【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體工藝，尤其涉及一種工藝腔室及半導體工藝設備。
技術介紹
1、在進行半導體沉積工藝的過程中，需要在用于承載晶圓的承載盤的周緣部位設置沉積環，用于遮擋承載盤裸露的部分，防止其被等離子體濺射。
2、目前業界中承載盤普遍設計為靜電卡盤。為了解決靜電吸附及兼容對地絕緣能力的問題，靜電卡盤的材料主要選取氧化鋁陶瓷或者氮化鋁陶瓷材料，相應的沉積環應選取與靜電卡盤具有相同熱膨脹系數的材料，并且應具有和靜電卡盤一樣的對地絕緣能力，因此沉積環可選取的材料主要為陶瓷材料。而陶瓷材料容易發生脆性碎裂，因此壽命較低。
3、由于金屬材料有比陶瓷次材料更大的強度，因此可以選取與陶瓷靜電卡盤具有相近熱膨脹系數的金屬材料制作沉積環。并且考慮靜電卡盤與沉積環之間的配合間隙，配合間隙過大，沉積材料會在其中填充沉積，從而導致粘片。配合間隙過小，會造成靜電卡盤與沉積環的相互擠壓，造成碎裂風險，目前與氮化鋁陶瓷熱膨脹系數相近的金屬有可伐合金。但可伐合金的價格十分昂貴，且可進行可伐合金加工的加工商極少，復雜件的加工周期長，原材料受限等因素制約著沉積環的批量生產。
技術實現思路
1、本申請實施例提供了一種工藝腔室及半導體工藝設備，以解決一體式的沉積環存在不能根據需求合理調整沉積環的不同部位的材質的問題。
2、本申請實施例提供的工藝腔室包括：
3、第一方面，本申請實施例提供了一種工藝腔室。
4、本申請實施例提供的工藝腔室，應用于半導體工藝設備，所述工藝腔室
5、可選地，所述第一拼接體和所述第二拼接體均為金屬材質。
6、可選地，所述第一拼接體的材質包括可伐合金或氮化鋁，所述第二拼接體的材質包括不銹鋼、氧化鋁或鈦合金。
7、可選地，所述第一拼接體與所述承載盤的側壁之間的距離小于所述第二拼接體與所述承載盤的側壁之間的距離。
8、可選地，所述第二拼接體的靠近所述支撐部的一端承載于所述支撐部。
9、可選地，所述第二延伸部的上側面在遠離所述承載盤一端具有向遠離所述第二拼接體方向彎折的第一表面；所述屏蔽件的靠近所述承載盤的部位設置有與所述第一表面相對設置的第二表面，所述第一表面與所述第二表面之間的間隔空間形成所述工藝氣體通道的第一段。
10、可選地，所述第一拼接體的朝向所述屏蔽件的周向側部具有第三表面，所述第二拼接體包括第三延伸部，所述第三延伸部從所述第三表面的下側朝背離第一拼接體的方向延伸，所述第三延伸部的朝向所述屏蔽件的表面為第四表面；所述屏蔽件設置有分別與所述第三表面和所述第四表面相對的第五表面，所述第三表面與所述第五表面的間隔空間形成所述工藝氣體通道的第二段，所述第四表面與所述第五表面的間隔空間形成所述工藝氣體通道的第三段。
11、可選地，所述第四表面與所述第三表面平齊。
12、可選地，所述第二拼接體還包括第四延伸部，所述第四延伸部從所述第四表面的遠離所述第一拼接體的一端朝背離所述承載盤的方向延伸，所述第四延伸部的朝向所述屏蔽件的表面為第六表面，所述屏蔽件設置有與所述第六表面相對的第七表面，所述第六表面與所述第七表面的間隔空間形成所述工藝氣體通道的第四段；所述工藝氣體通道的所述第一段、所述第二段、所述第三段和所述第四段依次連通。
13、可選地，所述第六表面設置有第一導熱材料層。
14、可選地，所述第二延伸部的面向所述第二拼接體一側設置有連接槽，所述第二拼接體包括連接部，所述連接部朝向所述第二延伸部，所述連接部與所述連接槽拼合連接。
15、可選地，所述連接槽的遠離所述承載盤的側壁設置有卡勾，所述連接部的遠離所述承載盤的側部設有第一凹陷部，所述卡勾沿豎直方向卡接于所述第一凹陷部的上側壁和下側壁之間。
16、可選地，所述連接部的遠離所述承載盤的側部還設有第二凹陷部，所述第二凹陷部豎向設置，所述第二凹陷部與所述第一凹陷部連通；所述卡勾能夠沿所述第二凹陷部移動至所述第一凹陷部。
17、可選地，所述連接部的與所述連接槽的槽底相對的表面設置有第二導熱材料層。
18、可選地，所述屏蔽件開設有冷卻介質流道。
19、可選地，所述沉積環還包括誘電線圈，所述誘電線圈夾設于所述第一拼接體與所述第二拼接體之間。
20、第二方面，本申請實施例提供了一種半導體工藝設備。
21、本申請實施例提供的半導體工藝設備，包括本申請實施例提供的任意一種工藝腔室。
22、本申請實施例采用的上述至少一個技術方案能夠達到以下有益效果：
23、在本申請的實施例中，工藝腔室的沉積環可由第一拼接體和第二拼接體拼接而成。其中，與承載盤相鄰的第一拼接體可由熱膨脹系數較小的材料制成，第二拼接體可由熱膨脹系數大于第一拼接體的材料制成。這樣，可以通過合理設置沉積環的各部分的材質的方式，降低沉積環的制造成本，提升沉積環的使用壽命。
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1.一種工藝腔室，應用于半導體工藝設備，其特征在于，包括：腔體(110)，以及設置于所述腔體(110)內的沉積環(120)、承載盤(130)和屏蔽件(140)；
2.根據權利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述第一拼接體(121)和所述第二拼接體(122)均為金屬材質。
3.根據權利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述第一拼接體(121)的材質包括可伐合金或氮化鋁，所述第二拼接體(122)的材質包括不銹鋼、氧化鋁或鈦合金。
4.根據權利要求1-3任一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述第一拼接體(121)與所述承載盤(130)的側壁(131)之間的距離小于所述第二拼接體(122)與所述承載盤(130)的側壁(131)之間的距離。
