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本申請屬于半導體技術領域，提供一種聚焦深度測量方法，包括以下步驟：提供掩膜圖形和待測試件，掩膜圖形包括若干第一圖形和第二圖形，第一圖形與相鄰第二圖形之間的距離小于或等于第一距離；對待測試件曝光顯影將掩膜圖形轉移至待測試件上；根據第二圖形，對...
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