【技術實現步驟摘要】
本技術涉及薄膜沉積射頻，具體為一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置。
技術介紹
1、脈沖調制有兩種含義。一是指脈沖本身的參數(幅度、寬度、相位)隨信號發生變化的過程。脈沖幅度隨信號變化，稱為脈沖振幅調制；脈沖相位隨信號變化，稱為脈沖相位調制；同理還有脈沖寬度調制、雙脈沖間隔調制、脈沖編碼調制等,兩種含義的不同點是：前者脈沖本身是載波，后者高頻振蕩是載波。一般說的脈沖調制通常指前者；
2、而薄膜沉積射頻裝置使濺射工藝中所用的一種常規設備，濺射工藝中一般采用直流濺射和射頻濺射兩種加工方式，直流濺射和射頻濺射兩種方法都是使用電場將離子加速，然后讓這些離子撞擊目標材料，從而使目標材料的原子被“濺射”出來，沉積在基板上形成薄膜。這兩種方法的主要區別在于所使用的電場類型，即直流電場和射頻電場
3、其中射頻濺射則可以用于絕緣體目標材料，利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面，在射頻濺射中，使用的是射頻電場，電場的方向會周期性地改變。這意味著即使目標材料是絕緣體，也可以在電場的作用下產生足夠的電子和離子，從而維持穩定的濺射過程。因此，如果要濺射絕緣體材料，通常需要使用射頻濺射。
4、常規的射頻裝置結構相對巨大，在移動裝置的過程中需要外部設備進行協作，相較費時費力，同時裝置在加工作業過程中，會產生廢氣，廢氣會對周圍的環境造成影響，會需要外部的裝置進行處理才能排出。
5、于是，有鑒于此，針對現有的結構及缺失予以研究改良，提出一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝
技術實現思路
1、本技術的目的在于提供一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，以解決上述
技術介紹
中提出的問題。
2、為實現上述目的，本技術提供如下技術方案：一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，包括裝置柜組和輔助組件，所述裝置柜組的底部左右兩側對稱安裝有三角架，且三角架靠近裝置柜組垂直中軸線的一些安裝有移動組件，而且裝置柜組的頂部安裝有射頻組件，且射頻組件的內部安裝有固定架組，所述輔助組件連接于射頻組件的一側，所述輔助組件包括回收濾箱、單向閥管和真空泵，所述回收濾箱的一側垂直連接有單向閥管，且回收濾箱的底部連接有真空泵。
3、進一步的，所述裝置柜組包括電控柜組、導軌和防護門，所述電控柜組的正側立面上下對稱安裝有導軌，且導軌之間滑動連接有防護門。
4、進一步的，所述移動組件包括支撐樁、阻尼轉架和自鎖萬向輪，所述支撐樁的下端左右兩側對稱安裝有阻尼轉架，且阻尼轉架的底部安裝有自鎖萬向輪。
5、進一步的，所述射頻組件包括射頻加工箱、控制臺、觀察門和回收罐，所述射頻加工箱的頂部安裝有控制臺，且射頻加工箱的正側立面安裝有觀察門，而且射頻加工箱的一側連接有回收罐。
6、進一步的，所述回收罐通過單向閥結構水平連通于射頻加工箱的右側，且射頻加工箱與射頻組件之間呈電性連接。
7、進一步的，所述固定架組包括放置架、滑塊和限位架，所述放置架的左右兩側安裝有滑塊，且滑塊靠近放置架垂直中軸線的一側安裝有限位架。
8、進一步的，所述放置架呈“凵”字型結構設置，且滑塊和放置架之間呈滑動連接。
9、進一步的，所述回收濾箱、單向閥管和真空泵設置于裝置柜組的內部，且單向閥管遠離回收濾箱的一端貫穿于裝置柜組的頂部與回收罐相連通。
10、本技術提供了一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，具備以下有益效果：
11、1、本技術，由于在射頻組件的一側連接有輔助組件，當射頻加工箱內部在加工作業的過程中，由于加工絕緣材料會產生廢氣，其中包含有氣化的靶料，冗余的氣體會進入回收罐存放，隨后在真空泵的運作下，回收罐內部的氣體會從單向閥管中輸送至回收濾箱的內部，進行過濾回收，利用上述結構的使用，在對余料回收的同時，以便于將廢氣凈化后的排出，減少對外界的影響，保障裝置的環保性。
12、2、本技術，通過在裝置柜組底部安裝的三角架和移動組件，其中由于設置有自鎖萬向輪，可以利用其結構的轉動性，將整個裝置在地面進行任意方向的推移，以便于將整個裝置移動至任意所需要的位置，而當需要將整個裝置穩定放置時，只需要通過阻尼轉架的結構轉動性，將自鎖萬向輪在垂直方向上向上翻轉，并使三角架與地面接觸，從而形成穩定的結構支撐，避免因自鎖萬向輪的活動性發生滑坡的問題，另外自鎖萬向輪由于自身結構，當需要臨時停放時，可以利用自鎖萬向輪攜帶的鎖定結構，使裝置保持固定的狀態，避免晃動。
13、3、本技術，由于在射頻加工箱的內部安裝有固定架組，當需要加工的工件放置于放置架的中間，隨后利用滑塊與放置架的結構滑動性，將與之連接的限位架，在垂直方向上進行上下平移，從而根據目標材料的尺寸做出適當的調節，從而將目標材料進行結構夾持，保障其加工過程中的結構穩定性，通過上述結構的使用，可以最大程度的減少目標材料發生不必要的結構晃動，保障加工后薄膜沉積的質量。