5.根據權利要求4所述的工藝腔室，其特征在于，所述第二拼接體(122)的靠近所述支撐部(132)的一端承載于所述支撐部(132)。
6.根據權利要求1-3任一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述第二延伸部(1212)的上側面在遠離所述承載盤(130)一端具有向遠離所述第二拼接體(122)方向彎折
7.根據權利要求6所述的工藝腔室，其特征在于，所述第一拼接體(121)的朝向所述屏蔽件(140)的周向側部具有第三表面(1232)，
8.根據權利要求7所述的工藝腔室，其特征在于，所述第四表面(1233)與所述第三表面(1232)平齊。
9.根據權利要求7所述的工藝腔室，其特征在于，所述第二拼接體(122)還包括第四延伸部(1222)，所述第四延伸部(1222)從所述第四表面(1233)的遠離所述第一拼接體(121)的一端朝背離所述承載盤(130)的方向延伸，
10.根據權利要求9所述的工藝腔室，其特征在于，所述第六表面(1234)設置有第一導熱材料層(161)。
11.根據權利要求1-3任一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述第二延伸部(1212)的面向所述第二拼接體(122)一側設置有連接槽(1213)，所述第二拼接體(122)包括連接部(1223)，所述連接部(1223)朝向所述第二延伸部(1212)，所述連接部(1223)與所述連接槽(1213)拼合連接。
12.根據權利要求11所述的工藝腔室，其特征在于，所述連接槽(1213)的遠離所述承載盤(130)的側壁(131)設置有卡勾(1214)，所述連接部(1223)的遠離所述承載盤(130)的側部設有第一凹陷部(1224)，所述卡勾(1214)沿豎直方向卡接于所述第一凹陷部(1224)的上側壁和下側壁之間。
13.根據權利要求12所述的工藝腔室，其特征在于，所述連接部(1223)的遠離所述承載盤(130)的側部還設有第二凹陷部(1225)，所述第二凹陷部(1225)豎向設置，所述第二凹陷部(1225)與所述第一凹陷部(1224)連通；所述卡勾(1214)能夠沿所述第二凹陷部(1225)移動至所述第一凹陷部(1224)。
14.根據權利要求11所述的工藝腔室，其特征在于，所述連接部(1223)的與所述連接槽(1213)的槽底相對的表面設置有第二導熱材料層(162)。
15.根據權利要求1-3任一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述屏蔽件(140)開設有冷卻介質流道(142)。
16.根據權利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述沉積環(120)還包括誘電線圈(163)，所述誘電線圈(163)夾設于所述第一拼接體(121)與所述第二拼接體(122)之間。
17.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括權利要求1至16中任意一項所述的工藝腔室。
...【技術特征摘要】
1.一種工藝腔室，應用于半導體工藝設備，其特征在于，包括：腔體(110)，以及設置于所述腔體(110)內的沉積環(120)、承載盤(130)和屏蔽件(140)；
2.根據權利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述第一拼接體(121)和所述第二拼接體(122)均為金屬材質。
3.根據權利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述第一拼接體(121)的材質包括可伐合金或氮化鋁，所述第二拼接體(122)的材質包括不銹鋼、氧化鋁或鈦合金。
4.根據權利要求1-3任一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述第一拼接體(121)與所述承載盤(130)的側壁(131)之間的距離小于所述第二拼接體(122)與所述承載盤(130)的側壁(131)之間的距離。
5.根據權利要求4所述的工藝腔室，其特征在于，所述第二拼接體(122)的靠近所述支撐部(132)的一端承載于所述支撐部(132)。
6.根據權利要求1-3任一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述第二延伸部(1212)的上側面在遠離所述承載盤(130)一端具有向遠離所述第二拼接體(122)方向彎折的第一表面(1231)；
7.根據權利要求6所述的工藝腔室，其特征在于，所述第一拼接體(121)的朝向所述屏蔽件(140)的周向側部具有第三表面(1232)，
8.根據權利要求7所述的工藝腔室，其特征在于，所述第四表面(1233)與所述第三表面(1232)平齊。
9.根據權利要求7所述的工藝腔室，其特征在于，所述第二拼接體(122)還包括第四延伸部(1222)，所述第四延伸部(1222)從所述第四表面(1233)的遠離所述第一拼接體(121)的一端朝背離所述承載盤(130)的方向延伸，
10.根據權利要求9所述的工藝腔室，其特征在于，所述第...
【專利技術屬性】
技術研發人員：裴立新，黃其偉，張先鵬，史全宇，韓為鵬，
申請(專利權)人：北京北方華創微電子裝備有限公司，
類型：發明
國別省市：
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