【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及研磨用組合物。
技術介紹
1、在cmp領域中，有時配置設置有凹部的二氧化硅膜和以填埋該凹部內的方式形成的多晶硅膜，將二氧化硅膜作為阻擋層進行研磨。
2、作為表示多晶硅膜相對于二氧化硅膜容易被研磨多少的指標，使用多晶硅膜被研磨的速度與二氧化硅膜被研磨的速度之比即選擇比。這是通過將多晶硅膜被研磨的速度除以二氧化硅膜被研磨的速度而求出的。為了使二氧化硅膜作為阻擋層發揮功能，優選選擇比大者。
3、專利文獻1中，以提供能夠得到大的選擇比且表面缺陷的產生少的研磨用組合物為課題，提供一種研磨用組合物，其包含二氧化硅等研磨材料和水，還可以包含四甲基氫氧化銨等堿性有機化合物。
4、現有技術文獻
5、專利文獻
6、專利文獻1：日本特開平10-321569公報
技術實現思路
1、專利技術要解決的問題
2、本專利技術人等在開發新的研磨用組合物的過程中發現，現有技術中，埋入由二氧化硅膜形成的凹部內的多晶硅也被過度研磨，可能產生所謂的凹陷。本專利技術人等在進一步進行研究的過程中發現，即使控制選擇比，若磨粒不適當、或研磨用組合物的ph不適當，則在研磨后多晶硅也會殘留、或產生凹陷。
3、因此，本專利技術的課題在于提供一種新型的研磨用組合物，其能夠減少多晶硅等應被研磨的研磨對象物的殘留，并且也能夠抑制凹陷。
4、用于解決問題的方案
5、本專利技術的一個方式為一種研磨用組合物，其為包含膠體二氧化硅
6、專利技術的效果
7、根據本專利技術，可以提供能夠減少多晶硅等應被研磨的研磨對象物的殘留、并且也能夠抑制凹陷的新型的研磨用組合物。
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1.一種研磨用組合物，其為包含膠體二氧化硅、堿金屬鹽和水的、pH為9.0～11.5的研磨用組合物，其中，
2.根據權利要求1所述的研磨用組合物，其中，所述第二層的研磨速度相對于所述第一層的研磨速度為17～40。
3.根據權利要求1所述的研磨用組合物，其中，所述膠體二氧化硅的脈沖NMR比表面積為40m2/g以下。
4.根據權利要求1所述的研磨用組合物，其中，所述膠體二氧化硅的平均一次粒徑超過70nm且小于100nm。
5.根據權利要求1所述的研磨用組合物，其中，所述堿金屬鹽為堿金屬的氫氧化物。
6.根據權利要求5所述的研磨用組合物，其中，所述堿金屬的氫氧化物為氫氧化鉀。
7.根據權利要求1所述的研磨用組合物，其實質上不包含HEC、PAA、POE月桂基醚、DBS、H2O2、氨和胺中的至少任一者。
8.根據權利要求1所述的研磨用組合物，其實質上不包含水溶性高分子、表面活性劑、氧化劑和具有氮原子的化合物中的至少任一者。
9.根據權利要求1所述的研磨用組合物，其中，在所述膠體二氧化硅的濃度為1.
10.一種研磨用組合物，其實質上僅由硅烷醇基數為6個/nm2以上且22個/nm2以下的膠體二氧化硅、堿金屬鹽和水構成，所述研磨用組合物的pH為9.0～11.5。
11.一種研磨用組合物，其實質上僅由硅烷醇基數為6個/nm2以上且22個/nm2以下的膠體二氧化硅、堿金屬鹽、防腐劑和水構成，所述研磨用組合物的pH為9.0～11.5。
...【技術特征摘要】
1.一種研磨用組合物，其為包含膠體二氧化硅、堿金屬鹽和水的、ph為9.0～11.5的研磨用組合物，其中，
2.根據權利要求1所述的研磨用組合物，其中，所述第二層的研磨速度相對于所述第一層的研磨速度為17～40。
3.根據權利要求1所述的研磨用組合物，其中，所述膠體二氧化硅的脈沖nmr比表面積為40m2/g以下。
4.根據權利要求1所述的研磨用組合物，其中，所述膠體二氧化硅的平均一次粒徑超過70nm且小于100nm。
5.根據權利要求1所述的研磨用組合物，其中，所述堿金屬鹽為堿金屬的氫氧化物。
6.根據權利要求5所述的研磨用組合物，其中，所述堿金屬的氫氧化物為氫氧化鉀。
7.根據權利要求1所述的研磨用組合物，其實質上不包含hec、paa...
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