【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，尤其是涉及一種聚焦深度測量方法。
技術介紹
1、光刻工藝是現代大規模集成電路制造中最重要的制造工藝之一，能夠通過光刻機將掩膜圖形上集成電路的設計圖形轉移到硅片上。在芯片的制造過程中，為優化曝光參數，保證晶圓表面的圖形質量，需要對晶圓上曝光顯影后的圖形進行景深量測和檢查。景深量測涉及到多種圖形，例如密集圖形和孤立圖形，圖形經過曝光顯影后，利用掃描電子顯微鏡(scanning?electron?microscope，sem)對其進行測量，以得到各個圖形的關鍵尺寸cd和景深，進而確定晶圓上整體圖形的景深。
2、在利用sem進行景深量測時，sem對光阻具有損傷性，當兩個圖形彼此較為臨近時，對其中一個圖形進行量測，sem產生的電子束不可避免的會對另一個圖形產生不利影響，可能導致另一個圖形的輪廓結構發生失真，因此，需要將兩個較為臨近的圖形分開一定的間隔距離，并分別進行測量。另外，當完成sem量測后，為進一步檢測圖形的輪廓，需要進行切片處理，切片后再次進行sem檢查，導致晶圓表面光刻膠的圖形輪廓、厚度、關鍵尺寸等參數會發生更加嚴重的失真。
3、基于此，為解決上述問題，本申請提供一種聚焦深度測量方法，用于實現對臨近圖形的聚焦深度測量，同時能夠減少或避免圖形失真的風險。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本申請的目的在于提供一種聚焦深度測量方法，以解決現有技術中存在的圖形聚焦深度測量和檢查時容易發生圖形失真等問題，能夠同時確定臨近的孤立圖形和密集
2、為達到上述目的及其他相關目的，本申請提供一種聚焦深度測量方法，包括以下步驟：
3、提供掩膜圖形和待測試件，所述掩膜圖形包括若干第一圖形和若干第二圖形；
4、對所述待測試件進行曝光顯影，以將所述掩膜圖形轉移至所述待測試件上；
5、根據所述第二圖形，對所述待測試件進行第一類量測，以得到所述待測試件上第二圖形的聚焦深度；
6、對所述待測試件進行第二類量測，以得到所述待測試件上第一圖形的聚焦深度；
7、其中，在所述待測試件上，所述第一圖形與相鄰的第二圖形之間的距離小于或等于第一距離。
8、可選地，所述第一距離為3μm～10μm。
9、可選地，所述掩膜圖形包括多個第一圖形，在所述待測試件上，相鄰兩個所述第一圖形之間的距離大于第二距離。
10、可選地，所述第二距離為3μm～10μm。
11、可選地，所述掩膜圖形還包括若干第三圖形和若干第四圖形，在所述待測試件上，所述第一圖形與相鄰的第三圖形之間的距離、相鄰兩個所述第三圖形之間的距離、所述第三圖形與相鄰的第四圖形之間的距離均大于第二距離。
12、可選地，所述第二圖形和所述第四圖形均為密集圖形，根據所述第二圖形，利用光學量測系統，對所述待測試件進行光學量測，以得到所述待測試件上第二圖形和第四圖形的聚焦深度。
13、可選地，所述第一圖形和所述第三圖形均為孤立圖形，利用掃描電子顯微鏡，對所述待測試件進行量測，以得到所述待測試件上第一圖形和所述第三圖形的聚焦深度。
14、可選地，所述第二圖形包括第一標記圖形，所述第一標記圖形包括若干第一線條和若干第二線條；
15、所述第一標記圖形具有相互垂直的第一方向和第二方向，所述第一線條和所述第二線條均沿所述第一方向延伸，并沿所述第二方向間隔排布。
16、可選地，所述第一標記圖形包括兩個所述第一線條和若干所述第二線條，若干所述第二線條均勻間隔設置于兩個所述第一線條之間，并且所述第一線條的寬度大于所述第二線條的寬度。
17、可選地，所述第二圖形還包括第二標記圖形，所述第二標記圖形與所述第一標記圖形旋轉對稱。
18、如上所述，本申請提供的聚焦深度測量方法，至少具有以下有益效果：
19、本申請的聚焦深度測量方法，將第二圖形作為測量標記，利用光學量測系統對待測試件表面的第二圖形進行量測以得到第二圖形的聚焦深度，并利用sem對臨近的第一圖形進行量測以得到第一圖形的聚焦深度，實現了在極小量測范圍內同時精準測量密集圖形和孤立圖形的聚焦深度，無需對較為臨近的兩種圖形分開進行兩次量測；并且通過光學量測，實現了對密集圖形的無損測量，無需使密集圖形處于sem正中心的高能電子束轟擊下，降低或避免了密集圖形發生失真的風險，后續對密集圖形進行切片檢查時，能夠更精準的反應密集圖形的輪廓結構及尺寸。
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1.一種聚焦深度測量方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述第一距離為3μm～10μm。
3.根據權利要求1所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述掩膜圖形包括多個第一圖形，在所述待測試件上，相鄰兩個所述第一圖形之間的距離大于第二距離。
4.根據權利要求3所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述第二距離為3μm～10μm。
5.根據權利要求1所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述掩膜圖形還包括若干第三圖形和若干第四圖形，在所述待測試件上，所述第一圖形與相鄰的第三圖形之間的距離、相鄰兩個所述第三圖形之間的距離、所述第三圖形與相鄰的第四圖形之間的距離均大于第二距離。
6.根據權利要求5所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述第二圖形和所述第四圖形均為密集圖形，根據所述第二圖形，利用光學量測系統，對所述待測試件進行光學量測，以得到所述待測試件上第二圖形和第四圖形的聚焦深度。
7.根據權利要求5所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述第一圖形和所述第三圖形均為孤立
8.根據權利要求1所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述第二圖形包括第一標記圖形，所述第一標記圖形包括若干第一線條和若干第二線條；
9.根據權利要求8所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述第一標記圖形包括兩個所述第一線條和若干所述第二線條，若干所述第二線條均勻間隔設置于兩個所述第一線條之間，并且所述第一線條的寬度大于所述第二線條的寬度。
10.根據權利要求8所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述第二圖形還包括第二標記圖形，所述第二標記圖形與所述第一標記圖形旋轉對稱。
...【技術特征摘要】
1.一種聚焦深度測量方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述第一距離為3μm～10μm。
3.根據權利要求1所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述掩膜圖形包括多個第一圖形，在所述待測試件上，相鄰兩個所述第一圖形之間的距離大于第二距離。
4.根據權利要求3所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述第二距離為3μm～10μm。
5.根據權利要求1所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述掩膜圖形還包括若干第三圖形和若干第四圖形，在所述待測試件上，所述第一圖形與相鄰的第三圖形之間的距離、相鄰兩個所述第三圖形之間的距離、所述第三圖形與相鄰的第四圖形之間的距離均大于第二距離。
6.根據權利要求5所述的聚焦深度測量方法，其特征在于，所述第二圖形和所述第四圖形均為密集圖形，根據所述第二圖形，利用光學量...
【專利技術屬性】
技術研發人員：周嫻，敖振宇，陳詠翔，曾鼎程，范富杰，胡展源，
申請(專利權)人：重慶芯聯微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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