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    在薄電氣組件之上形成柔性密封劑的半導體器件和方法技術

    技術編號:45094558 閱讀:15 留言:0更新日期:2025-04-25 18:31
    一種半導體器件具有第一電氣組件和設置在所述第一電氣組件之上的柔性密封劑。第一電氣組件在處于晶片形式時進行厚度減小。第一電氣組件具有400微米的厚度。第一電氣組件附接到襯底,以提供用以沉積柔性密封劑的基底。在第一電氣組件之上形成互連結構。柔性密封劑可以由聚酰亞胺、熱塑性彈性體、熱塑性硫化橡膠、熱塑性聚氨酯或聚氯乙烯制成。互連結構具有形成在第一電氣組件之上的絕緣層和形成在絕緣層之上作為RDL的導電層。可以在導電層之上形成凸塊。柔性密封劑可以設置在第二電氣組件之上。第二電氣組件可以具有與第一電氣組件不同的電氣功能。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術總體上涉及半導體器件,并且更具體地,涉及在薄且柔性的電氣組件之上形成柔性密封劑的半導體器件和方法。


    技術介紹

    1、半導體器件在現代電氣產品中很常見。半導體器件執行廣泛的功能,諸如信號處理、高速計算、發送和接收電磁信號、控制電氣器件、光電以及為電視顯示器創建可視圖像。半導體器件存在于通信、功率轉換、網絡、計算機、娛樂和消費產品的領域中。半導體器件也存在于在軍事應用、航空、汽車、工業控制器和辦公設備中。

    2、半導體器件通常包含半導體管芯或襯底,其中在半導體管芯或襯底的一個或多個表面之上形成電氣互連結構,以執行必要的電氣功能。在半導體管芯或襯底的表面上形成多個凸塊用于外部互連。

    3、用于實現滿足低功率和高性能驅動條件的高強度器件的先進封裝工藝技術是核心,由于半導體器件的縮放而面臨性能生成方法的限制。然而,傳統的封裝技術在器件本身中包括厚的生長襯底,限制了芯片的散熱和導電。此外,由于源自于生長基質的柔性的缺乏,其利用受到限制。


    技術實現思路

    【技術保護點】

    1.一種半導體器件,包括:

    2.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述第一電氣組件包括400微米的厚度。

    3.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述柔性密封劑包括從由聚酰亞胺、熱塑性彈性體、熱塑性硫化橡膠、熱塑性聚氨酯和聚氯乙烯組成的組中選擇的材料。

    4.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述互連結構包括:

    5.根據權利要求1所述的半導體器件,還包括第二電氣組件,其中所述柔性密封劑設置在所述第二電氣組件之上。

    6.一種半導體器件,包括:

    7.根據權利要求6所述的半導體器件,其中,所述第一薄電氣組件包括400微米的厚度。

    8.根據權利要求6所述的半導體器件,其中,所述柔性密封劑包括從由聚酰亞胺、熱塑性彈性體、熱塑性硫化橡膠、熱塑性聚氨酯和聚氯乙烯組成的組中選擇的材料。

    9.根據權利要求6所述的半導體器件,還包括形成在第一薄電氣組件之上的互連結構。

    10.根據權利要求6所述的半導體器件,還包括第二薄電氣組件,其中所述柔性密封劑設置在所述第二薄電氣組件之上。

    <p>11.一種制造半導體器件的方法,包括:

    12.根據權利要求11所述的方法,其中,所述第一電氣組件包括400微米的厚度。

    13.根據權利要求11所述的方法,其中,所述柔性密封劑包括從由聚酰亞胺、熱塑性彈性體、熱塑性硫化橡膠、熱塑性聚氨酯和聚氯乙烯組成的組中選擇的材料。

    14.根據權利要求11所述的方法,其中,形成所述互連結構包括:

    15.根據權利要求11所述的方法,還包括提供第二電氣組件,其中,所述柔性密封劑設置在所述第二電氣組件之上。

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    【技術特征摘要】

    1.一種半導體器件,包括:

    2.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述第一電氣組件包括400微米的厚度。

    3.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述柔性密封劑包括從由聚酰亞胺、熱塑性彈性體、熱塑性硫化橡膠、熱塑性聚氨酯和聚氯乙烯組成的組中選擇的材料。

    4.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述互連結構包括:

    5.根據權利要求1所述的半導體器件,還包括第二電氣組件,其中所述柔性密封劑設置在所述第二電氣組件之上。

    6.一種半導體器件,包括:

    7.根據權利要求6所述的半導體器件,其中,所述第一薄電氣組件包括400微米的厚度。

    8.根據權利要求6所述的半導體器件,其中,所述柔性密封劑包括從由聚酰亞胺、熱塑性彈性體、熱塑性硫化橡膠、熱塑性聚氨酯和聚...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:尹汝俊
    申請(專利權)人:JCET星科金朋韓國有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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