【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及存儲芯片測試的，具體涉及一種spi?nand?flash存儲芯片的測試方法及測試設備。
技術介紹
1、spi?nand?flash存儲芯片是一種廣泛應用于存儲設備中的非易失性存儲器，具有高速讀寫和較大的存儲容量。為確保其穩定性和可靠性，需開發出相應的自動測試裝置可在生產過程中對spi?nand?flash存儲芯片進行全面的性能測試和質量控制，以滿足不同條件下的使用需求。
2、目前市場上已有一些測試平臺可以對spi?nand?flash存儲芯片進行編程和讀取操作，并可集成測試方案，采用模塊化設計的測試方案，可以方便地連接多種類型的存儲器，通過設置不同的參數進行測試。但現有的測試設備通常是針對特定類型的存儲器設計，缺乏對新型存儲器(如不同技術節點的spi?nand?flash存儲芯片)的兼容性和適應性，其靈活性不足；其次，目前的測試設備多是由fpga控制整個測試裝置，雖然其適合高性能的應用場景，但現有的測試設備只能測試固定的參數，無法進行如變化頻率等更多動態參數的測試，限制了測試的全面性和準確性。
技術實現思路
1、本申請的目的在于提供一種spi?nand?flash存儲芯片的測試方法及測試設備，能夠對spi?nand?flash存儲芯片按不同頻率完成相應的讀、寫測試。
2、為了實現上述目的，本申請提供一種spi?nand?flash存儲芯片的測試方法，其關鍵在于，包括：
3、根據用戶輸入的讀取數據、寫入數據和擦除數據的測試指令，按初始
4、根據測試結果調整所述初始頻率并重新執行測試。
5、優選地，所述按初始頻率對spi?nand?flash存儲芯片執行相應的讀取、寫入和擦除測試包括：
6、根據用戶輸入的寫數據自動測試指令，按初始頻率將預設數據寫入spi?nandflash存儲芯片；
7、讀取所述spi?nand?flash存儲芯片，以獲取第一讀取數據；
8、將所述第一讀取數據與所述預設數據進行比較，以獲取寫入測試結果；
9、所述根據測試結果調整所述初始頻率并重新執行測試包括：
10、根據第一讀取數據與預設數據不一致的測試結果，調整所述初始頻率并重新執行寫入測試。
11、優選地，所述按初始頻率對spi?nand?flash存儲芯片執行相應的讀取、寫入和擦除測試還包括：
12、根據用戶輸入的讀數據自動測試指令，按初始頻率從spi?nand?flash存儲芯片讀取數據，以獲取第二讀取數據；
13、將所述第二讀取數據與原始數據比較，以獲取讀取測試結果；
14、所述根據測試結果調整所述初始頻率并重新執行測試包括：
15、根據所述第二讀取數據與所述原始數據不一致的測試結果，調整所述初始頻率并重新執行讀取測試。
16、優選地，所述按初始頻率對spi?nand?flash存儲芯片執行相應的讀取、寫入和擦除測試還包括：
17、根據用戶輸入的擦數據自動測試指令，按初始頻率擦除所述spi?nand?flash存儲芯片；
18、檢測所述spi?nand?flash存儲芯片是否存在殘留數據，以獲取擦除測試結果；
19、所述根據測試結果調整所述初始頻率并重新執行測試包括：
20、根據所述spi?nand?flash存儲芯片存在殘留數據的測試結果，調整初始頻率，調整所述初始頻率并重新執行擦除測試。
21、優選地，在執行所有步驟之前還包括：
22、建立與多通道spi?nand?flash存儲芯片之間的通信。
23、優選地，所述多通道包括第一通道、第二通道、第三通道，每個通道均對應設置有多個spi?nand?flash存儲芯片，所述按初始頻率對spi?nand?flash存儲芯片執行相應的讀取、寫入和擦除測試包括：
24、對所述第一通道的多個閃存按第一初始頻率執行測試；對所述第二通道的多個閃存按第二初始頻率執行測試；對所述第三通道的多個閃存按第三初始頻率執行測試。
25、優選地，前述方法還可包括：
26、在環境溫度產生變化時，根據預設的溫度-頻率之間的線性關系，調整初始頻率；以及
27、在通信接口電壓產生變化，根據預設的電壓-頻率之間的線性關系，調整初始頻率。
28、優選地，還包括：
29、分析寫入測試結果、讀取測試結果和/或擦除測試結果得到性能評估結果；
30、根據性能評估結果生成測試報告；
31、將所述測試報告上傳至云端服務器。
32、優選地，所述按初始頻率對spi?nand?flash存儲芯片執行相應的讀取、寫入和擦除測試包括：
33、根據所述spi?nand?flash存儲芯片的型號信息獲取spi?nand?flash存儲芯片的讀取、寫入和擦除頻率閾值；
34、根據所述閾值設置所述初始頻率。
