【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于晶體硅太陽能電池，具體涉及一種hbc太陽能電池結構及其無非晶損傷制備方法。
技術介紹
1、光伏發電是根據光生伏特效應原理，利用太陽能電池將太陽光能直接轉化為電能的系統，其中太陽能電池的基本結構就是一個大面積平面pn結。在太陽光照射到pn結上時，pn結吸收光能激發出電子和空穴，隨后在pn結中產生電壓，實現光電的轉換。因此，在晶硅電池中實現太陽光能和電能轉換的核心結構即為pn結。
2、隨著perc電池逐漸逼近24.5％的極限效率，業內開始尋求下一代晶硅電池技術，目前主流推進的有topcon(隧穿氧化層鈍化接觸)、hjt(異質結)、ibc(指叉背接觸)技術，與topcon和hjt這種通過改變鈍化方式提升電池效率的思路不同，ibc電池是通過將電池柵線全部轉移到背面，減少柵線遮光面積，提升電流密度，增加電池效率。ibc電池為平臺技術，與topcon技術疊加為tbc，與hjt技術疊加為hbc。
3、但是現有的hbc電池的制備工序復雜，背面的n區和p區的非晶叉指排列結構尤其困難，極易造成損傷，因此如何提供一種可降低對非晶叉指排列結構損傷的hbc電池的制備方法是本領域亟需解決的技術問題。
4、需要說明的是，本
技術介紹
部分中公開的以上信息僅用于理解本申請構思的
技術介紹
，因此，并不認為上述描述構成現有技術的信息。
技術實現思路
1、本公開實施例至少提供一種hbc太陽能電池結構及其無非晶損傷制備方法。
2、第一方面，本公開實施例提供了一種hb
3、在一種可選的實施方式中，所述步驟s1中拋光后的硅片表面反射率為30-45％；塔基的大小為5-15μm。
4、在一種可選的實施方式中，所述步驟s2中所述i：a-si層的厚度為2-10nm；所述p：a-si層包括p：a-si分層和p-uc-sioxcy分層；其中所述p：a-si分層的厚度為10-20nm，摻雜濃度為1e+18cm-3～5e+18cm-3：所述p-uc-sioxcy分層的厚度為20-50nm，摻雜濃度為5e+18cm-3～2e+19cm-3；所述高功函數tco層的厚度為70-150nm，方阻為50-120；所述高功函數tco層的靶材包括質量比為(90-95)：(5-10)的in2o3和sno2；所述i：a-si掩膜層的厚度為20-40nm。
5、在一種可選的實施方式中，所述步驟s3和s6中所述圖形化氧化硅掩膜的厚度為5-15nm，氧化區域的寬度為150-500μm。
6、在一種可選的實施方式中，所述步驟s4中被腐蝕區的反射率為35-45％；被腐蝕區的塔基大小為8-15μm；被腐蝕區的腐蝕深度為0.5-2μm。
7、在一種可選的實施方式中，所述步驟s5中所述i：a-si層的厚度為2-10nm；所述n：a-si層包括n：a-si分層和n-uc-si分層；其中所述n：a-si分層的厚度為10-20nm，摻雜濃度為1e+18cm-3～5e+18cm-3：所述n-uc-si分層的厚度為20-50nm，摻雜濃度為5e+18cm-3～2e+19cm-3；所述低功函數tco層的厚度為70-150nm，方阻為50-120；所述低功函數tco層的靶材包括質量比為(95-98)：(2-5)的in2o3和sno2；所述i：a-si掩膜層的厚度為20-40nm。
8、在一種可選的實施方式中，所述步驟s8中所述氧化鋁層的厚度為2-20nm，所述氮化硅層的厚度為10-40nm。
9、在一種可選的實施方式中，所述步驟s9中開膜的寬度為10-50μm。
10、第二方面，本公開實施例還提供一種如前所述的方法制備得到的hbc太陽能電池結構，所述電池的背面包括p區非晶高功函數tco層與n區非晶低功函數tco層的隔離叉指排列結構，且所述p區與n區的隔離區域設有氧化鋁層和氮化硅層填充。
11、第三方面，本公開實施例還提供一種光伏組件，采用如前所述的hbc太陽能電池結構。
12、本專利技術的有益效果是，本hbc太陽能電池結構及其無非晶損傷制備方法采用tco層+i：a-si掩膜層+激光氧化、選擇性腐蝕清洗的工藝，保護了n區和p區的tco層非晶無任何激光直接接觸，也無酸堿接觸，保證了非晶硅無損傷，極大的提升了電池效率上限，且背面的p區非晶高功函數tco層與n區非晶低功函數tco層的隔離叉指排列結構也克服了傳統hbc電池背面n區p區非晶與tco功函數匹配難題，提升電池的電流與填充因子，提升了雙面率。
13、本專利技術的其他特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本專利技術的目的和其他優點在說明書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。
14、為使本專利技術的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。
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1.一種HBC太陽能電池的無非晶損傷制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
9.一種采用如權利要求1-8任一項所述的方法制備得到的HBC太陽能電池結構，其特征在于，
10.一種光伏組件，其特征在于，采用如權利要求9所述的HBC太陽能電池結構。
【技術特征摘要】
1.一種hbc太陽能電池的無非晶損傷制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，
6.如權利要求1所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉奇堯，潘家彥，
申請(專利權)人：常州比太科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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