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1.一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，包括裝置柜組(1)和輔助組件(6)，其特征在于：所述裝置柜組(1)的底部左右兩側對稱安裝有三角架(2)，且三角架(2)靠近裝置柜組(1)垂直中軸線的一些安裝有移動組件(3)，而且裝置柜組(1)的頂部安裝有射頻組件(4)，且射頻組件(4)的內部安裝有固定架組(5)，所述輔助組件(6)連接于射頻組件(4)的一側，所述輔助組件(6)包括回收濾箱(601)、單向閥管(602)和真空泵(603)，所述回收濾箱(601)的一側垂直連接有單向閥管(602)，且回收濾箱(601)的底部連接有真空泵(603)。
2.根據權利要求1所述的一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，其特征在于，所述裝置柜組(1)包括電控柜組(101)、導軌(102)和防護門(103)，所述電控柜組(101)的正側立面上下對稱安裝有導軌(102)，且導軌(102)之間滑動連接有防護門(103)。
3.根據權利要求1所述的一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，其特征在于，所述移動組件(3)包括支撐樁(301)、阻尼轉架(302)和自鎖萬向輪(303)，所述
4.根據權利要求1所述的一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，其特征在于，所述射頻組件(4)包括射頻加工箱(401)、控制臺(402)、觀察門(403)和回收罐(404)，所述射頻加工箱(401)的頂部安裝有控制臺(402)，且射頻加工箱(401)的正側立面安裝有觀察門(403)，而且射頻加工箱(401)的一側連接有回收罐(404)。
5.根據權利要求4所述的一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，其特征在于，所述回收罐(404)通過單向閥結構水平連通于射頻加工箱(401)的右側，且射頻加工箱(401)與射頻組件(4)之間呈電性連接。
6.根據權利要求1所述的一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，其特征在于，所述固定架組(5)包括放置架(501)、滑塊(502)和限位架(503)，所述放置架(501)的左右兩側安裝有滑塊(502)，且滑塊(502)靠近放置架(501)垂直中軸線的一側安裝有限位架(503)。
7.根據權利要求6所述的一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，其特征在于，所述放置架(501)呈“凵”字型結構設置，且滑塊(502)和放置架(501)之間呈滑動連接。
8.根據權利要求4所述的一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，其特征在于，所述回收濾箱(601)、單向閥管(602)和真空泵(603)設置于裝置柜組(1)的內部，且單向閥管(602)遠離回收濾箱(601)的一端貫穿于裝置柜組(1)的頂部與回收罐(404)相連通。
...【技術特征摘要】
1.一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，包括裝置柜組(1)和輔助組件(6)，其特征在于：所述裝置柜組(1)的底部左右兩側對稱安裝有三角架(2)，且三角架(2)靠近裝置柜組(1)垂直中軸線的一些安裝有移動組件(3)，而且裝置柜組(1)的頂部安裝有射頻組件(4)，且射頻組件(4)的內部安裝有固定架組(5)，所述輔助組件(6)連接于射頻組件(4)的一側，所述輔助組件(6)包括回收濾箱(601)、單向閥管(602)和真空泵(603)，所述回收濾箱(601)的一側垂直連接有單向閥管(602)，且回收濾箱(601)的底部連接有真空泵(603)。
2.根據權利要求1所述的一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，其特征在于，所述裝置柜組(1)包括電控柜組(101)、導軌(102)和防護門(103)，所述電控柜組(101)的正側立面上下對稱安裝有導軌(102)，且導軌(102)之間滑動連接有防護門(103)。
3.根據權利要求1所述的一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，其特征在于，所述移動組件(3)包括支撐樁(301)、阻尼轉架(302)和自鎖萬向輪(303)，所述支撐樁(301)的下端左右兩側對稱安裝有阻尼轉架(302)，且阻尼轉架(302)的底部安裝有自鎖萬向輪(303)。
4.根據權利要求1所述的一種基于脈沖調制技術的薄膜沉積射頻裝置，其特征在于，所述射頻組件(4...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王碩，
申請(專利權)人：蘇州光筑激光設備有限公司，
類型：新型
國別省市：
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