【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及數(shù)據(jù)存儲，特別涉及一種降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法、裝置和存儲介質(zhì)。
技術(shù)介紹
1、nand?flash(閃存)是一種常見的非易失性存儲器。隨著嵌入式系統(tǒng)和電子設(shè)備對存儲器容量和性能的需求日益增長，nand?flash作為一種低成本、易于集成的存儲器，成為了解決方案的首要選擇。nand?flash被廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)和電子設(shè)備中。然而在嵌入式系統(tǒng)和電子設(shè)備的使用過程中，往往會面臨數(shù)據(jù)的擦除操作。在進行數(shù)據(jù)的擦除操作時，是對nand?flash的存儲塊中的閃存單元進行擦除操作的。但是存儲塊中有多個閃存單元，處于編程狀態(tài)和擦除狀態(tài)的閃存單元是同時存在的。在擦除操作過程中，編程狀態(tài)的閃存單元，會受到擦除狀態(tài)的閃存單元產(chǎn)生的擦除脈沖應(yīng)力的影響，使編程狀態(tài)的閃存單元受到過度擦除，從而使得存儲塊內(nèi)閃存單元的閾值電壓分布范圍較大。因此對nand?flash進行擦除操作時，需要降低擦除狀態(tài)的閃存單元產(chǎn)生的擦除脈沖應(yīng)力的影響。
2、然而，現(xiàn)有的閃存單元擦除方法，通常是將存儲塊內(nèi)所有的閃存單元進行編程操作，以此將存儲塊內(nèi)處于擦除狀態(tài)的閃存單元轉(zhuǎn)換為編程狀態(tài)。但是對擦除狀態(tài)的閃存單元進行編程操作的過程中，處于編程狀態(tài)的閃存單元也會一同進行編程操作。如此，處于編程狀態(tài)的閃存單元會被過度編程，從而使得存儲塊內(nèi)閃存單元的閾值電壓分布范圍較大，造成了nand?flash性能下降的問題。
3、因此，仍急需一種能夠降低閾值電壓分布和提高nand?flash性能的閃存單元擦除方法。
技術(shù)實現(xiàn)
1、本專利技術(shù)的主要目的在于提出一種降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法、裝置和存儲介質(zhì)，解決現(xiàn)有缺陷nand?flash進行擦除操作時，存儲塊內(nèi)閃存單元的閾值電壓分布范圍較大，從而使nand?flash性能下降的問題。
2、為實現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提出一種降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，所述降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法包括：
3、根據(jù)擦除指令，獲取待擦除存儲塊的編程閃存單元和擦除閃存單元；
4、對所述編程閃存單元進行抑制處理和對所述擦除閃存單元進行預(yù)編程處理，得到處理后的待擦除存儲塊；
5、對所述處理后的待擦除存儲塊進行擦除操作。
6、在一些實施例中，所述獲取待擦除存儲塊的編程閃存單元和擦除閃存單元，包括：
7、讀取所述待擦除存儲塊中各閃存單元的當(dāng)前狀態(tài)，其中，當(dāng)前狀態(tài)包括編程狀態(tài)和擦除狀態(tài)；
8、若所述閃存單元的所述當(dāng)前狀態(tài)為所述編程狀態(tài)，則確定所述閃存單元為編程閃存單元；
9、若所述閃存單元的所述當(dāng)前狀態(tài)為所述擦除狀態(tài)，則確定所述閃存單元為擦除閃存單元。
10、在一些實施例中，所述對所述編程閃存單元進行抑制處理和對所述擦除閃存單元進行預(yù)編程處理，包括：
11、對所述編程閃存單元的所述編程狀態(tài)進行所述抑制處理，使所述編程閃存單元的所述編程狀態(tài)被抑制；
12、對所述擦除閃存單元的所述擦除狀態(tài)進行所述預(yù)編程處理，使所述擦除閃存單元從所述擦除狀態(tài)轉(zhuǎn)為所述編程狀態(tài)。
13、在一些實施例中，所述讀取所述待擦除存儲塊中各閃存單元的當(dāng)前狀態(tài)之前，還包括：
14、獲取各存儲塊；
15、從各所述存儲塊中確定所述待擦除存儲塊。
16、在一些實施例中，所述根據(jù)擦除指令，獲取待擦除存儲塊的編程閃存單元和擦除閃存單元之前，還包括：
17、獲取用戶輸入的擦除信息；
18、根據(jù)所述用戶輸入的擦除信息生成所述擦除指令。
19、在一些實施例中，還包括：
20、分別獲取擦除操作過程中的所述編程閃存單元的閾值電壓及所述擦除閃存單元的閾值電壓；
21、根據(jù)所述編程閃存單元的閾值電壓與所述擦除閃存單元的閾值電壓之間的距離，確定閾值電壓分布值；
22、判斷所述閾值電壓分布值是否小于預(yù)設(shè)分布值；
23、若所述閾值電壓分布值小于預(yù)設(shè)分布值，則確定所述抑制處理和所述預(yù)編程處理成功。
24、在一些實施例中，所述對所述處理后的待擦除存儲塊進行擦除操作之后，還包括：
