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    晶圓處理裝置、晶圓處理系統(tǒng)和方法制造方法及圖紙

    技術編號:44517334 閱讀:14 留言:0更新日期:2025-03-07 13:11
    本發(fā)明專利技術涉及晶圓涂膠領域,提供一種晶圓處理裝置、晶圓處理系統(tǒng)和方法,該裝置包括:第一層間機械手、第一層間框架組、第二層間框架組、第一液處理模組和第二液處理模組;第一液處理模組和第二液處理模組用于對晶圓表面進行不同的液處理工藝;第一液處理模組和第二液處理模組在豎直方向上層疊;第一層間框架組與所述第一液處理模組的第一側對接;第二層間框架組與所述第二液處理模組的第一側對接,所述第二層間框架組用于容納待所述第二液處理模組處理的晶圓,和經(jīng)過所述第二液處理模組處理后的晶圓;第一層間機械手的工作狀態(tài)為啟用狀態(tài)時,用于將第一層間接口上的晶圓傳送至第二層間接口。該裝置用于提升晶圓在垂直層疊模塊之間的傳輸效率。

    【技術實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術涉及晶圓處理,尤其涉及一種晶圓處理裝置、晶圓處理系統(tǒng)和方法


    技術介紹

    1、相關技術中,為了提高空間利用效率并縮短晶圓的處理周期,采用垂直層疊的模塊化設計。這種設計允許在緊湊的空間內集成更多的處理單元。然而,在現(xiàn)有的垂直層疊式晶圓處理系統(tǒng)中,往往缺乏有效的解決方案來實現(xiàn)晶圓在不同高度位置之間的高效轉移,導致晶圓傳輸效率低下。因此,亟需一種晶圓處理裝置、晶圓處理系統(tǒng)和方法以改善上述問題。


    技術實現(xiàn)思路

    1、本專利技術的目的在于提供一種晶圓處理裝置、晶圓處理系統(tǒng)和方法,該裝置用于提升晶圓在垂直層疊模塊之間的傳輸效率。

    2、第一方面,本專利技術提供一種晶圓處理裝置,包括:第一層間機械手、第一層間框架組、第二層間框架組、第一液處理模組和第二液處理模組;所述第一液處理模組和所述第二液處理模組用于對晶圓表面進行不同的液處理工藝;所述第一液處理模組和所述第二液處理模組在豎直方向上層疊設置;所述第一層間框架組與所述第二層間框架組在豎直方向上層疊設置;所述第一層間框架組與所述第一液處理模組的第一側對接,所述第一層間框架組用于容納經(jīng)過所述第一液處理模組處理的晶圓,和經(jīng)過所述第一液處理模組處理后的晶圓;所述第一側為所述第一液處理模組的水平側;所述第一層間框架組內設有按豎直方向依次排列的n個第一層間接口,n為大于1的正整數(shù);同一晶圓第n次進入所述第一層間框架組時,被放置在第n個所述第一層間接口上;所述第二層間框架組與所述第二液處理模組的第一側對接,所述第二層間框架組用于容納待所述第二液處理模組處理的晶圓,和經(jīng)過所述第二液處理模組處理后的晶圓;所述第二層間框架組內設有按豎直方向依次排列的m個第二層間接口,m為大于1的正整數(shù);同一晶圓第m次進入所述第二層間框架組時,被放置在第m個所述第二層間接口上;所述第一層間機械手的工作狀態(tài)為啟用狀態(tài)時,用于將所述第一層間接口上的晶圓傳送至所述第二層間接口,或將所述第二層間接口上的晶圓傳送至所述第一層間接口。

    3、可選的,所述第一層間機械手包括至少一個執(zhí)行器;所述執(zhí)行器朝向所述第一層間框架組或所述第二層間框架組;所述執(zhí)行器用于從所述第一層間接口上拿取晶圓,或將晶圓傳送到所述第二層間接口上。

    4、可選的,所述第一液處理模組或所述第二液處理模組內設置有涂膠單元、抗反射單元和溶劑旋涂單元中的至少一者;涂膠單元用于在晶圓表面涂覆光刻膠層;抗反射單元用于在晶圓表面涂覆抗反射涂層;溶劑旋涂單元用于在晶圓表面涂覆聚合物溶劑層。

    5、可選的,所述第一液處理模組內設有第一液處理機械手、所述抗反射單元和所述溶劑旋涂單元;所述第二液處理模組內設有第二液處理機械手和所述涂膠單元;所述第一層間機械手用于將所述第一層間接口上的晶圓傳送至所述第二層間接口。

