劃分為多個(gè)窗格；其中，所述版圖區(qū)域預(yù)先填充有冗余圖形；

13、確定單元，用于確定窗格分割出的多個(gè)不重疊的瓷磚格；

14、建立單元，用于根據(jù)窗格和瓷磚格的分布位置建立信息矩陣；

15、轉(zhuǎn)換單元，用于將所述信息矩陣轉(zhuǎn)換為廣義逆矩陣a；

16、計(jì)算單元，用于計(jì)算每個(gè)窗格密度調(diào)整矩陣；其中，所述窗格密度調(diào)整矩陣中每個(gè)窗格的密度調(diào)整量dwindow(i)=(targetdensity-originalwindowdensity(i))*windowsize，targetdensity為預(yù)設(shè)的填充密度最大值，originalwindowdensity表示窗格的當(dāng)前密度，windowsize表示窗格的面積；

17、所述計(jì)算單元，還用于根據(jù)所述廣義逆矩陣和所述窗格密度調(diào)整矩陣計(jì)算瓷磚格密度調(diào)整矩陣dtile=a*dwindow；

18、挖取單元，用于將所述瓷磚格密度調(diào)整矩陣dtile中小于0的密度調(diào)整量對(duì)應(yīng)的瓷磚格進(jìn)行冗余圖形的挖取操作；

19、優(yōu)化單元，用于執(zhí)行挖取操作后，重新計(jì)算各個(gè)窗格的密度，根據(jù)計(jì)算結(jié)果將密度大于預(yù)設(shè)的填充密度最大值的窗格作為不合規(guī)窗格，對(duì)不合規(guī)窗格進(jìn)行密度調(diào)整。

20、第三方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有多條指令，所述指令適于由處理器加載并執(zhí)行上述的方法步驟。

21、第四方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種終端設(shè)備，可包括：處理器和存儲(chǔ)器；其中，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序適于由所述處理器加載并執(zhí)行上述的方法步驟。

22、本申請(qǐng)一些實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果至少包括：

23、通過(guò)對(duì)版圖區(qū)域劃分窗格，有效控制窗格內(nèi)部密度梯度，從而控制整體圖形密度梯度。通過(guò)設(shè)置填充密度最大值，控制窗格內(nèi)部的填充最大密度，避免多步填充帶來(lái)的圖形整體密度過(guò)大問(wèn)題。通過(guò)設(shè)置瓷磚格和窗格，建立信息矩陣實(shí)現(xiàn)快速計(jì)算窗格內(nèi)部填充密度。

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【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

1.一種控制冗余圖形填充密度的方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，各個(gè)窗格的面積相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用最小范圍求解瓷磚格密度調(diào)整矩陣中各個(gè)瓷磚格的密度調(diào)整量。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述對(duì)不合規(guī)窗格進(jìn)行密度調(diào)整，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4所述的方法，其特征在于，瓷磚格中應(yīng)挖取的冗余圖形數(shù)量在該瓷磚格所在多個(gè)窗格的計(jì)算結(jié)果中取最大值。

6.一種控制冗余圖形填充密度的裝置，其特征在于，包括：

7.一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有多條指令，所述指令適于由處理器加載并執(zhí)行如權(quán)利要求1~5任意一項(xiàng)的方法步驟。

8.一種終端設(shè)備，其特征在于，包括：處理器和存儲(chǔ)器；其中，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序適于由所述處理器加載并執(zhí)行如權(quán)利要求1~5任意一項(xiàng)的方法步驟。

【技術(shù)特征摘要】

1.一種控制冗余圖形填充密度的方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，各個(gè)窗格的面積相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用最小范圍求解瓷磚格密度調(diào)整矩陣中各個(gè)瓷磚格的密度調(diào)整量。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述對(duì)不合規(guī)窗格進(jìn)行密度調(diào)整，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4所述的方法，其特征在于，瓷磚格中應(yīng)挖取的冗余圖形數(shù)量在...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：范文妍，張峻偉，何振宇，鮑琛，白耿，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳國(guó)微福芯技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：