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本申請涉及一種鈍化層及外延片的制作方法、外延片、發光芯片和顯示器,其中在鈍化層的制作方法中,在外延主體上形成氧化鋁層,對氧化鋁層進行第一退火處理,使得氧化鋁層表面中鋁?氧化學鍵發生斷裂,產生了游離的鋁離子和游離的氧離子,為后續硅離子注入做好...該專利屬于重慶康佳光電技術研究院有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過重慶康佳光電技術研究院有限公司授權不得商用。
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