    6、可選的,還包括:第一熱處理模組和/或第二熱處理模組;第一熱處理模組設于所述第一層間框架組遠離所述第一液處理模組的一側;第二熱處理模組設于所述第二層間框架組遠離所述第二液處理模組的一側;第一熱處理模組和第二熱處理模組用于根據(jù)不同的加熱參數(shù)對晶圓加熱處理;加熱參數(shù)包括加熱溫度和加熱時間。

    7、可選的,所述第一層間框架組和/或所述第二層間框架組內還設有冷卻單元;所述冷卻單元設置于至少一個第一層間接口的上表面和/或至少一個第二層間接口的上表面;所冷卻單元與晶圓接觸時用于吸收晶圓的熱量。

    8、可選的,所述第一熱處理模組或所述第二熱處理模組內設置有光刻膠烘烤單元、抗反射涂層烘烤單元和溶劑烘烤單元中的至少一者;光刻膠烘烤單元用于烘烤晶圓表面的光刻膠層,以使所述光刻膠層固化;抗反射涂層烘烤單元用于烘烤晶圓表面的抗反射涂層,以使所述抗反射涂層固化;溶劑烘烤單元用于烘烤晶圓表面的聚合物溶劑層,以使所述聚合物溶劑化層固化。

    9、可選的,所述第一熱處理模組或所述第二熱處理模組內還設有邊緣曝光單元;所述邊緣曝光單元用于對晶圓的正面邊緣進行曝光處理,以使晶圓表面的聚合物溶劑層邊緣易于脫離。

    10、可選的,還包括控制單元,所述控制單元用于控制所述第一層間機械手的工作狀態(tài)為啟用狀態(tài)或禁用狀態(tài);當所述第一層間機械手的工作狀態(tài)為禁用狀態(tài)時,所述控制單元用于控制所述第一層間機械手移動至初始位置,所述初始位置設于所述第一層間框架組和第二層間框架組的外側。

    11、可選的,所述第一層間框架組和所述第二層間框架組一體設置為層間接口塔,或所述第一層間框架組與所述第二層間框架組可拆卸連接。

    12、第二方面,本專利技術提供一種晶圓處理系統(tǒng),包括第一方面中任一項所述的晶圓處理裝置,還包括片盒模塊;所述片盒模塊包括進出站機械手、第三層間框架組和第四層間框架組;所述第三層間框架組與所述第四層間框架組在豎直方向上層疊設置;所述第三層間框架組與所述第一液處理模組的第二側對接,所述第三層間框架組用于容納待所述第一液處理模組處理的晶圓;所述第二側為所述第一液處理模組的水平側,所述第二側與所述第一側互為對側;所述第三層間框架組內設有至少兩個第三層間接口;至少兩個所述第三層間接口按豎直方向依次排列,所述第三層間接口的排列順序與同一晶圓進入所述第三層間框架組的順序一致;所述第四層間框架組與所述第二液處理模組的第二側對接,所述第四層間框架組用于容納經(jīng)過所述第二液處理模組處理的晶圓;所述第四層間框架組內設有至少兩個第四層間接口;所述第二層間機械手用于將所述總接口上的晶圓傳送至所述第三層間接口上;所述進出站機械手用于拿取所述第三層間接口上的晶圓。

    13、可選的,還包括:總接口、片盒機械手、第一裝載接口和第二裝載接口;所述第一裝載接口用于裝載未經(jīng)過處理的晶圓,所述第二裝載接口用于裝載已經(jīng)過處理的晶圓;所述進出站機械手用于將所述第一裝載接口上的晶圓傳送至所述總接口上;所述進出站機械手還用于將所述第四層間接口上的晶圓傳送至所述第二裝載接口上;所述片盒機械手用于將天車上的晶圓傳送到所述第一裝載接口上;所述片盒機械手還用于將第二裝載接口上的晶圓傳送到天車上。

    14、可選的,還包括增粘單元,所述增粘單元用于在加熱環(huán)境下對晶圓表面噴施增粘劑;所述第二層間機械手用于將所述總接口上的晶圓傳送至所述增粘單元;所述第二層間機械手還用于將所述增粘單元中的晶圓傳送至所述第三層間框架組。