35、本申請實施例還提供一種spi?nand?flash存儲芯片測試設備，其關鍵在于，包括：
36、一個或多個mcu控制單元和存儲器；
37、所述存儲器與所述一個或多個處mcu控制單元耦合，所述存儲器用于存儲計算機程序代碼，所述計算機程序代碼包括計算機指令，所述一個或多個mcu控制單元調用所述計算機指令以使得所述測試設備執行如前述的方法。
38、本申請通過設置初始頻率對spi?nand?flash存儲芯片進行測試，然后根據測試結果調整測試頻率，直至某個頻率下spi?nand?flash存儲芯片正常工作。可以有效地測試nand閃存的讀取、寫入、擦除等方面在不同頻率下的性能，還可以完全實現自動化，減少了人工參與，在降低成本的同時保證了測試效率，能很好地實現變頻spi?nand?flash存儲芯片的小批量測試驗證。
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1.一種SPI?NAND?FLASH存儲芯片的測試方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的SPI?NAND?FLASH存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述按初始頻率對SPI?NAND?FLASH存儲芯片執行相應的讀取、寫入和擦除測試包括：
3.根據權利要求2所述的SPI?NAND?FLASH存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述按初始頻率對SPI?NAND?FLASH存儲芯片執行相應的讀取、寫入和擦除測試還包括：
4.根據權利要求3所述的SPI?NAND?FLASH存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述按初始頻率對SPI?NAND?FLASH存儲芯片執行相應的讀取、寫入和擦除測試還包括：
5.根據權利要求1至4中任一項所述的SPI?NAND?FLASH存儲芯片的測試方法，其特征在于，在執行所有步驟之前還包括：
6.根據權利要求5所述的SPI?NAND?FLASH存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述多通道包括第一通道、第二通道、第三通道，每個通道均對應設置有多個SPI?NAND?FLASH存儲芯片，所述按初始頻率對S
7.根據權利要求6所述的SPI?NAND?FLASH存儲芯片的測試方法，其特征在于，還包括：
8.根據權利要求7所述的SPI?NAND?FLASH存儲芯片的測試方法，其特征在于，還包括：
9.根據權利要求5所述的SPI?NAND?FLASH存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述按初始頻率對SPI?NAND?FLASH存儲芯片執行相應的讀取、寫入和擦除測試包括：
10.一種SPI?NAND?FLASH存儲芯片的測試設備，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種spi?nand?flash存儲芯片的測試方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的spi?nand?flash存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述按初始頻率對spi?nand?flash存儲芯片執行相應的讀取、寫入和擦除測試包括：
3.根據權利要求2所述的spi?nand?flash存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述按初始頻率對spi?nand?flash存儲芯片執行相應的讀取、寫入和擦除測試還包括：
4.根據權利要求3所述的spi?nand?flash存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述按初始頻率對spi?nand?flash存儲芯片執行相應的讀取、寫入和擦除測試還包括：
5.根據權利要求1至4中任一項所述的spi?nand?flash存儲芯片的測試方法，其特征在于，在執行所有步驟之前還包括：
【專利技術屬性】
技術研發人員：俞文全，高偉，
申請(專利權)人：聯和存儲科技江蘇有限公司，
類型：發明
國別省市：
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