【技術實現步驟摘要】
本申請涉及模擬集成電路設計的，具體涉及一種帶有延時控制的復位電路。
技術介紹
1、電子系統電源上電時，如數字寄存器、模擬積分器等記憶元件均需要一個復位信號進行初始化。同時，電源遭遇大的噪聲及負載電流時，電源往往會瞬態快速掉電導致記憶元件狀態不定，也需要調電復位初始化信號。復位信號需要維持一定時延以便電源上電及電路狀態初始化。
2、參照圖1，示出了傳統的復位電路的電路圖，其中的復位延時單元直接利用無源rc電路產生復位延時維持時間，受工藝影響，復位延時維持時間分布較為廣泛，為滿足最低延時維持時間需要較大的無源器件面積，增加成本。此外，無源rc電路應用于甚長復位時間系統時，需要增加數倍的rc時間乘積，會再來顯著的成本效益增加。并且，rc復位延時一般為固定時間，無法進行延遲時間編程控制調整與精度補償設計。
技術實現思路
1、為了解決上述問題，本申請提供了一種帶有延時控制的復位電路。
2、本申請提供的一種帶有延時控制的復位電路，包括：上電檢測模塊、復位延時模塊和掉電釋放模塊；
3、所述上電檢測模塊的輸入端連接于電源，用于監測所述電源的工作狀態，并生成第一控制信號；
4、所述復位延時模塊包括有源調整管和延時mos管，所述有源調整管的柵極接收所述第一控制信號，源極連接至所述電源，漏極連接至所述延時mos管的柵極，所述延時mos管的源極和漏極共同接地；
5、所述掉電釋放模塊的輸入端連接在所述有源調整管的漏極和所述延時mos管的柵極之間，用
6、在一些實施例中，所述復位延時模塊包括并聯的若干延時控制單元，每一所述延時控制單元中均設置有一個所述有源調整管；
7、對于第x延時控制單元，包括第x信號輸入接口、x號pmos管、x號nmos管和第x有源調整管；
8、其中，所述x號pmos管和x號nmos管的柵極共同連接于所述第x信號輸入接口，所述x號pmos管和x號nmos管的漏極共同連接于所述第x有源調整管的柵極，所述x號pmos管的源極連接于所述電源，所述第一控制信號輸入所述x號nmos管的源極；所述第x有源調整管的源極連接至所述電源，漏極連接至所述延時mos管的柵極。
9、在一些實施例中，所述上電檢測模塊包括第一負載電阻、第二負載電阻、第一mos管、第二mos管、第一pmos管和第一nmos管；
10、所述第一mos管和第二mos管鏡像設置，所述第一mos管的漏極通過所述第一負載電阻連接至電源和地線中的其中一個，源極連接至電源和地線中的另一個；所述第二mos管的漏極通過所述第二負載電阻連接至電源和地線中的其中一個，源極連接至電源和地線中的另一個；
11、所述第一nmos管的柵極連接在所述第二負載電阻和第二mos管之間，源極接地；
12、所述第一pmos管的源極連接于所述電源，柵極連接至所述有源調整管的柵極；
13、所述第一pmos管和第一nmos管的漏極相互連接后，作為所述上電檢測模塊的輸出端連接至所述有源調整管的柵極。
14、在一些實施例中，還包括差分掉電監測模塊，所述差分掉電監測模塊的差分輸入端連接于所述上電檢測模塊；
15、所述掉電釋放模塊包括下拉mos管，所述下拉mos管的柵極連接于所述差分掉電監測模塊的輸出端，源極連接于所述復位延時模塊的輸出端，漏極接地或電源。
16、在一些實施例中，所述差分掉電監測模塊包括差分設置的兩個監測mos管，兩個所述監測mos管的漏極相互連接，其中一個所述監測mos管的柵極連接在所述第一mos管和第一負載電阻之間，用于接收第一監測電壓，另一個所述監測mos管的柵極連接在所述第二mos管和第二負載電阻之間，用于接收第二監測電壓；
17、所述第一監測電壓和第二監測電壓構成為差分輸入信號；
18、所述下拉mos管的柵極連接在兩個所述監測mos管的漏極之間。
19、在一些實施例中，所述第一mos管和第二mos管為n型管，所述第一mos管和第二mos管的源極均接地，漏極均連接至所述電源；
20、所述監測mos管包括第一監測mos管和第二監測mos管，所述第一監測mos管的源極接地，所述第二監測mos管的源極連接于電源；
21、所述第一監測mos管為n型管，所述第一監測mos管的柵極連接在所述第一mos管的漏極和第一負載電阻之間，用于接收所述第一監測電壓；
22、所述第二監測mos管為p型管，所述第二監測mos管的柵極連接在所述第二mos管的漏極和第二負載電阻之間，用于接收所述第二監測電壓。
23、所述下拉mos管為pmos管，其漏極接地。
24、在一些實施例中，所述第一mos管和第二mos管為p型管，所述第一mos管和第二mos管的源極均連接于所述電源，漏極均接地；
25、所述監測mos管包括第一監測mos管和第二監測mos管，所述第一監測mos管的源極接地，所述第二監測mos管的源極連接于電源；
26、所述第一監測mos管為n型管，所述第一監測mos管的柵極連接在所述第二mos管的漏極和第二負載電阻之間，用于接收所述第二監測電壓；
27、所述第二監測mos管為p型管，所述第二監測mos管的柵極連接在所述第一mos管的漏極和第一負載電阻之間，用于接收所述第一監測電壓。
