【技術實現步驟摘要】
本申請涉及發光二極管領域，尤其涉及一種鈍化層及外延片的制作方法、外延片、發光芯片和顯示器。
技術介紹
1、在micro?led(微型發光二極管)行業中，通常在芯片表面形成氧化鋁層以作為鈍化層，此鈍化層可用于延緩芯片被腐蝕的速度，對芯片起保護作用，從而提高芯片的可靠性。由于氧化鋁鈍化層具有硬度高的特點，對于刻蝕制程來說，嚴重降低了刻蝕速率，極大抑制了設備產能。
2、因此，如何提供一種利于刻蝕的鈍化層是亟需解決的問題。
技術實現思路
1、鑒于上述相關技術的不足，本申請的目的在于提供一種鈍化層及外延片的制作方法、外延片、發光芯片和顯示器，旨在解決相關技術中因氧化鋁鈍化層的硬度高造成刻蝕難度大及刻蝕效率低的問題。
2、本申請提供一種外延片中鈍化層的制作方法，包括：
3、在外延主體上形成氧化鋁層；
4、按照第一預設溫度對所述氧化鋁層進行第一退火處理，使得所述氧化鋁層表面中存在游離的鋁離子和游離的氧離子；
5、利用離子注入工藝在所述氧化鋁層表面中注入硅離子，以在所述氧化鋁層表面形成含有氧化硅的損傷層；以及
6、按照第二預設溫度對所述氧化鋁層進行第二退火處理，使得所述損傷層內的硅離子擴散至所述氧化鋁層內，以得到利于刻蝕的鈍化層。
7、上述外延片中鈍化層的制作方法，在外延主體上形成氧化鋁層之后，先對氧化鋁層進行第一退火處理，通過第一退火處理使得氧化鋁層表面中鋁-氧化學鍵發生斷裂，產生了游離的鋁離子和游離的氧離子，從
8、可選地，所述在外延主體上形成氧化鋁層包括：
9、利用原子層沉積工藝在所述外延片上沉積厚度大于1100埃的氧化鋁層。
10、可選地，所述離子注入工藝的溫度為300℃-500℃，所述含有氧化硅的損傷層的厚度小于等于所述氧化鋁層的厚度的一半。
11、可選地，所述第一預設溫度為100℃-400℃。
12、可選地，所述第二預設溫度為300℃-800℃。
13、可選地，所述第一預設溫度小于所述第二預設溫度。
14、基于同樣的專利技術構思，本申請還提供一種發光芯片的制作方法，包括：
15、以前文所述的外延片中鈍化層的制作方法在所述外延片主體上形成鈍化層，其中，所述外延片主體包括依次層疊設置的第二半導體層、有源層和第一半導體層；
16、刻蝕所述鈍化層以形成對應電極的通孔；以及
17、在所述通孔處設置電極。
18、上述發光芯片的制作方法，通過前文所述的發光芯片的制作方法形成一利于刻蝕的鈍化層，接著在鈍化層上形成對應電極的通孔時，刻蝕難度低，刻蝕效率高，從而節省了發光芯片的制作時間，降低了發光芯片的制作成本。
19、可選地，所述外延片主體還包括設置在所述第一半導體層遠離所述有源層一側的透明導電層；
20、所述刻蝕所述鈍化層以形成對應電極的通孔包括：刻蝕所述鈍化層以形成第一通孔和第二通孔，使得所述透明導電層通過所述第一通孔外露和所述第二半導體層通過所述第二通孔外露；
21、所述在所述通孔處設置電極包括：分別在所述第一通孔、所述第二通孔中設置第一電極、第二電極。
22、基于同樣的專利技術構思，本申請還提供一種發光芯片，包括：所述發光芯片采用如前文所述的發光芯片的制作方法制得。
23、上述發光芯片，通過前文所述的發光芯片的制作方法制成，其制作過程中，在鈍化層上形成對應的電極通孔時，刻蝕難度低，刻蝕效率高，從而節省了發光芯片的制作時間，降低了發光芯片的制作成本。
24、基于同樣的專利技術構思，本申請還提供一種顯示器，包括顯示背板和多個如前文所述的發光芯片，多個所述發光芯片呈陣列排布在所述顯示背板上。
25、上述顯示器采用了前文所述的發光芯片，制作成本低。
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1.一種外延片中鈍化層的制作方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的外延片中鈍化層的制作方法，其特征在于，所述在外延主體上形成氧化鋁層包括：
3.如權利要求2所述的外延片中鈍化層的制作方法，其特征在于，所述離子注入工藝的溫度為300℃-500℃，所述含有氧化硅的損傷層的厚度小于等于所述氧化鋁層的厚度的一半。
4.如權利要求1所述的外延片中鈍化層的制作方法，其特征在于，所述第一預設溫度為100℃-400℃。
5.如權利要求1所述的外延片中鈍化層的制作方法，其特征在于，所述第二預設溫度為300℃-800℃。
6.如權利要求4或5所述的外延片中鈍化層的制作方法，其特征在于，所述第一預設溫度小于所述第二預設溫度。
7.一種發光芯片的制作方法，其特征在于，包括：
8.如權利要求7所述的發光芯片的制作方法，其特征在于，所述外延片主體還包括設置在所述第一半導體層遠離所述有源層一側的透明導電層；
9.一種發光芯片，其特征在于，包括：所述發光芯片采用如權利要求7或8所述的發光芯片的制作方法制得。
10.一種顯示器，包括顯示背板和多個如權利要求9所述的發光芯片，多個所述發光芯片呈陣列排布在所述顯示背板上。
...【技術特征摘要】
1.一種外延片中鈍化層的制作方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的外延片中鈍化層的制作方法，其特征在于，所述在外延主體上形成氧化鋁層包括：
3.如權利要求2所述的外延片中鈍化層的制作方法，其特征在于，所述離子注入工藝的溫度為300℃-500℃，所述含有氧化硅的損傷層的厚度小于等于所述氧化鋁層的厚度的一半。
4.如權利要求1所述的外延片中鈍化層的制作方法，其特征在于，所述第一預設溫度為100℃-400℃。
5.如權利要求1所述的外延片中鈍化層的制作方法，其特征在于，所述第二預設溫度為300℃-80...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳洋，蘇財鈺，張濤，茍先華，
申請(專利權)人：重慶康佳光電技術研究院有限公司，
類型：發明
國別省市：
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