【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及薄膜生長，尤其涉及一種晶圓原子層沉積反應設備的調度方法、系統、設備及介質。
技術介紹
1、原子層沉積過程是一種自限制的薄膜生長過程，通過將不同的前驅體輪流通入反應腔室進行沉積，能夠獲得保形性良好、表面粗糙度低的薄膜。但是現有技術中需要提前預估并計算每個硅片的傳輸所需時長，然后進行比較判斷，再選取合適的調度流程。上述方式的問題在于計算復雜、邏輯繁瑣，由于在傳輸開始前就確定了傳輸順序，無法靈活動態地應對實際生產情況，造成傳片策略不合理、設備利用率不高的情況，影響產能效率。
技術實現思路
1、本專利技術提供了一種晶圓原子層沉積反應設備的調度方法、系統、設備及介質，前端調度單元、預抽真空室、后端調度單元和反應腔室各單元存在各自動作流程，并與相鄰模塊存在關聯，簡化傳輸邏輯，實現對晶圓原子層沉積反應設備的運行狀態的精準調度和管理，提高設備運行的效率。
2、根據本專利技術的一方面，提供了一種晶圓原子層沉積反應設備的調度方法，其特征在于，晶圓原子層沉積反應設備至少包括前端調度單元、預抽真空室、后端調度單元和反應腔室；
3、原子層沉積反應設備的調度方法包括：
4、獲取所述預抽真空室的閥門開啟狀態信息；
5、獲取所述前端調度單元的第一工作狀態以及所述后端調度單元的第二工作狀態，所述第一工作狀態為所述前端調度單元抓取晶圓的狀態，所述第二工作狀態為所述后端調度單元抓取晶圓的狀態；
6、根據所述閥門開啟狀態信息和所述第一工作狀態調整所
7、獲取所述反應腔室的第三工作狀態，所述第三工作狀態為所述反應腔室的閥門開啟狀態；
8、根據所述閥門開啟狀態信息和所述第二工作狀態以及所述第二工作狀態和所述第三工作狀態分別調整所述后端調度單元的動作流程。
9、可選的，所述預抽真空室至少包括常壓側門閥和真空側門閥；
10、獲取所述預抽真空室的閥門開啟狀態信息，包括：
11、判斷所述常壓側門閥是否處于開啟狀態；
12、若是，則認為所述預抽真空室處于常壓狀態；
13、若否，則判斷所述真空側門閥是否處于開啟狀態；
14、若是，則認為所述預抽真空室處于真空狀態；
15、若否，則重復判斷所述常壓側門閥是否處于開啟狀態。
16、可選的，根據所述閥門開啟狀態信息和所述第一工作狀態調整所述前端調度單元的動作流程，包括：
17、當所述預抽真空室處于常壓狀態，所述前端調度單元處于所述第一工作狀態，調整所述前端調度單元抓取晶圓進出所述預抽真空室。
18、可選的，所述晶圓原子層沉積反應設備還包括進料口和冷卻臺；
19、調整所述前端調度單元抓取晶圓進出所述預抽真空室，包括：
20、調整所述前端調度單元抓取位于所述進料口的晶圓進入所述預抽真空室以及調整所述前端調度單元抓取位于所述預抽真空室的晶圓轉移至所述冷卻臺；
21、調整所述前端調度單元抓取位于所述預抽真空室的晶圓轉移至所述冷卻臺之后，還包括：
22、調整所述前端調度單元抓取位于所述冷卻臺的晶圓轉移至所述進料口。
23、可選的，根據所述閥門開啟狀態信息和所述第二工作狀態以及所述第二工作狀態和所述第三工作狀態分別調整所述后端調度單元的動作流程，包括：
24、當所述預抽真空室處于真空狀態，所述后端調度單元處于第二工作狀態，調整所述后端調度單元抓取晶圓進出所述預抽真空室；
25、當所述反應腔室處于第三工作狀態，所述后端調度單元處于第二工作狀態，調整所述后端調度單元抓取晶圓進出所述反應腔室。
26、可選的，調整所述后端調度單元抓取晶圓進出所述反應腔室，包括：
27、調整所述后端調度單元抓取位于所述預抽真空室的晶圓轉移以及調整所述后端調度單元抓取的晶圓進入所述預抽真空室；
28、調整所述后端調度單元抓取晶圓進出所述反應腔室，包括：
29、調整所述后端調度單元抓取晶圓進入所述反應腔室以及調整所述后端調度單元抓取位于所述反應腔室的晶圓轉移。
30、可選的，所述預抽真空室至少包括第一預抽真空室和第二預抽真空室，所述反應腔室至少包括第一反應腔室、第二反應腔室、第三反應腔室和第四反應腔室；
31、獲取所述預抽真空室的閥門開啟狀態信息之前，還包括：
32、獲取所述第一預抽真空室和所述第二預抽真空室的第一預設啟動順序信息；
33、獲取所述第一反應腔室、所述第二反應腔室、所述第三反應腔室和所述第四反應腔室的第二預設啟動順序信息。
34、根據本專利技術的另一方面，提供了一種晶圓原子層沉積反應設備的調度系統，其特征在于，包括上述方面中任一項所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法；
35、所述晶圓原子層沉積反應設備的調度系統包括：
36、閥門開啟狀態信息獲取模塊，用于獲取所述預抽真空室的閥門開啟狀態信息；
37、工作狀態獲取模塊，用于獲取所述前端調度單元的第一工作狀態以及所述后端調度單元的第二工作狀態，所述第一工作狀態為所述前端調度單元抓取晶圓的狀態，所述第二工作狀態為所述后端調度單元抓取晶圓的狀態；
38、前端調度單元的動作流程調整模塊，用于根據所述閥門開啟狀態信息和所述第一工作狀態調整所述前端調度單元的動作流程；
39、反應腔室的第三工作狀態獲取模塊，用于獲取所述反應腔室的第三工作狀態，所述第三工作狀態為所述反應腔室的閥門開啟狀態；
