【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于有機電致材料，具體涉及一種含咔唑基的三亞苯類化合物、中間體、組合物和有機電致發光器件。
技術介紹
1、有機電致發光器件的結構具體為：陽極、陰極以及介于兩者之間的有機層。為了提高有機電致發光元件的效率和穩定性，有機材料層包括具有不同材料的多層，例如空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、空穴阻擋層、發光層、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)。當前，有機電致發光已經成為主流的顯示技術，相應的，各種新型的oled材料也被開發。
2、為了滿足人們對于oled器件的更高要求，本領域亟待開發更多種類的材料，以使提高oled器件在電流效率、壽命等方面的性能。
技術實現思路
1、針對現有技術的不足，本專利技術的目的在于提供一種含咔唑基的三亞苯類化合物、中間體、組合物和有機電致發光器件。本專利技術中通過對含咔唑基的三亞苯類化合物的結構進行設計，使其適用作有機電致發光器件發光層的主體材料，使有機電致發光器件具有較低的驅動電壓、較高的電流效率和較長的壽命。
2、為達此目的，本專利技術采用以下技術方案：
3、第一方面，本專利技術提供一種含咔唑基的三亞苯類化合物，所述含咔唑基的三亞苯類化合物具有如下式i或式ii所示結構：
4、
5、其中，ar1、ar2各自獨立地選自咔唑基、萘基、聯苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、三亞苯基、熒蒽基中的任意一種；且ar1、ar2中至少一個選自咔唑基；
6、a1
7、ar選自單鍵、c6-c40亞芳基或c6-c30亞雜芳基中的任意一種；
8、r1、r2、r3各自獨立地選自h、c6-c40芳基、c6-c30雜芳基、c1-c12烷基中的任意一種；
9、式i化合物和式ii所示化合物中的氫原子各自獨立地可以被氘原子(d)、-f、-cn、c6-c20芳基、c1-c12烷基或c1-c12烷氧基中的至少一種取代。
10、本專利技術中通過對含咔唑基的三亞苯類化合物的結構進行設計，使其適用作有機電致發光器件磷光發光層的主體材料，使有機電致發光器件具有較低的驅動電壓、較高的電流效率和較長的壽命。
11、本專利技術中，c6-c20可以是c6、c8、c10、c12、c16或c20等。
12、c1-c12可以是c1、c2、c4、c6、c8、c10或c12等。
13、c6-c40可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等。
14、c6-c30可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28或c30等。
15、需要說明的是，本專利技術中，“d”表示氘原子，下同。
16、以下作為本專利技術的優選技術方案，但不作為對本專利技術提供的技術方案的限制，通過以下優選的技術方案，可以更好的達到和實現本專利技術的目的和有益效果。
17、作為本專利技術的優選技術方案，所述c6-c40亞芳基選自亞苯基、亞聯苯基、亞三聯苯基、亞萘基、亞蒽基、亞菲基、亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞萘并芴基、亞芘基、亞苝基、亞螺芴基、亞三亞苯基、亞熒蒽基、亞氫化苯并蒽基、亞茚并芴基、亞苯并茚并芴基、亞二苯并茚并芴基、亞萘并芴基、亞四苯基甲烷基(虛線表示連接位點，下同)或亞苯并萘并芴基中的任意一種或者兩種的組合。
18、作為本專利技術的優選技術方案，所述c6-c30亞雜芳基選自亞雜芳基選自亞咔唑基、亞二苯并噻吩基、亞亞二苯并呋喃基、萘并苯并呋喃基、亞萘并苯并噻吩基、亞二萘并呋喃基、亞二萘并噻吩基中的任意一種。
19、作為本專利技術的優選技術方案，所述c6-c20芳基選自苯基、聯苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、苯并芴基、熒蒽基或三亞苯基中的任意一種或者兩種的組合。
20、作為本專利技術的優選技術方案，所述c1-c12烷基選自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、辛基或金剛烷基中的任意一種。
21、作為本專利技術的優選技術方案，所述c1-c12烷氧基選自甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基或己氧基中的任意一種。
22、作為本專利技術的優選技術方案，所述ar1、ar2各自獨立地選自咔唑基、聯苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、萘基、三亞苯基中的任意一種；且ar1、ar2中至少一個選自咔唑基。
23、作為本專利技術的優選技術方案，所述a1、a2、a3各自獨立地選自n或cr，且至少一個選自n；r選自h、-cn、甲基、乙基、丙基、丁基或苯基中的任意一種，優選為h或-cn。
24、優選地，所述a1、a2、a3均選自n。
