溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明公開了一種晶圓原子層沉積反應設備的調度方法、系統、設備及介質。晶圓原子層沉積反應設備至少包括前端調度單元、預抽真空室、后端調度單元和反應腔室；原子層沉積反應設備的調度方法包括：獲取預抽真空室的閥門開啟狀態信息；獲取前端調度單元的第一工...該專利屬于浙江求是創芯半導體設備有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過浙江求是創芯半導體設備有限公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明公開了一種晶圓原子層沉積反應設備的調度方法、系統、設備及介質。晶圓原子層沉積反應設備至少包括前端調度單元、預抽真空室、后端調度單元和反應腔室；原子層沉積反應設備的調度方法包括：獲取預抽真空室的閥門開啟狀態信息；獲取前端調度單元的第一工...