40、后端調度單元的動作流程調整模塊，用于根據所述閥門開啟狀態信息和所述第二工作狀態以及所述第二工作狀態和所述第三工作狀態分別調整所述后端調度單元的動作流程。
41、根據本專利技術的另一方面，提供了一種晶圓原子層沉積反應設備，所述晶圓原子層沉積反應設備包括：
42、至少一個處理器；以及與所述至少一個處理器通信連接的存儲器；其中，所述存儲器存儲有可被所述至少一個處理器執行的計算機程序，所述計算機程序被所述至少一個處理器執行，以使所述至少一個處理器能夠執行上述方面中任一項所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法。
43、根據本專利技術的另一方面，提供了一種計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機指令，所述計算機指令用于使處理器執行時實現上述方面中任一項所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法。
44、本專利技術實施例的技術方案，通過提供晶圓原子層沉積反應設備至少包括前端調度單元、預抽真空室、后端調度單元和反應腔室；對應原子層沉積反應設備的調度方法包括：獲取預抽真空室的閥門開啟狀態信息；獲取前端調度單元的第一工作狀態以及后端調度單元的第二工作狀態；根據閥門開啟狀態信息和第一工作狀態調整前端調度單元的動作流程；獲取反應腔室的第三工作狀態；根據閥門開啟狀態信息和第二工作狀態以及第二工作狀態和第三工作狀態分別調本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種晶圓原子層沉積反應設備的調度方法，其特征在于，晶圓原子層沉積反應設備至少包括前端調度單元、預抽真空室、后端調度單元和反應腔室；
2.根據權利要求1所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法，其特征在于，所述預抽真空室至少包括常壓側門閥和真空側門閥；
3.根據權利要求2所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法，其特征在于，根據所述閥門開啟狀態信息和所述第一工作狀態調整所述前端調度單元的動作流程，包括：
4.根據權利要求3所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法，其特征在于，所述晶圓原子層沉積反應設備還包括進料口和冷卻臺；
5.根據權利要求2所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法，其特征在于，根據所述閥門開啟狀態信息和所述第二工作狀態以及所述第二工作狀態和所述第三工作狀態分別調整所述后端調度單元的動作流程，包括：
6.根據權利要求1所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法，其特征在于，調整所述后端調度單元抓取晶圓進出所述反應腔室，包括：
7.根據權利要求1所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法，其特征在于，所述預抽
8.一種晶圓原子層沉積反應設備的調度系統，其特征在于，包括權利要求1-7中任一項所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法；
9.一種晶圓原子層沉積反應設備，其特征在于，所述晶圓原子層沉積反應設備包括：
10.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機指令，所述計算機指令用于使處理器執行時實現權利要求1-7中任一項所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法。
...【技術特征摘要】
1.一種晶圓原子層沉積反應設備的調度方法，其特征在于，晶圓原子層沉積反應設備至少包括前端調度單元、預抽真空室、后端調度單元和反應腔室；
2.根據權利要求1所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法，其特征在于，所述預抽真空室至少包括常壓側門閥和真空側門閥；
3.根據權利要求2所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法，其特征在于，根據所述閥門開啟狀態信息和所述第一工作狀態調整所述前端調度單元的動作流程，包括：
4.根據權利要求3所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法，其特征在于，所述晶圓原子層沉積反應設備還包括進料口和冷卻臺；
5.根據權利要求2所述的晶圓原子層沉積反應設備的調度方法，其特征在于，根據所述閥門開啟狀態信息和所述第二工作狀態以及所述第二工作狀態和所述第三工作狀態分別調整所述后端調度單元的動作流程，包括：<...
【專利技術屬性】
技術研發人員：曹建偉，朱凌鋒，芮志仲，劉之珩，季冬，高挺，
申請(專利權)人：浙江求是創芯半導體設備有限公司，
類型：發明
國別省市：
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