25、優選地，所述a1、a2均選自n，所述a3選自cr，所述r選自h或-cn。
26、優選地，所述a1選自n，所述a2、a3均選自cr，所述r選自h。作為本專利技術的優選技術方案，所述ar選自單鍵、亞苯基、亞咔唑基、亞聯苯基、亞芴基、亞萘基、亞三亞苯基、亞熒蒽基、亞茚并芴基、亞二苯并噻吩基、亞萘并苯并呋喃基或亞萘并苯并噻吩基或咔唑基中的任意一種。
27、優選地，所述ar選自單鍵、亞苯基、亞聯苯基、亞二苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基或亞咔唑基中的至少一種。
28、作為本專利技術的優選技術方案，所述r1、r2、r3各自獨立地選自h、甲基、乙基、丙基、叔丁基、苯基、聯苯基、萘基、咔唑基、二苯并噻吩基或萘并苯并呋喃基中的任意一種，優選為h或苯基。
29、作為本專利技術的優選技術方案，所述式i化合物和式ii化合物中的氫原子各自獨立地可以被氘原子、-f、-cn、苯基、萘基、聯苯基、甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基中的至少一種取代，進一步優選為氘原子、-f、-cn、甲基、乙基、丙基、叔丁基、甲氧基、乙氧基或苯基中的至少一種。
30、優選地，所述式i化合物和式ii化合物中的氫原子各自獨立地還可以被三苯基甲基三苯基硅基取代。
31、作為本專利技術的優選技術方案，所述ar1、ar2均選自咔唑基，所述ar選自亞咔唑基。
32、作為本專利技術的優選技術方案，所述含咔唑基的三亞苯類化合物選自如下取代或未取代的化合物中的任意一種：
33、
34、
35、
36、所述取代是指上述含咔唑基的三亞苯類化合物中的氫原子各自獨立地可以被氘原子取代。
37、優選地，所述含咔唑基的三亞苯類化合物選自如下化合物中的任意一種：
38、
39、需要說明的是，本專利技術對于含咔唑基的三亞苯類化合物的制備方法沒有任何特殊的限制，本領域常用的制備方法均適用。舉例說明本專利技術提供的式i化合物的制備方法：
40、
41、其中x、y各自獨立地選自氟、氯、溴或碘中的任意一種；<本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種含咔唑基的三亞苯類化合物，其特征在于，所述含咔唑基的三亞苯類化合物具有如下式I或式II所示結構：
2.根據權利要求1所述的含咔唑基的三亞苯類化合物，其特征在于，所述C6-C40亞芳基選自亞苯基、亞聯苯基、亞三聯苯基、亞萘基、亞蒽基、亞菲基、亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞萘并芴基、亞芘基、亞苝基、亞螺芴基、亞三亞苯基、亞熒蒽基、亞氫化苯并蒽基、亞茚并芴基、亞苯并茚并芴基、亞二苯并茚并芴基、亞萘并芴基、亞四苯基甲烷基或亞苯并萘并芴基中的任意一種或至少兩種的組合；
3.根據權利要求1或2所述的含咔唑基的三亞苯類化合物，其特征在于，所述Ar1、Ar2各自獨立地選自咔唑基、聯苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、萘基、三亞苯基中的任意一種；且Ar1、Ar2中至少一個選自咔唑基；
4.根據權利要求1-3任一項所述的含咔唑基的三亞苯類化合物，其特征在于，所述Ar選自單鍵、亞苯基、亞咔唑基、亞聯苯基、亞芴基、亞萘基、亞三亞苯基、亞熒蒽基、亞茚并芴基、亞二苯并噻吩基、亞萘并苯并呋喃基或亞萘并苯并噻吩基或咔唑基中的任意一種；
<...【技術特征摘要】
1.一種含咔唑基的三亞苯類化合物，其特征在于，所述含咔唑基的三亞苯類化合物具有如下式i或式ii所示結構：
2.根據權利要求1所述的含咔唑基的三亞苯類化合物，其特征在于，所述c6-c40亞芳基選自亞苯基、亞聯苯基、亞三聯苯基、亞萘基、亞蒽基、亞菲基、亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞萘并芴基、亞芘基、亞苝基、亞螺芴基、亞三亞苯基、亞熒蒽基、亞氫化苯并蒽基、亞茚并芴基、亞苯并茚并芴基、亞二苯并茚并芴基、亞萘并芴基、亞四苯基甲烷基或亞苯并萘并芴基中的任意一種或至少兩種的組合；
3.根據權利要求1或2所述的含咔唑基的三亞苯類化合物，其特征在于，所述ar1、ar2各自獨立地選自咔唑基、聯苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、萘基、三亞苯基中的任意一種；且ar1、ar2中至少一個選自咔唑基；
4.根據權利要求1-3任一項所述的含咔唑基的三亞苯類化合物，其特征在于，所述ar選自單鍵、亞苯基、亞咔唑基、亞聯苯基、亞芴基、亞萘基、亞三...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李志強，王占奇，董青山，郭金濤，宋斌，洪豪志，陸金波，黃常剛，
申請(專利權)人：阜陽欣奕華材料科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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