28、所述下拉mos管為nmos管，其漏極接電源。
29、在一些實施例中，所述復位電路還包括整形輸出模塊，所述整形輸出模塊用于接收所述復位控制信號，對所述復位控制信號的波形進行整形，并輸出整形后的復位控制信號。
30、在一些實施例中，所述整形輸出模塊包括第二反相器和第三反相器，所述第二反相器用于對所述復位控制信號進行反向處理，以輸出所述復位控制信號的反向信號，所述第三反相器用于對所述復位控制信號的反向信號進行反向處理，以得到整形后的復位控制信號并輸出。
31、本申請技術方案，至少包括如下優點：
32、1、通過設置包含有有源調整管的復位延時模塊，并將上電檢測電路輸出的第一控制信號輸入有源調整管的柵極，根據第一控制信號的變化，可以調節有源調整管的柵極偏置，進而調節有源調整管的有源阻值，在對第一控制信號進行延時處理的同時，還可以控制復位延時維持時間；
33、2、通過設置并聯的若干延時控制單元，并對每個延時控制單元進行分別控制，可以改變復位延時模塊中等效的總的有源調整管的工作尺寸，從而可以改變電流鏡像比例，進一步調整復位延時持續時間；
34、3、通過差分掉電監測模塊的設置，快速響應電源掉電并產生電平釋放控制信號，可以消除閾值損失，使得復位電平電荷釋放更快速徹底，有助于提升復位延時維持時間，提高復位電路的可靠性，進而降低成本。
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1.一種帶有延時控制的復位電路，其特征在于，包括：上電檢測模塊、復位延時模塊和掉電釋放模塊；
2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述復位延時模塊包括并聯的若干延時控制單元，每一所述延時控制單元中均設置有一個所述有源調整管；
3.根據權利要求1或2所述的電路，其特征在于，所述上電檢測模塊包括第一負載電阻、第二負載電阻、第一MOS管、第二MOS管、第一PMOS管和第一NMOS管；
4.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，還包括差分掉電監測模塊，所述差分掉電監測模塊的差分輸入端連接于所述上電檢測模塊；
5.根據權利要求4所述的電路，其特征在于，所述差分掉電監測模塊包括差分設置的兩個監測MOS管，兩個所述監測MOS管的漏極相互連接，其中一個所述監測MOS管的柵極連接在所述第一MOS管和第一負載電阻之間，用于接收第一監測電壓，另一個所述監測MOS管的柵極連接在所述第二MOS管和第二負載電阻之間，用于接收第二監測電壓；
6.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管為N型管，所述第一MOS管和第二
7.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管為P型管，所述第一MOS管和第二MOS管的源極均連接于所述電源，漏極均接地；
8.根據權利要求1至7任一所述的電路，其特征在于，所述復位電路還包括整形輸出模塊，所述整形輸出模塊用于接收所述復位控制信號，對所述復位控制信號的波形進行整形，并輸出整形后的復位控制信號。
9.根據權利要求8所述的電路，其特征在于，所述整形輸出模塊包括第二反相器和第三反相器，所述第二反相器用于對所述復位控制信號進行反向處理，以輸出所述復位控制信號的反向信號，所述第三反相器用于對所述復位控制信號的反向信號進行反向處理，以得到整形后的復位控制信號并輸出。
...【技術特征摘要】
1.一種帶有延時控制的復位電路，其特征在于，包括：上電檢測模塊、復位延時模塊和掉電釋放模塊；
2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述復位延時模塊包括并聯的若干延時控制單元，每一所述延時控制單元中均設置有一個所述有源調整管；
3.根據權利要求1或2所述的電路，其特征在于，所述上電檢測模塊包括第一負載電阻、第二負載電阻、第一mos管、第二mos管、第一pmos管和第一nmos管；
4.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，還包括差分掉電監測模塊，所述差分掉電監測模塊的差分輸入端連接于所述上電檢測模塊；
5.根據權利要求4所述的電路，其特征在于，所述差分掉電監測模塊包括差分設置的兩個監測mos管，兩個所述監測mos管的漏極相互連接，其中一個所述監測mos管的柵極連接在所述第一mos管和第一負載電阻之間，用于接收第一監測電壓，另一個所述監測mos管的柵極連接在所述第二mos管和第二...
【專利技術屬性】
技術研發人員：戴若凡，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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