25、判斷所述擦除操作是否成功；
26、若所述擦除操作成功，則結(jié)束所述擦除操作。
27、在一些實施例中，所述結(jié)束所述擦除操作之后，還包括：
28、獲取處于所述抑制處理的所述編程閃存單元；
29、結(jié)束所述編程閃存單元的所述抑制處理。
30、本專利技術(shù)還提出一種降低閾值電壓分布的閃存單元擦除裝置，包括：
31、至少一個處理器；以及，
32、與所述至少一個處理器通信連接的存儲器；其中，
33、所述存儲器存儲有被所述至少一個處理器執(zhí)行的指令，所述指令被所述至少一個處理器執(zhí)行，以使所述至少一個處理器能夠執(zhí)行上述中任一項所述的降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法。
34、本專利技術(shù)還提出一種存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)存儲有計算機程序，所述計算機程序包括程序指令，所述程序指令當(dāng)被處理器執(zhí)行時使所述處理器執(zhí)行上述中任一項所述的降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法。
35、本專利技術(shù)通過對編程閃存單元進行抑制處理，再對擦除閃存單元進行預(yù)編程處理；使編程閃存單元無論是在擦除閃存單元進行預(yù)編程處理階段，還是在對處理待擦除存儲塊進行擦除操作，都不會受到影響；使得編程閃存單元的閾值電壓不變，從而使得在nandflash進行擦除操作時，降低了存儲塊內(nèi)各閃存單元之間的閾值電壓分布范圍，提高了nandflash的性能。
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1.一種降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，其特征在于，所述降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，其特征在于，所述獲取待擦除存儲塊的編程閃存單元和擦除閃存單元，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，其特征在于，所述對所述編程閃存單元進行抑制處理和對所述擦除閃存單元進行預(yù)編程處理，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，其特征在于，所述讀取所述待擦除存儲塊中各閃存單元的當(dāng)前狀態(tài)之前，還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，其特征在于，所述根據(jù)擦除指令，獲取待擦除存儲塊的編程閃存單元和擦除閃存單元之前，還包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，其特征在于，還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，其特征在于，所述對所述處理后的待擦除存儲塊進行擦除操作之后，還包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的降低閾值
9.一種降低閾值電壓分布的閃存單元擦除裝置，其特征在于，包括：
10.一種存儲介質(zhì)，其特征在于，所述存儲介質(zhì)存儲有計算機程序，所述計算機程序包括程序指令，所述程序指令當(dāng)被處理器執(zhí)行時使所述處理器執(zhí)行權(quán)利要求1至8中任一項所述的降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，其特征在于，所述降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，其特征在于，所述獲取待擦除存儲塊的編程閃存單元和擦除閃存單元，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，其特征在于，所述對所述編程閃存單元進行抑制處理和對所述擦除閃存單元進行預(yù)編程處理，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，其特征在于，所述讀取所述待擦除存儲塊中各閃存單元的當(dāng)前狀態(tài)之前，還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的降低閾值電壓分布的閃存單元擦除方法，其特征在于，所述根據(jù)擦除指令，獲取待擦除存儲塊的編程閃...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：徐明揆，黃新運，高偉，
申請(專利權(quán))人：聯(lián)和存儲科技江蘇有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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