【技術實現步驟摘要】
本申請涉及電子組件，具體涉及一種用于電子組件制程的黏著片。
技術介紹
1、在現有技術中，黏著材料諸如黏著片已被廣泛用于各種產品(例如半導體相關組件)的生產過程中。具體而言，一般電子組件設有防電磁干擾的金屬層，需將電子組件經過高溫(100～200℃)濺鍍制程，因制程設計關系，必須有一載體如黏著片可提供承載電子組件。為了制程過程中濺鍍金屬不至于鍍到微結構面(如電子組件電極或接腳)導致組件失效(以下簡稱溢鍍)，所以黏著片的黏著力須足以與電子組件相互固定，且于濺鍍制程中不與電子組件分離，即不發生剝離。另外，在電子組件經過濺鍍制程后，在進行拾取(pick-up)的步驟中，則需要將黏著片與電子組件分離，且微結構面無殘膠現象。
2、因此，用于電子組件濺鍍金屬層的高溫濺鍍制程，所需的黏著片需要同時具備良好的黏著力，以及在經過濺鍍處理后的易剝離且無殘膠于電子組件的微結構面的特性。
3、由已知技術而言，一般現有的用以黏著電子組件的黏著片產品中，經過高溫制程之后，黏著片與電子組件之間的黏著力都會上升。因此，反而使得黏著片與電子組件不易剝離，或電子組件的剝離轉印污染量增多進而產生殘膠等問題。
4、為了解決上述問題，很多文獻都有提及在黏著片與被貼物分離的過程中，可藉由加熱裝置使黏著片與被貼物在一高于室溫(25℃)的情況下進行剝離。例如文獻“twm588877u”提到使用加熱單元加熱可降低黏著片(文獻中稱膠膜)與被貼物(文獻中稱基板)之間的結合力。
5、且依目前技術而言，很多電子廠也會在需使用黏著片的制程過程
6、綜合上述，如欲開發用于高溫(100～200℃)濺鍍制程的黏著片，在黏著片承載電子組件經過濺鍍制程后，可在電子組件與黏著片分離階段時，藉由加熱步驟，使電子組件與黏著片在有高于室溫(25℃)的情況下，有利于分離且無殘膠污染產生。
7、但審視目前已知領域中，其并無明確地說明使用何種量化的表征來挑選合適的黏著片可達到此種功效。
8、有鑒于此，在現有技術中，制作用于電子組件制程的黏著片仍然有改善的空間。
技術實現思路
1、為了解決本領域存在的上述不足，本申請旨在提供一種用于電子組件制程之黏著片。
2、該電子組件系黏著于該黏著片上，其系用于100～200℃之高溫濺鍍制程，該黏著片使用astm?d1000規范測得在25℃時之黏著力(公克重/英寸)為a，其40<a<250，且其加溫至80℃后，于80℃時測得其黏著力(公克重/英寸)為b，其b<30。
3、該黏著片包括有：一聚酰亞胺膜；及一感壓膠，其系黏著于該聚酰亞胺膜上，其感壓膠使用流變儀在25℃時測得的log(tan(δ)/25℃)為x，在50℃時測得的log(tan(δ)/50℃)為y，其中y-x<-0.01。
4、將電子組件置放于該感壓膠上進行貼合固定，再經過100～200℃高溫濺鍍提供防電磁干擾之金屬層，接下來將具有金屬層之電子組件在一熱源(如80～100℃)提供下，輕易于黏著片上取下，且微結構面無溢鍍或殘膠的污染。
5、為使能更進一步了解本專利技術的特征及
技術實現思路
，請參閱以下有關本專利技術的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅用于提供參考與說明，并非用來對本專利技術加以限制。
【技術保護點】
1.一種用于電子組件制程的黏著片，其特征在于，所述電子組件黏著于所述黏著片上；
2.根據權利要求1所述的用于電子組件制程的黏著片，其特征在于，所述感壓膠選自：橡膠系、丙烯基系、乙烯基-烷基醚系、聚硅氧烷系、聚酯系、聚酰胺系、胺基甲酸乙酯系、聚苯乙烯/二烯共聚物系或丙烯酸(酯)共聚物系。
3.根據權利要求1所述的用于電子組件制程的黏著片，其特征在于，所述聚酰亞胺膜的厚度為5-300μm。
4.根據權利要求3所述的用于電子組件制程的黏著片，其特征在于，所述聚酰亞胺膜的厚度為12.5-200μm。
5.根據權利要求1所述的用于電子組件制程的黏著片，其特征在于，所述感壓膠的厚度為1-500μm。
【技術特征摘要】
1.一種用于電子組件制程的黏著片，其特征在于，所述電子組件黏著于所述黏著片上；
2.根據權利要求1所述的用于電子組件制程的黏著片，其特征在于，所述感壓膠選自：橡膠系、丙烯基系、乙烯基-烷基醚系、聚硅氧烷系、聚酯系、聚酰胺系、胺基甲酸乙酯系、聚苯乙烯/二烯共聚物系或丙烯酸(酯)共聚物系。
3.根據權...
【專利技術屬性】
技術研發人員：賴俊廷，黃怡萱，
申請(專利權)人：達邁科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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