    15、第三方面,本專利技術提供一種晶圓處理方法,用于控制所述第一方面中任一項所述的裝置,包括:獲取所述第一層間機械手的工作狀態(tài),所述工作狀態(tài)包括啟用狀態(tài);當所述第一層間機械手的工作狀態(tài)為啟用狀態(tài)時,控制所述第一層間機械手將所述第一層間接口上的晶圓傳送至所述第二層間接口;或將所述第二層間接口上的晶圓傳送至所述第一層間接口。

    16、可選的,所述工作狀態(tài)還包括禁用狀態(tài),所述方法,還包括:當所述第一層間機械手的工作狀態(tài)為禁用狀態(tài)時,所述控制單元用于控制所述第一層間機械手移動至初始位置,所述初始位置設于所述第一層間框架組和第二層間框架組的外側。

    17、與現(xiàn)有技術相比,本專利技術的有益效果在于:通過將第一液處理模組和第二液處理模組本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術保護點】

    1.一種晶圓處理裝置,其特征在于,包括:第一層間機械手、第一層間框架組、第二層間框架組、第一液處理模組和第二液處理模組;

    2.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其特征在于,

    3.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一液處理模組或所述第二液處理模組內設置有涂膠單元、抗反射單元和溶劑旋涂單元中的至少一者;

    4.根據(jù)權利要求3所述的裝置,其特征在于,所述第一液處理模組內設有第一液處理機械手、所述抗反射單元和所述溶劑旋涂單元;所述第二液處理模組內設有第二液處理機械手和所述涂膠單元;

    5.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其特征在于,還包括:第一熱處理模組和/或第二熱處理模組;

    6.根據(jù)權利要求5所述的裝置,其特征在于,所述第一層間框架組和/或所述第二層間框架組內還設有冷卻單元;

    7.根據(jù)權利要求5所述的裝置,其特征在于,所述第一熱處理模組或所述第二熱處理模組內設置有光刻膠烘烤單元、抗反射涂層烘烤單元和溶劑烘烤單元中的至少一者;

    8.根據(jù)權利要求5所述的裝置,其特征在于,所述第一熱處理模組或所述第二熱處理模組內還設有邊緣曝光單元;

    9.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置,其特征在于,還包括控制單元,所述控制單元用于控制所述第一層間機械手的工作狀態(tài)為啟用狀態(tài)或禁用狀態(tài);

    10.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一層間框架組和所述第二層間框架組一體設置為層間接口塔,或所述第一層間框架組與所述第二層間框架組可拆卸連接。

    11.一種晶圓處理系統(tǒng),包括所述權利要求1至10中任一項所述的晶圓處理裝置,其特征在于,還包括片盒模塊;

    12.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng),其特征在于,還包括:總接口、片盒機械手、第一裝載接口和第二裝載接口;

    13.根據(jù)權利要求12所述的系統(tǒng),其特征在于,還包括增粘單元,所述增粘單元用于在加熱環(huán)境下對晶圓表面噴施增粘劑;

    14.一種晶圓處理方法,用于控制所述權利要求1至10中任一項所述的裝置,其特征在于,包括:

    15.根據(jù)權利要求14所述的方法,其特征在于,所述工作狀態(tài)還包括禁用狀態(tài),所述方法,還包括:

    ...

    【技術特征摘要】

    1.一種晶圓處理裝置,其特征在于,包括:第一層間機械手、第一層間框架組、第二層間框架組、第一液處理模組和第二液處理模組;

    2.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其特征在于,

    3.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一液處理模組或所述第二液處理模組內設置有涂膠單元、抗反射單元和溶劑旋涂單元中的至少一者;

    4.根據(jù)權利要求3所述的裝置,其特征在于,所述第一液處理模組內設有第一液處理機械手、所述抗反射單元和所述溶劑旋涂單元;所述第二液處理模組內設有第二液處理機械手和所述涂膠單元;

    5.根據(jù)權利要求1所述的裝置,其特征在于,還包括:第一熱處理模組和/或第二熱處理模組;

    6.根據(jù)權利要求5所述的裝置,其特征在于,所述第一層間框架組和/或所述第二層間框架組內還設有冷卻單元;

    7.根據(jù)權利要求5所述的裝置,其特征在于,所述第一熱處理模組或所述第二熱處理模組內設置有光刻膠烘烤單元、抗反射涂層烘烤單元和溶劑烘烤單元中的至少一者;

    8.根據(jù)權利要求5所述的裝置,其特征在于...

    【專利技術屬性】
    技術研發(fā)人員:張建王超群陳興隆
    申請(專利權)人:沈陽芯源微電子設備股份有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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